Патенты с меткой «интегральная»

Номер патента: 208056

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Блумберг, Вайно, Гальперин, Короткое, Кузнецова, Куусре, Матвеева, Осипова, Таубкин

МПК: H01L 27/118

Метки: интегральная, схема

...одну из центральных схем 3 коммутации, например изображенную на чертеже, которую наносят на базовый кристалл. Если в процессе дальнейших измерений обнаружится, что транзистор 18 коротко замкнут, то, используя вспомогательные перемычки из тонкой проволоки (на чертеже не показаны), получают один из возможных вариантов функциональной схемы (например, триггер с раздельными входами, триггер со счетным выходом или ждущий мультивибратор).Для получения триггера с раздельными входами соединяют перемычками площадки 29, 30 и 31 и вывод 57, площадки 32 и 33, площадку 26 и,вывод 59,:площадку 46 или 47 с площадкой 42 и выводом 61, площадку 24 с выводом 55, площадку 35 с выводом 58, площадки 25, 26 и 28 с выводом 56, площадки 37, 38, 39 и 40 с...

Номер патента: 294253

Опубликовано: 01.01.1971

Автор: Шагалин

МПК: H03K 19/088

Метки: быстродействующая, интегральная, логическая, схема, транзисторнотранзисторная

...базы выходного транзистора со входами схемы через диоды Шоттки. Таким образом удается уменьшить сопротивление цепи, по которой протекает базовый рассасывающий ток выход ного транзистора, в результате чего ускоряется его рассасыванце, а следовательно ц задержка выключения всей схемы.Так как прц наличии единичного сигнала на одном цз входов схемы база выходного транзистора оказывается подключенной к этому входу через открытый диод Шотткц, то отпадает необходимость в шунтцрованцц эмцттерного перехода выходного транзистора. Поэтому ускоряется включение выходного транзистора.Сущность изобретения поясняется чертежом.Транзисторы 1 - 5, диод Шоттки б ц резисторы 7 - 11 образуют обычную ТТЛ схему.База выходного транзистора 5 через диоды Шотткц...

Номер патента: 302808

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Голи, Карийский, Комаров, Комарова, Кристинина, Мондиков, Романов

МПК: H03H 7/30

Метки: интегральная, монокристаллическая, ультразвуковая

...времени задержки в предлагаемом устройстве длина пути ультразвуковой волны, распространяющейся вдоль осп 1 в плоскости уг пьезоэлектрического монокристаллического звукопровода увеличиваегся за счет использования обратной - (уг) плоскости звукопровода. При этом величина задержки увеличивается вдвое по сравнению с ве.шчиной задержки, определяемой максимальными размерами звукопровода, вдоль которого распространяется ультразвуковая волна.На чертеже изображена интегральная ультразвуковая монокристаллическая линия задержки поверхностных волн. 25Линия задержки содержит пьезоэлектрический монокристаллический звукопровод, ца верхней поверхности 2 и нижней поверхости 3 которого размещены соответственно приемный 4 и передающий 5 решетчатые...

Номер патента: 310594

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гар, Данилин, Райхлин, Татаринцев, Хренова

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральная, схема

...сечения трехслойной структуры.На фиг. 1,изображена интегральная схема, общий вид; на фиг. 2 - конструкция разводки по новой методике. 15Г 1 оверх кремниевых полос 1, в которых сформированы диодные структуры 2 и разделенны.;. изолирующими промежутками из ситалла 3, располагают токоведущие шины 4, перемы;. и 5 и контактные площадки 6. Шины и кон тактные площадки выполнены в виде трехслойной структуры алюминий-,ванадий-алюминий с толщиной слоев 0,1 - 0,3 - 0,6 лгк соответственно и соединены между собой перемычками 5, изготовленными в нижнем слое алюми ия толщиной 0,1,цк. Нанесение трехслойной структуры алюминий-ванадий-алюминий осу. ществляют вакуумным напылением. На фого.резисте, навеоенном поверх указанной структуры, создают рисунок...

