H01L 21/283 — осаждением электропроводящих или диэлектрических материалов для электродов

Номер патента: 41603

Опубликовано: 28.02.1935

Автор: Стахорский

МПК: H01L 21/283

Метки: выпрямителей, медно-закисных, повышения, проводимости

...для получения равномерной плотности тока, имеется большая опасность повреждения весьма хрупкого меднозакисного слоя,Настоящее изобретение дает способ, обеспечивающий как равномерность покрытия, так и целость указанного слоя при этой операции. Способ заключается в том, что пластины каким-либо образом, например, при помощи кисточки или пульверизатора, покрываются коллоидным графитом, после чего они высуши ваются, Графит, высаживающийся из коллоидального раствора в виде частиц с микроскопическими размерами, вполне обеспечивает требуе. мое улучшение проводимости. Предмет изобретения Способ повышения проводимости меднозакисных выпрямителей, отличающийся тем, что пластины покрывают со стороны оксидного слоя тем или иным образом,...

Номер патента: 45966

Опубликовано: 29.02.1936

Автор: Векслин

МПК: H01L 21/283

Метки: антенное

...31 декабря 1935 года45331. О выдаче зависимого авторского свидетельства опубликовано 29 февраля 1936 года.(254 Тип. Печатный ак, 1655 В авторском свидетельстве45331 на имя й. П. Минца описано антенное устройство для ультра-коротких волн, в котором в качестве вибраторов применены цилиндрические трубы с закругленными концами, укрепленные горизонтально в своей средней части, т, е. в пучности тока жестко к опорам.Согласно настоящему изобретению, представляющему собой развитие изобретения по основному авторскому свидетельству45331, предлагается указанные вибраторы укреплять на металлической раме опоры непосредственно, т. е. без изоляторов, как это схематически показано на чертеже, на котором цифрой 7 обозначена металлическая труба рамы и...

Номер патента: 62557

Опубликовано: 01.01.1943

Автор: Коломнец

МПК: H01L 21/283

Метки: фотоэлемент

...т нз пслупр Водника В металлический электрод, заряжая его от;)ппательнс,Согласно изобретеншо, предлагается фотсэлс.1 еч г с заппра 1 опИм слосч между полупроводпиксч и металлом, в котспом электроны по действием света покидают металлический электрод, благодаря чему о;, заряжается положительно. Дая получения такого эффекта материал полупроводн 1 ка должен быть приведен в состояние электронной проводимсст; путем соответствующей обработки, например путем введения нзбытсчпсго против стехиометрическсго соотношения того нли иного элемеГГЯ.Такой фотоэлемент с положительным фотоэф 1)ектом состоит ,:юдкладки, служащей одним электродом,;1 а которую люоыч способом нанесен слой сернистого таллия, переведеш 1 сго в ссстояше электронна....

Номер патента: 151260

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Карл

МПК: H01L 21/283, H01L 21/40

Метки: контактов, кристаллах, омических, полупроводниковых, фотосопротивлениях

...не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температу. ры 150 - 250, После напыления алюминия кристалл отхкигается при151260температуре 200 в 3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, умед напылением накрываются термостойким шаблоном.Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнузь 4 фгЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную...

Номер патента: 310594

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Гар, Данилин, Райхлин, Татаринцев, Хренова

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральная, схема

...сечения трехслойной структуры.На фиг. 1,изображена интегральная схема, общий вид; на фиг. 2 - конструкция разводки по новой методике. 15Г 1 оверх кремниевых полос 1, в которых сформированы диодные структуры 2 и разделенны.;. изолирующими промежутками из ситалла 3, располагают токоведущие шины 4, перемы;. и 5 и контактные площадки 6. Шины и кон тактные площадки выполнены в виде трехслойной структуры алюминий-,ванадий-алюминий с толщиной слоев 0,1 - 0,3 - 0,6 лгк соответственно и соединены между собой перемычками 5, изготовленными в нижнем слое алюми ия толщиной 0,1,цк. Нанесение трехслойной структуры алюминий-ванадий-алюминий осу. ществляют вакуумным напылением. На фого.резисте, навеоенном поверх указанной структуры, создают рисунок...

Номер патента: 339243

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Егорова, Касаткина, Маслов, Юрлова

МПК: H01L 21/283

Метки: диода, переключающего

...анафореза - электроосаждением частиц полупроводникового стекла из суспензии на положительно заряженный электрод под действием постоянного электрического тока. Дисперсионной средой для суспензии служит ацетон, в котором полупроводниковое стекло находится во взвешенном состоянии в виде частиц меньше 1 мк. Это позволяет сохранить исходный химический состав стеклообразного 5 полупроводника и увеличить адгезию.Технология изготовления переключателейсостоит в следующем:навеску полупроводникового стекла измельчают на вибромельнице и из полученной пас ты готовят суспензию плотностью 1,34 гlсм;на омический контакт прибора осаждают спомощью электричества из суспензии капле- видный слой полупроводникового стекла, толщина которого зависит от...

