Способ изготовления свч-транзисторов

Номер патента: 897048

Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский

ZIP архив

Описание

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.

Заявка

2980998/25, 09.09.1980

Данилов В. Ф, Снитовский Ю. П, Рассадин А. А, Калиновченко В. П

МПК / Метки

МПК: H01L 21/331

Метки: свч-транзисторов

Опубликовано: 20.03.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-897048-sposob-izgotovleniya-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления свч-транзисторов</a>

Похожие патенты