Номер патента: 339070

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Германска, Иностранец, Иностранное

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, микросхема

...значительноувеличивает общее число годных функциональных областей. Для изготовления этой интегральной схемы используются только известные технологические операции, Кроме того,15 используются обе годные функциональные области одного элемента пластины прп монтажев один общий корпус. ипя,Предмет изо Иц микполупроводниковойтем, что, с целью повгодных микросхем, фразмещены на обеихпротив друга,Изобретение относится к,полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления интегральных схем различного назначения.Известны интегральные твердые схемы, выполненные с обеих сторон полупроводниковой пластины, причем каждая функциональная область с одной стороны пластины находится между двумя функциональными областями с другой стороны....

Номер патента: 342222

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Атанов, Васильев

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, матрица, моп-транзисторах

...шины, являются кроме того буферными, элементами, работающими на конкретную емкостную и нелинейно-омическую нагрузку, что в свою очередь, снижает требования к мощности разрядных формирователей записи информации и обеспечивает возможность парафазной записи информаци,иПредложенная матрица более техпологична по сравнению с изливестны 1 ми, так как ее изготовление сводится к изготовлению матрицы со словарной организацией ис относительно неболышой по количеству активных компонебритов (транзисторов) лот,ической приставкой, объединяющей в себе групну транзисторов. Это значительно уменьшает количеспво пересечений потонкому окисному слою, так ,как все пересечения, связанные с организацией коорджйатной светемы, коиструкгивно вы 1 полня)рщщщрзна...

Номер патента: 391609

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Афанасьева, Володин, Гусакова, Кандыба, Рычков, Шкуропат

МПК: G11C 11/34

Метки: запоминающего, интегральная, матрица, накопителя, устройства

...8 выполнена и+-область 4, служащая для контакта с р-эмиттером 1 и являющаяся шиной столбца матрицы. Шина строки 5, к,которои подсоединен аэмиттер б, выполнена путем металлизации.Каждый столбец матрицы имеет общий изолирующий кармаи 7, профиль которого включаетотростки 8 и 9, позволяющие изолировать другот друга ячейки внутри какмана и имеющиеокна, служащие для ограничвния областифункционального натрузочного резистора, вы.полненного в виде участка 10 и-базы 2 между10 и+ -областью 4 и шунтом д,Поле матрицы образуется мультилликацией соответствующего числа столбцов с необходимым,количеством запоминающих р-и-р-идиодных ячеек,15 Спецификой раб ого р-и-р-идиода с одним заш эмиттернымпереходом является работа прибора определяется зарядов...

Номер патента: 399916

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G11C 11/40, G11C 17/00

Метки: poiici, ающего, гшс1и51иниги, запол1и, интегральная, ячсика

...фОца сос)о 1 и., 1 ДП-)рдизис 1 оров, выполцеццых ца плдсгипс 1 кремния ц-типа с кдр манами 2 р-тица. Обд трдцзистора имеют общий плавающий затвор 3, выполцециый, например, из поликрисгаллического крсмция и отделенный от плдс)ицы кремил диэлектрическим слоем 4 двуокиси кремния толщиной 500 -000 Л. Плдва)ощий затвор закрыт сверху илекот 5 диэлектрик), цапример пиролитическо) двуокисью кремиия.На шш(у 6 поддс)с: сигнал здписи и считы вдция. Сток ) кдиальцого )рдц.)ис)ора 7 сосдицеи с исо)(о 1 Ь г-кдц альогордзис Орд.Рассмотрим рдбо)у здпомццдющсй ячейкив схеме включен, и 1)сдстдвлеццой ца фиг. 2.В исходцом сос)о,)ции при нулевом заряде О ца плавд)огцем за)воре 3 обд трдзисгорд закрыты, по)еццпал ца выходе ячейки цсопределен, При подаче...

Номер патента: 457237

Опубликовано: 15.01.1975

Автор: Гене

МПК: H01L 19/00

Метки: интегральная, схема

...выполнен из материала п-типа, имеющего удельное сопротивление от 0,1 до 5 ом/см и толщину 0,01 мм. Элементы цепи расположены в слое 5. Одним из элементов является транзистор 6, который содержит базу р-типа, область эмиттера 8 п-типа и область коллектора 9. Под областью коллектора 9 находится полость 10 пз материала и+- типа, которая может быть получена диффундированием в слой п соответствующих примесей. Наличие полости 10 компенсирует действие паразитного рир-типа транзистора, образуемого из части области 7 р-типа, слоя коллектора 5 п-типа и слоя 3 р+-типа. Резистор 11 образуется областью 1, имеющей регулируемые размеры и переменное содержание примесей, Полость 13 и+-типа может вхоЗаказ 504/18Ц 11 И Изд.1061 И Государственного по...

