Патенты с меткой «омических»

Номер патента: 29206

Опубликовано: 28.02.1933

Автор: Тышков

МПК: G01R 27/16, G01R 27/26

Метки: коэффициентов, омических, прибор, самоиндукции, сопротивлений

...направлениях, Помощью штепсельного переключаФ теля 5, прибор 1 включается в цепь батареи 3, или одновременно в цепи постоянного и переменного тока 4. В первомслучае измеряется омическое сопротивление проводника, приключенного к зажимам 7, во втором его самоиндукция, Переключение осуществляется перестановкой штепсельных вилок из,верхней пары гнезд в нижние и обратно, При положении вилок в верхних гнездах прибор служит для измерения омических сопротивлений по схеме омметра со скрещивающимися катушками. Ток батареи 3 при атом разветвляется: часть его идет через постоянное сопротивление 8 и обмотку 7, другая часть - .через измеряемое сопротивление 7 и обмотку 2, Пределы измерения прибора зависят от величины добавочного сопротивления,...

Номер патента: 32055

Опубликовано: 30.09.1933

Автор: Сапельков

МПК: G01R 27/02, H01C 17/00, H01G 13/00 ...

Метки: изготовляемых, индукционных, массовом, омических, порядке, проверки, сопротивлений, сортировки

...схемы устройства для случая трех мостиков. На схеме цифрой 1 обозначено общее балластное сопротивление (может отсутствовать); 2 2, 2", 3, 3 3", 4, 4, 4" - представляют собой отдельные ветви трех плеч мостиков; 5, 5,5" - соответ твующие зажимы для включения четвертого плеча мостиков, к которым поочередно присоединяется испытуемое сопротивление Е, Индикаторные диагонали мостиков подведены к зажимам б, 6 и 6", к которым, одновременно с присоединением сопротивления к зажимам Е, 5, 5, 5", присоединяются годвижкые контакты 7, передающие индикаторный ток через ограничитель 21 на усилитель 8, Усиленный ток, выпрямленный кекотроном 22, включение коего однако необязательно, по проводам 9 подводится к подвижным контактам 10, с которых передается...

Номер патента: 84363

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Семенова

МПК: C22C 19/05, H01B 1/02

Метки: нагревательных, омических, сопротивлений, сплавы, элементов

...3)ол)Й 1 а, н)ын)11151, .3 11)кс) )к 113 ( 3.13 с ) 335( (3,(Й вв в 1(р 01( (. С( нериодичесьиВс нагреви н ос(1 к,)е 1313333(53 с рзу,а гон Оорйзо)анни окалины Л 1 Оз и нзыееив в:3 д 33)и(,)30(о сод(13;к 131,)3 Й;ноыиння В С 1 Л Й В(Позтоыу злетротехичские с)10 тЙ (н,)ЙВО(3 в 313)03(Сс( раооть тс1 Е ЗМЕ 51 ОТ С)1. Нои НЖЙЕТСЯ у,Е,(н(0(,), ( КроО(1):В, 311 Е ИВЕ - ;ичн 5 с 1 етс 5 темиеРсчтУРиь 13 коа(1)(1)111311(31 с 00131)О 1133,3311) 3. 3 (5 31 01(РЙ;аетс срок службы сланов,Срнн СЛу)сбЫ СГЛст)ОВ МОЖНО У)50,11 с)1(ТЬ Ир(1(аднс)М 13 13115 31(1 ТО,- но, что ои превышает срок службы (нк 3)о(1 т 80/2(3. 3)3)11(й 1301 С) 3 вй(тс)1 в ви е водной агноиобрневон л)3 йтуры. Сссржв(133 ба 33 в которой достигает до 40",),10 лнчство Вводпмой лиГату...

