Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку

Номер патента: 1793197

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Гузенко

МПК: G01B 7/06

Метки: граничных, зубчатых, испытаниях, передач, пленок, смазочных, толщины

...скольжения зубча тых передач пропорционально толщине обтых и редач, полученные последовательно разования граничных смазочных пленок в нач льный момент подачи парафиновых при смазке образцов бензолом (кривая 1), углев дородов в зону контакта вращающих- толуолом (кривая 2), о-ксилолом (кривая 3), ся об азцов (кривая 1) и через 50 - 60 мин триметилбензолом(кривая 4),дифенилметапосле подачи в зону их контакта н-гесана 15 ном(кривая 5) идикумилметаном(кривая 6). при т мпературе смазки 233 К (кривая 2), Способ определения толщины граничн-окт на при температуре смазки 243 К ных смазочных пленок при испытаниях ма(крив я 3), н-декана при температуре смаз- териалов зубчатых передач осуществляют ки 29 К (кривая 4), н-додекана при темпе- ....

Номер патента: 1780461

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Лесникова, Наливайко, Турцевич

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при 560-580°С пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па, доращивание слоя кремния при температуре осаждения подслоя при пониженном давлении из парогазовой смеси, содержащей фосфин и моносилан при соотношении ингредиентов 0,0008-0,0035, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса при одновременном снижении удельного сопротивления пленок путем ускорения осаждения и улучшения структуры пленки,...

Номер патента: 859890

Опубликовано: 30.08.1981

Авторы: Колеров, Логвинов, Скрябин, Юшин

МПК: G01N 23/20

Метки: пленок, поликристаллических, толщины

...дифракционной картины, образец рентгенографируюг в неподвижном состоянии при значении угле наклона, соответствующем исчезновению дифракционных отражений от подложки, при этом перемещают детектор излучения по окружности фокусировки, а глубину .анализируемого слоя. определяют по формуле40 она 1а преломление ренггелучейскорость пеуемещенияизлучения;т линейного ослабле 50 Ьфния;Е - суммарная (интенсивность дифрагированных И;- мощность первиаого пучка;9 - доля дифрагированных лучей внаправлении даюого дифракционного отражения.Для несимметричного (Ы, с 9) ения рентгеновских луней ог исса и определяют глубину анализируема о слоя.П р и м е р 1, В качестве исследуемого образца берут алюминиевую фольгу толщиной 20+1 мкм и ренггенографируют ее...

Номер патента: 1124258

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Гусев, Еремин, Лабунов, Маев, Радионов, Сокол, Чмель

МПК: G05B 23/02

Метки: напылении, осаждения, пленок, скоростью, толщиной, тонких

...- функциональная схема анализатора сбоев, нафиг. 3-5 - временные диаграммы работы устройства при исправном кварцевом датчике и отсутствии сбоев по цепи последнего, при сбоях его поиз счетчика 4 в счетчик 6 и установт ку счетчика 4 в нулевое состояние. Триггер 8 служит для блокировки входных ключей 3 и 5 на время перезаписи информации. Формирователь 11 временных интервалов времени обеспечивает синхронизацию всего устройства и вырабатывает импульсы переноса (выход 1) и импульсы предварительной установки (выход 2), Входы 1 и 2 ключа 13 являются управляющими, а вход 3 - информационным. Задатчик 14 скорости осаждения (напыления) и ее допуска служит для задания требуемой скорости осаждения и ее допуска и представления этой инФормации в...

Номер патента: 483609

Опубликовано: 05.09.1975

Авторы: Исаченко, Лукин, Новиков, Парфенов

МПК: G01N 15/02

Метки: осаждения, пленок, скорости, толщины, тонких

...конденсатор. Толщина контролируемой пленки 2 меньше первой критической или равна ей.Устройство помещают в корпус экранированной микрополосковой линии, верхняя крышка которого выполнена из керамики с окнами, позволяющими напылять металлическую пленку только в область планарного конденсатора. Остальные участки подложки затеняются с помощью этой крышки. Затем устройство вместе с корпусом устанавливают в вакуумную камеру в зоне напыления рабочих подложек. Резонансную частоту микрополоскового резонатора 3 измеряют в процессе напыления пленки 2 с помощью герметизированных разъемов и внешнего прибора,При отсутствии металлической пленки емкость между шлейфом 4 и резонатором 3 определяется размером зазора, диэлектрическими проницаемостями...