Номер патента: 470010

Опубликовано: 05.05.1975

Автор: Соловейчик

МПК: H01H 67/30

Метки: интегральная, матрица, релейная

...и другой - обмоткой другой координаты.Матрица изображена на чертеже.Интегральные общекоординатные обмотки управления одной координатыохватывают 20 в каждой точке скрещивания один из сердечников 2 переменных магнитов, а обмотки другой координаты охватывают другой сердечник. Магниты в каждой точке скрещивания состоят из двух параллельных сердечников в 25 виде пластин из магнитомягкого материала. Концы обеих пластин соединены с полюсными наконечниками 3, которые охватывают магнитоуправляемые контакты 4 на печатной плате 5. Сердечники могут быть выполнены в виде ЗО полосы, общей для всех магнитов одной координаты,При подключении к выбранным координатным обмоткам напряжения питания в магнитах, находящихся в точке скрещивания этих обмоток,...

Номер патента: 481940

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Глориозов, Рыбкин, Сыпчук, Трубочкина

МПК: G11C 11/34, G11C 5/02

Метки: запоминающего, интегральная, матрица, устройства

...в логических вентилях, например, типа ТТЛ - элементах,имеюших два логических состояния: логический ноль и логическую единицу.На фиг. 1 изображена матрица логических вентилей; на фиг. 2 дан пример интегральной схемы логического вентилятипа ТТЛ,Интегральная схема 1 вентиля (изоб-.ражена условно), имеет выход-металлизнрованная плошадка 2 межслойного перехода, и вход - металлизированные плошадки 3 межслойных переходов. К интегральной схеме 1 вентиля через область 4подсоединена шина 5 нулевого потенциала, через область 6 - шина 7 питания,Кроме логических вентилей, хрдняшихинформацию, в матрице имеются шинынулевого потенциала и питания. Дляуменьшения количества слоев ИС запоминающего устройства шины нулевого потенциала и питания...

Номер патента: 534792

Опубликовано: 05.11.1976

Авторы: Казеннов, Контарев, Кремлев, Семученков, Стороженко, Тихонов, Щетинин

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, памяти, ячейка

...представлена принципиаленная схема интегральной ячейки памяти. Интегральная ячейка памр-и-р-транзистор 1, первуюадресные шины, шину записивания 5 и 6, и-р-и-транзистор 7нительный ь-р-и-транзистор 8.Интегральная ячейка памяти рабследующим образом.В режиме хранения информации3 подано напряжение, величина котопределяет ток хранения, На шиневания 6 напряжение равно нулю, асчитывания 5 подано опорное напрположительной полярности. На шине5347 10 Составитель В. ГордоноваРедактор Л. Утехина Техред М Ликович Корректор Б, К)гаЗаказ 5551/243ЦНИИПИ Го С Тираж 723 сударственного комитета по делам изобретений и Москва, Ж, РаушскаяПодписноеСовета Министровоткрытийаб., д. 4/5 13035 атентф, г. Ужгород, ул. Проектн филиал П иряжение равно нулю, а на...

Номер патента: 543171

Опубликовано: 15.01.1977

Автор: Берсенев

МПК: H04J 3/00

Метки: интегральная, коммутационная, пространственно-временная

...пространственного коммутационногополя 4 через ключи 5, на управляющие входыкоторых подаются стробирующие импульсысоответствующих канальных интервалов.Кроме того, система включает в себя групповой блок 6 установки фазы, а в каждом канале 1 - последовательно соединенные повходу установки в нуль пусковой триггер 7 идвоичный счетчик 8, при этом на тактовыевходы двоичных счетчиков подаются стробирующие импульсы а с частотой, равной частоте переключения каналов в групповом тракте2, разрешающий вход ключа 5 каждого канала соединен с выходом дешифрации соответствующего двоичного счетчика 8. Первые входы всех триггеров 7 подключены к стопирую.1 цим входам пространственного коммутационного поля 4, а вторые входы объединены...