Номер патента: 673206

Опубликовано: 05.07.1979

Авторы: Дональд, Тис

МПК: H01L 21/283

Метки: полупроводниковых, приборов

...не затрагиваются слои изалюминия, титана-золота или платиныэолота проводящих схем. Перед процессом травления нет необходимости проводить маскирование, которое осуществляется в тех случаях, когда слойдолжен быть удален локально.Согласно изобретению, проводящиедорожки 8-10 сами используются в качестве маски травления, причем жидкий травитель взаимодействует с про"межуточным слоем 7 через пространство между дорожками 8-.10 верхней проводящей схемы,Жидкий травитель воздействует напромежуточный слой 7 не только вертикально, но также и горизонтально ниже дорожек 8-10 (см. стрелки на фиг,2, а). Процесс травления продолжается столько времени-, сколько необходимо для полного исчезновения промежуточного слоя 7, за исключениемучастков...

Номер патента: 987711

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Гирий, Ескендиров, Ладыгин, Мустафаев, Огородников, Туякбаев, Шаховцов

МПК: H01L 21/283

Метки: интегрального, транзистора

...яют, например,роизводят, наго разгонку -оит тветИзвестен также спогрального транзисторазовой области днффузидующей разгонкои, котлечить достаточную прого в соответствии сэ соб изготовления инте- путем формирования баей бора и его послеорый позволяет обесчность изготовленноним интегрального транользование предлагае в значительной степе ю стойкость икте же обеспечить просто интегральных транэи транзисторы, изготовл м, могут най аратуре, мого способа п ни повысить ра в т ционнуа так способа состоит в маойкости изготовленного в интегрального транзистора.- повышение радиационгрального транзистора. мым способотовой апп нстора 23.Недостаток такого ой радиационной стответствин с ним Цель изобретения ой стойкости инте гральных транзисторов, у...

Номер патента: 421304

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Анохин, Качурина, Немировский, Сопов

МПК: H01L 21/283

Метки: полупроводниковых, приборов

...металлические покрытия (например, для маскирования придиффузии или ионной бомбардировке) иметаллические электроды из различных материалов, в том числе из молибдена и вольфрама.Тонкие слои этих материалов обладают хорошими маскирующими свойствами, но имеют плохую воспроизводимостьадгезии и недостаточную скорость травления, что ухудшает шумовые характеристики полупроводниковых приборов.В связи с этим в полевых МОП-транзисторах слои этих металлов используются только при изготовлении приборовдля вычислительной техники, где уровень шумов не имеет решающего значения, и практически не используютсядля изготовления малошумящих высоко-,частотных транзисторов,Целью изобретения является улучшение воспроизводимости свойств границы раздела металла с...

Номер патента: 698450

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Адольф, Вербицкий, Комар, Рыжиков

МПК: H01L 21/283

Метки: контакта, омического

...А 1(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А - В и-типа путемЧнанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кисло. родсодержащей среде, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необхо- О димые условия, при которых индий, СО находясь в жидкой фазе, активно диффунди- ф рует в...

Номер патента: 1817159

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Волков, Иванова, Крякин, Смирнов

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических

...оп 5 робован в Ленинградском государственномтехническом университете на кафедре "Общая и полупроводниковая металлургия",Далее приводятся результаты. этих испытаний.10 Для изготовления омических контактовна подложках иэ арсенида галлия(САГК)предварительно создавалась металлизация, включающая следующие слои:1. Золото-германиевая15 эвтектика толщиной 0,07 мкм2. Никель толщиной 0,03 мкм3. Золото толщиной 0,15 мкмПосле подготовки исходной структурыпроводился процесс вплавления, включаю 20 щий в себя выполнение следующей последовательности технологических операций:1. Структура помещается в реакционную камеру установки для осаждения диэлектрических пленок, После чего реакционная25 камера (реактор) герметизируется и либо вакуумируется и...

Номер патента: 1559975

Опубликовано: 10.07.1996

Авторы: Артамонов, Ахинько, Гольдберг, Емельянов, Зыбин, Ильичев, Инкин, Кравченко, Липшиц, Полторацкий, Родионов, Шелюхин

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениде, галлия, затвором, полевых, сбис, создания, транзисторов, шоттки

1. Способ создания полевых транзисторов с затвором Шоттки для СБИС ЗУ на арсениде галлия, включающий формирование истоковых и стоковых областей, нанесение защитного слоя, вскрытие в нем окон с помощью фотолитографии, локальное окисление подзатворной области, удаление оксида, формирование металлизации затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя арсенида галлия, локальное окисление проводят методом термического окисления в атмосфере сухого кислорода при 400 600oС в течение 5 90 мин, а удаление оксида проводят методом термического отжига в атмосфере водорода при 600...

Номер патента: 940605

Опубликовано: 10.01.1997

Авторы: Диковский, Каусова, Копицын, Назаревская

МПК: H01L 21/283

Метки: кремниевых, резисторами, тонкопленочными, транзисторов

Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами, включающий формирование активных областей, последовательное нанесение двух диэлектрических слоев, формирование в них контактных окон к активным областям, осаждение и фотогравировку нихрома для резисторов и создание контактно-металлизационной системы, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов при улучшении их параметров, после формирования контактных окон в диэлектрических слоях в эти окна дополнительно наносят пленку SiO2 толщиной 10 40 нм, локально формируют дополнительный слой металла со слабой адгезией к SiO2, растворяющийся в травителе, не взаимодействующем с нихромом, а после осаждения нихрома удаляют...

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...