Номер патента: 111453

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Меркулов, Трояновский

МПК: H01C 17/04

Метки: миниатюрных, омических, сопротивлений

...алсе каркас остяндвлшыют и припаивяют к одному цз концов сл еркця, в непосредственной близости от трубки, коцец микропроголокц, Пайка производится ссрсбром способом, описана о в авт. св, Ло 104209,Затем черсз стержспь снова пропускпот ток, разогревают гаким образом каркас до требусмой температуры и приводят его снова ьо врацсние. При этом микропроволока, конец которой приггаяп к СТЕРжПЮ Снаса,1 с Пс 1 сЬВаЕТСЯ Па УссСТОК СТЕР:1(НЯ МЕ 5 КДУ ТО КОЙ пайки и началом стеклянной трубки, а затем, после нескольких витков по стеракшо, переходит па поВерхность трубки и оорсз сг па каркасс однослош 1 ую пли многослойную обмотку.151 КР ОП Р ОВОГ 101(а ПРОР СВс СТС 51 П с пове 1)хпости :,аркаса, коОрви нагревается изпутри и потому наматывается с...

Номер патента: 151260

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Карл

МПК: H01L 21/283, H01L 21/40

Метки: контактов, кристаллах, омических, полупроводниковых, фотосопротивлениях

...не имеющему запорного слоя на кристалле из соединения элемента второй подгруппы и элемента шестой основной группы периодической системы элементов, путем напыления алюминия в вакууме.Перед напылением алюминия кристалл нагревается до температу. ры 150 - 250, После напыления алюминия кристалл отхкигается при151260температуре 200 в 3 С. В качестве контактного материала отдается предпочтение алюминию с высокой степенью чистоты. Особенно вредной для процесса напыления примесью алюминия является бор.Части иоверхности кристалла, не предназначенные для контактирования, умед напылением накрываются термостойким шаблоном.Целесообразно кристалл еще в течение некоторого времени подвергнузь 4 фгЖгпературной выдержке, чтобы обеспечить полную...

Номер патента: 174276

Опубликовано: 01.01.1965

Авторы: Вихрова, Диковский

МПК: H01L 21/40

Метки: ffmmтфб, контактоввсгсц»я11gt, омических, щ1а(а„

...предварительно покрывают слоем висмута в количестве, не превышающем 10/, от веса вывода, или слоем сплава золота с висмутом с содержанием висмута не нижеЮОд/О.Предлагаемый способ позволяет за счет улучшения смачивания поверхности кремния повысить надежность и механическую прочность омического контакта, а также осуществить контакт к кремнию и- и р-типа проводимости,Способ осуществляется следующим образом.На вывод из золотой заготовщики, например, в виде проволоки наносят любым известным способом слой висмута или сплава висмута с золотом. Количество висмута должно быть не более 1% от веса золотого вывода, а в сплаве золота с висмутом содержание висмута должно быть не ниже 20 О/,. Вывод с нанесенным металлом предварительно оплавляют при...

Номер патента: 190983

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Институт, Мещер, Пентегов

МПК: G01R 27/08

Метки: контактной, омических, сварке, сопротивлений, точечной

...12 и усилитель 13, на пластины 14 вертикального отклонения электроннолучевой трубки осциллографа.Генератор 15 отметок времени (стандартный РС-генератор синусопдальных колебаний) запускается начальным импульсом сварочного тока через усилитель 13.Для обеспечения расшифровки полученных фотографий вольт-амперных характеристик схема содержит калибратор 16 амплитуд, известные напряжения с которого поочередно подаются с помощью тумблеров 7 и 12 на усилители б и 13 для образования масштабных осей координат на экране трубки осциллографа.Обратную петлю 11, вращая, высгавляют таким образом, чтобы вольт-амперная характеристика на экране осциллографа начиналась с нуля и была без вертикальных разрывов, этим достигается компенсация напряжения.Процесс...

Номер патента: 281650

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Текстер, Шефтель

МПК: H01L 21/40

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, терморезисторах

...и повышения стабильности контактов в полупроводник вжигают слой серебра, обслуживают серебряный слой пристоехт из сплава индий- свинец, производят термообработку. Кроме того, припой содержи1 п и 80 - 40% РЬ; термообрабопри 250+ 50 С.Суть способа заключаегся в следующем: 5 механическая обработка поверхности на шлифовальных станках; промывка в проточной воде; нанесение пасты из окиси серебра на торцовые поверхности терморезистора; вжнгание электродов при 700 в 8 С на воздухе 10 в течение 1 О - 15 ттин; обслуживание всей поверхности контакта и припаивание красно- медных выводов методом окунания (плп с помощью паяльника). Принципиально важных является состав припоя. Используется сплав 15 индия и свинца в соотношении от 77 вес....