Номер патента: 551700

Опубликовано: 25.03.1977

Автор: Басалыга

МПК: G11C 11/42

Метки: запоминающего, интегральная, памяти, постоянного, устройства, ячейка

...Уфиг. 2,31. В отсутствие импульса опроса напряжение на числовой шине, а, следовательно, на истоке МД 11 - транзистора, равно Ч Передаточная характеристика А (фиг. 2) транзистора формируется такой, чгобы пороговое на ЗЭ пряжение Чр было несколько меньше минимальной величины Ч. При этом в отсутствие импульса опроса МДП - транзистор ячейки, находящсйся в состоянии единицы, закрыт, цо близок к сткрыванию. При опросе на числовую шину 1 поступает 40 отрицательный импульс фиг. Зр и трацзистоо открывается. Токпротекаег от исто пека напряжения (+5 В) через резис 1 ор 3, МДП - транзистор 5 в числовую шиву 1, Импульс напряжения на разрядной шине 2 фиксируется усилителем считывания 5 как сигнал считанной ециницы. Когда ячейка находится, в...

Номер патента: 470237

Опубликовано: 05.07.1977

Авторы: Поляков, Тромбовецкий

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...воспроизводимость электрофиэических характеристик области пересечения достигается при размере зерен поликристаллического кремния в ней от 100 до 10000 АНа чертеже показан участмы с разрезом по А-А, соделожку 1 из поликрпсталличес Я с удельным сопротивлением около 2,10 омсм, размером зерен до 1 мки преимушественной ориентацией зерен в кристаллографической плоскости ( 1 10);углубления 2 в подложке 1, заполненные монокристаллическим кремйием с удельным сопротивлением 1 омсм и ориентацией в кристаллографической плоскости (111), изолированные слоем двуокиси кремния 3 толшиной 2 мкм; область 4 П -типа про водимости, созданной методом локальной диффузии примесей в поликристаллическом 10 кремнии подложки 1, и обладающей концентраВОцией...

Номер патента: 566268

Опубликовано: 25.07.1977

Авторы: Аваев, Демин, Дулин, Наумов

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, памяти, ячейка

...большой ток, благодаря чему возрастает ф ток питания в цепи баз всех л-р-И- тран. зисторов всех ячеек одного слова, в то время как в других словах травзисторы 3-6 по-прежнему выключеныа в транзисторы 1 и 2 поступает тот же 26 малый ток, что и в режиме хранения. В режиме записи на обоих шинах У,У устанавливается либо сигнал логического 0 (напряжение, близкое к 0), либо сигнал логической 1(ток к 30 шине равен О) . Этот сигнал записывается в триггер и появляется на коллекторе первого и-р-и- транзистора.В режиме считывания на шине У устанав. ливается уровень логического "О , а шина У подключается к входу усилителя считывания. Сигнал на шине У 1 определяется состоянием триггера. Если первыйр- транэиотор включен, то на шине ф появляется,...

Номер патента: 571155

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Казеннов, Кремлев, Стороженко

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...диффуэионная область 8+ц - типа проводимости. В подложке 1 тыже расголожены области 9-12, имеющией - тип проводимости, причем области 9-12частично примыкают ко всем диффузионным Ообластям 2-7 р-типа проводимости. Все диффузионные области, за исключением области .7 имеют омические контакты, условно показвнные на чертеже пунктиром и штриховкой. Упомянутые контакты к областям 3-6служат. входами иите 1 ральной схеьы, контакт к области 8 - выходом, а контакты кобластям 2 и 12 - соответственно для подклсчения плюсовой и земляной шин источника питания схемы, Области 9 и 10используются для подавлении параэитноготранзисторного взаимодействия между областими 3 и 5 и областями 4 и 6 соответственно. Высоколегированные области 11 и 12и -...

