Способ изготовления свч-транзисторов

Номер патента: 1468318

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Гресков, Романов

МПК: H01L 21/263

Метки: арсенидгаллиевых, полевых, радиационной, свч, транзисторов

СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий облучение готовых приборов электронами с энергией 3 - 5 МэВ и дозой 1013 - 1014 см-2 при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и увеличения коэффициента усиления по мощности, облучение электронами проводят при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см2 при заземленных внешних выводах транзисторов.

Номер патента: 1032936

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Жилин, Косогов, Русаков, Телепина, Типаева

МПК: H01L 21/225

Метки: свч-биполярных, транзисторов

Способ изготовления СВЧ-биполярных транзисторов, включающий создание на полупроводниковой подложке коллекторного и эмиттерного переходов и сильнолегированных областей пассивной базы путем селективной диффузии базовой примеси в подложку, отличающийся тем, что, с целью уменьшения емкости коллекторного p n-перехода и КПД коллекторной цепи путем уменьшения горизонтальных размеров областей пассивной базы, диффузию примеси проводят в интервале температур 900 950oС в течение 7 20 мин.

Номер патента: 598468

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Асессоров, Булгаков, Горохов

МПК: H01L 29/70

Метки: мощного, свч-планарного, транзистора, транзисторная, ячейка

...транзисторов при высоких КСВН), посколькупри этом неизбежно уменьшение выходной мощности насыщения и КПД из-завозрастания последовательного интегрального сопротивления слоя коллектора.Таким образом вариант прототипапри суммарной толщине двух слоев вмкм не может обеспечить надежную(безотказную работу) транзисторов вусловиях рассогласования при большихКСВН. Лучшее, что может обеспечитьтакая структура - это устойчивуюработу при КСВН=1,5-3.Целью изобретения является обеспечение полной устойчивости транзистора ко вторичному прибою.Укаэанная цель достигается тем,что верхний эпитаксиальный коллекторный слой, прилегающий к базовой598468 4 мер,йд= 2,0 0 см З, что соответствует-2,5 Ом см) . При этомоказывается, что транзистор неспособен...

Номер патента: 1137966

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов

МПК: H01L 23/52

Метки: биполярный, свч, транзистор

СВЧ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий корпус, кристалл с контактными площадками к активным областям и проводники, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных, увеличения отдаваемой мощности и КПД коллектора путем частичной компенсации положительной обратной связи через индуктивность общего электрода, каждая базовая контактная площадка соединена с корпусом дополнительным проводником, длина которого превышает длину основного проводника в 1,5 - 4 раза и расположенным под углом 40 - 80o по отношению к проводникам, соединяющим эмиттерные контактные площадки с корпусом.

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...