Способ изготовления свч-транзисторов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 897048
Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский
Описание
Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.
Заявка
2980998/25, 09.09.1980
Данилов В. Ф, Снитовский Ю. П, Рассадин А. А, Калиновченко В. П
МПК / Метки
МПК: H01L 21/331
Метки: свч-транзисторов
Опубликовано: 20.03.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-897048-sposob-izgotovleniya-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления свч-транзисторов</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления кмдп интегральных схем
Следующий патент: Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов
Случайный патент: Тормозной ролик