Номер патента: 637867

Опубликовано: 15.12.1978

Автор: Кононов

МПК: G11C 11/40

Метки: интегральная, памяти, ячейка

...4,6 и 7 совместимы с уровнем потенциелов в устройствах с полностью инжекциоцным питанием.В режиме записи логической "1" нашину 4 подеется сигнал выбора слова (высокий уровень потенциала), а на шинах 6и 7 создается режим холостого хода. Врезультате транзисторы 1, 2 и 3 выключаются. Если после этого, не изменяяуровня потенциалов на шинах 6 и 7, нашину 4 подается низкий уровень потенциале, то запоминающий элемент, образованный транзисторами 1 и 2, остается в состоянии хранения логической "1", и процесс записи логической "1" заканчивается,3 режиме записи логического О", пос ле подачи не шину 4 сигнала выбора слова, не шины 6 и 7 подаются низкие уров ни потенциалов, в результате транзистор 3 включается и создает на базе транзистора 1 низкий...

Номер патента: 633395

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, логическая, схема

...биполярного транзистора в виде р-и-иструктуры, а нагрузочного униполярного тран.зистора п.канальным. Данный вариант интеграль.ной схемы имеет повышенное быстродействиеблагодаря использованию неинжектирующего перехода в качестве коллектора переключательноготранзистора. Другим важным преимуществом дан.ного варианта является возможность формироващя в базовой области р-типа переключательноготранзистора диодов Шоттки (или иных выпрям 46ляющих диОдОВ), Вьполннощих роль входьхэлектродов.Интегральная схема работает следующим образом. Электроды 1 и 2 подсоединяются к поло 4жительному и "земляному" электродам источника питания, Если, по крайней мере, на одномиз входов 9, 9 или 9" имеет место высокийпотенциал - "1", величиной, больше...

Номер патента: 667990

Опубликовано: 15.06.1979

Авторы: Глебов, Кринчик, Халецкий, Шаматов

МПК: G11B 5/20

Метки: головка, интегральная, магнитная

...описываемой ИМГ,ИМГ содержит"расположенные одиц цалдругим нижний 1 и верхний 2 магнитопроводы, а также многовитковую обмотку 3,каждый виток которой выполнен в виде меацдра. Крайнее плечо 4 обмотки расположенопод нижним магнитопроводом, среднее плечо 5 - между нижним и верхним магнитопроводами, а другое крайнее плечо 6 расположено над верхним магнитопроводом. Проходящий по нижнему плечу меацдра ток 1 наводит в магнитопроводе 1 поток Ф, .ток среднего плеча 5 1 л наводит в магнитопроводе 1 поток Ф 2, согласный с потоком Ф, а в магнитопроводе 2поток Фпротивоположного направления. Ток667990 Составитель Г, Сотников Редактор С. Хейфиц Техред О, Луговая Корректор М. Демчик Заказ 3474/45 Тираж 680 Подписное ЦН И И П И Государственного...

Номер патента: 669392

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Глебов, Иванов, Тихонов, Халецкий, Ходжаев

МПК: G11B 5/42

Метки: головка, интегральная, магнитная

...головке, содержащей последовательно расположенные слои первой половины спирали электропроводяшей обмотки, первого изоляционного слоя, магнитопровода, второго изоляцибнного слоя и второй половины спирали электропроводяшей обмотки, изоляционные слои выполнены толщиной равной 0,25 - 5 толщины магнитопровода.Напряженность индуцируемых магнитных потоков обратно пропорциональна квадрату расстояния до источника поля, поэтому основной магнитный поток записи или сигнал воспроизведения будет формироваться в слоях магнитопровод-обмотка.669392 формула изобретения Составитель Л. Кондрыкинская Техред О. Луговая Корректор Н. Стен Тираж 680 Подписное ЦН И И П И Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж - 35,...

Номер патента: 675623

Опубликовано: 25.07.1979

Автор: Кругликов

МПК: H04N 5/30

Метки: интегральная, матрица, фотоприемная

...6 -- 6 с и разрядные выводы 7 - 7 у.Интегральная фотоприемная матрица работает следующим образом.Блок 5 сканирования возбуждает в горизонтальных шинах 3 - 3, последовательность импульсов напряжения, вызывающих появление в вертикальных шинах 2 - 2,выходных сигналов. Выходные сигналы содержат коммутационные составляющие, обусловленные проходными емкостями ключевых элементов фотоячеек 11 - 1, темновые составляющие, оусловленные темновыми токами фоточувствительных элементов матрицы и полезные составляющие, обусловленные падающим на фоточувствительные элементы свегом. 1 ве фотоячейки 1 и 1 ч выполняют функцию эталонного источника помех, т. е, коммутационных и темновых составляющих выходных сигналов, появляющихся синхрон но с выходными...

Номер патента: 801056

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Кринчик, Рылов, Филатов, Шаматов

МПК: G11B 5/12

Метки: головка, интегральная, тонкопленочнаямагнитная

...изобретения - увеличениеамплитуды сигнала воспроизведеияи уменьшение тока записи.Поставленная цель достигаетсяпутем улучшения потокосцепления магнитного поля магнитопровода с обмоткой при воспроизведении и увеличения эффективного намагничивающегополя обмотки при записи, обмоткавыполнена в виде двух, соединенныхмежду собой ветвей, расположенныходна над другой между магнитопроводами,На фиг.1 изображена схематичноинтегральная тонкопленочная магнитная головка; на фиг. 2 - разрезА-А на фиг.1.Головка содержит ферромагнитный сердечник 1, состоящий иэ двухмагнитопроводов 2 и 3, расположенныходин над другим, и планарную спиральную многовитковую обмотку 4, состоящую из двух ветвей 5 и 6, расположенных одна над другой между магнитопроводами 2 и 3,...

Номер патента: 822258

Опубликовано: 15.04.1981

Авторы: Глебов, Кринчик, Халецкий, Шаматов

МПК: G11B 5/20

Метки: головка, интегральная, магнитная

...достигается тем, что крайние плечи обмотки в зоне рабочего зазора сдвинуты от рабочей поверхности в центральную часть 3 О магнитопровода головки, при этом расстояние от рабочей поверхности до поверхности крайних плеч обмотки может находиться в пределах от десятой части до половины ширины этих плеч обмотки.На чертеже показана предлагаемая магнитная головка.Рабочая поверхность 1 интегральной магнитной головки образуется магнитопроводами 2 и 3 с одной наружной стороны которых прохОдит плечо 4, соединенное последовательно и согласно с плечом 5, являющимся одновременно прокладкой рабочего зазора, которое в свою очередь точно также соединено с плечом 6, проходящим по наружной стороне магнитопровода 2. Крайние плечи 4 и 6 смещены относительно...

Номер патента: 824294

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Кринчик, Тихонов, Халецкий, Шаматов

МПК: G11B 5/20

Метки: головка, интегральная, магнитная

...зазор между витками выполненменьше ширины витка.На фиг. 1 показана конструкция интегральной магнитной головки, на фит;2потенциальная магнитограм ма.Интегральная магнитная головка содержит расположенные один нвд другимнижний 1 и верхний 2 магнитопровод,а также многовитковую обмотку 3, выполненную в виде меандра. Средние плечимеандра 4 смещены относительно крайнихплеч 5 на полшага, при этом ширинавитков 6(.)льше промежутка между витками.Потенцюльная магбитограмма,изображенная на фиг. 2,поясняет работуинтегральной магнитной головки. Индуцированнвя намагниченность магнитопровсаа от крайних плеч 5 изображена нафиг. 2 а, а от средних плеч 4 на фиг. 2 б.Составитело Техред Т Н. Балточкарреатор а 1. Коста едактор В. Лаз Тираж 645 И...

Номер патента: 749333

Опубликовано: 30.06.1981

Авторы: Быковский, Смирнов

МПК: H01S 5/00, H01S 5/32

Метки: интегральная, линий, матрица, оптических, полупроводниковыхлазеров, связи4

...матрицу лазеров с любой многоканальной системой связи, что также невозможно в известной матрице, Применение ч- подобных лазерных источников упростит н- системы многоканальных оптических линий связи, повысит эффективность ввода лазерного излучения в оптические ют планарные и волоконные световоды.Формула изобретения каналовсодержащей полупроводциковылазеры ца основе гетероэпитаксиальцо 1структуры, сформированной на единойцол.упроцодциковой подложке, гетероэпитаксиальцая структура представляесобойчередующиеся полупроводниковыетолщиной 0,3-2 мкм и полуизолирующиетолщицой от 3-4 мкм до 150-300 мкмслои, причем концентрация носителейН -типа в полупроводниковых слояхразлична, а активные области в нихперпендикулярны к плоскости...

Номер патента: 587808

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Ержанов, Кремлев, Стороженко, Щетинин

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...5, являющимся выходнымэлектродом схемы; дополнительныеинжектнрующие области 6 п-типа проводимостй, расположенные междуобластями 2 и 3 и имеющие диодныеструктуры (диоды Шоттки), анодамикоторых являются входные (например,алюминиевые), электроды 7, катодами - области б. Периферия областейБ для улучшения их инжектирующихсвойств может быть более легированной,чем участки, на которых размещены Одиодные структуры, например легированной в одном диффузионном процессес областью 2, Диодные структуры,образованные электродами 7 и областямн б, характеризуются малым (по 15сравнению с р-п-переходами) прямымпадением напряжения.Предложенная интегральная схемаработает следующим образом.Области 1 и 2 через контактные 2 Оэлектроды подключаются...

Номер патента: 860314

Опубликовано: 30.08.1981

Автор: Синеокий

МПК: H03K 19/08

Метки: интегральная, логическая, схема

...катоду полупроводникового диода 10 (фиг,1) либок дополнительному эмиттеру входноготранзистора 1 (фиг, 2),Интегральная логическая схема работает следующим образом,Если на один из входов транзистора 1 (или на все) подан низкий уровень напряжения логического "0", 3 Отранзистор 4 будет закрыт, следовательно, закрыты транзисторы 5 и 7,так как в их базы не будет течь ток,а источник 8 опорного напряхения схе"мы или транзистор б формирует высокий 35уровень напряжения логической "1"на выходе схемы,Если на входы транзистора 1 поданвысокий уровень напряжения логической "1", то транзистор 4 током че Ореэ резистор 2 от источника 3 литания открывается и через него потечетток в базы транзисторов 5 и 7 и шунтирующий элемент 11, При этом процесс...

Номер патента: 862202

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Кащеев, Свирщевский, Ходжаев

МПК: G11B 5/12

Метки: головка, интегральная, магнитная

...интегральная магнитная головка имеет относительно простую конструкцию, однако не позволяет обеспечить достаточную чувствительность. интегральнаясодержащая обмотпервом сердечнике деленных немагнитных пленок, внут- сопряжена через не у рабочего зазора эделенных немагнитных пленок второИзвестна такжемагнитная головка,ку, размещенную навыполненном из разными слоями магнитренняя из которыхмагнитную прослойкс внутренней иэ ранитными слоями магго сердечника 2,Эта интегральная магнитная гока обладает относительно высокойчувствительностью. Недостаток еестоит в значительных потерях власти высших частот. 1В, Д. ХОджаев,"М",".;г31862202 Составитель В. Техред М. Голи усаэляна Корректор Н. Ц илипп едак аж 645дарственного ко иэобретеиий и, Ж, Раушска...

Номер патента: 306784

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Буйвол-Кот, Сельский, Цыбаев, Чупров

МПК: H01Q 9/00

Метки: антенна, двухдиапазонная, интегральная

...стержнем 11 и плунжером 13, используемым для настройки антенны в частотном диапазоне 1 + д 1. Стержни 10 и 11 механически крепятся диэлектрическими держателями 14-:.16. Антенна может быть использована,например, для приема сигналов курсовых н глиссадных маятников метрового диапазона, 5Известна интегральная двухдиапазонная антенна,. состоящая из вибратора, усилительных элементов и элементов связи, осуществляющая одновременный прием и усиление сигналов. 1 ОЦель изобретения - обеспеченйе приема и последующего частотного разделения сигналов. Достигается она тем, что земляной полюс входа усилительного элемента каждого частотного диапазона подключен к узлу напряже-. ния, возбужденного на вибраторе падающим электромагнитным полем соот"...