Номер патента: 397857

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контактов, надежности, омических, полупроводниковых, приборов

...характеристики р-и перехода прибора. При наличии нарушений омцческого контакта наблюдаются высокочастотные деформации вольт-амперной характеристики. Импульс напряжения, возникающий на контролируемом прибора при пропусканци через397857 ваемые на входы нуль-органа 9, не совпадают.Нуль-орган 9 срабатывает, возбуждая исполнительное устройство 12. В случае посто янного обрыва на выходе генератора 1 формируется прямоугольный импульс и подчеркивается высокочастотная составляющая спектра.В случае постоянного короткого замыкания 10 перехода исследуемого прибора работает блокобнаружения постоянных коротких замыканий 10, выходной сигнаал которого через логическую схему 11 возбуждает исполнительное устройство 12,15 Устройство контроля...

Номер патента: 481846

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Петров, Пигин

МПК: G01R 17/10

Метки: мост, напряжением, находящихся, омических, переменного, сопротивлений, цепей, электрических

...Кх и компенсирующего напряжения /к при этом1К( Ч=Ч + Ч)Кгде Ч - переменное напряжение,развиваемое на вторичной1обмотке М/комценси-2руюшего трансформатора 1;Ч - переменное напряжение,Празвиваемое на вторичнойобмотке М/ делителянапряжения 2.При измерении переменное напряжениеЧ, развиваемое на измеряемом сопроХтивлении Й компенсируется переменх: ным напряжением Ч = Ч + Ч ",к к кв противофазе развиваемом на вторичнойобмотке Ф компенсирующего трансформатора 1, вюпоченной последовательно вторичной обмотке % делителя напряжения2. Так как напряжейия Ч и 7 оказы-х . к35вешивания 2 + Г , сопротивление3образцового плеча Й и цепь питания4моста. Так как сопротивление Й 40 Евторичной обмотки Ч/ компенсирую2щего трансформатора и...

Номер патента: 508826

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Белебашев, Голов, Журавлев, Зенцов, Крылов, Кук, Ловцов, Ревтов, Селезнев, Учайкин

МПК: H01L 29/12

Метки: контактов, омических, полупроводниковых, приборов, сило-вых, сплав

...с термокомпенсатором.Целью изобретения является снижение электросопротивления в контакте р - р+ и уменьшение инжекции при одновременном улучшении качества контакта.Поставленная цель достигается тем, что в известный сплав дополнительно вводится металлическая добавка, например, вольфрам или молибден,По предлагаемому способу для одновременного улучшения электрических характеристик омических контактов к кремнию р-типа проводимости и улучшения соединения с вольфрамовым (или молибденовым) термокомпенсатором алюминий или силумин легируют комплексной присадкой, содержащей бор и вольфрам (молибден) примерно в равных долях.Благодаря более высокой растворимости бора в кремнии (6.10" ат/см) по.сравнению с алюминием (1,5,10 е ат/см)...

Номер патента: 658481

Опубликовано: 25.04.1979

Автор: Петров

МПК: G01R 17/10

Метки: мост, напряжением, находящихся, омических, переменного, сопротивлений, цепей, электрических

...от прохождения переменного тока со стороны измеряемого резистора,в плечо измерения моста последовательно с резистором 17 включены вторичная обмотка 18 компенсирующеготрансформатора 19 и вторичная обмотка 20 делителя напряжения 21, Делитель напряжения 21 выполнен в видетрансформатора с тесной индуктивнойсвязью между обмотками 22 и 20, Компенсирующий трансформатор 19 выполнен с тесной индуктивной связью между обмотками 23, 18, 24, Первичная23 и вторичная 18 обмотки компенсирующего трансформатора 19 выполненыс одинаковым количеством витков(коэффициент трансформации К=1) ивключаются встречно.Для компенсации переменного напряжения У и обеспечения равенствак = Ц, (где Б - напряжение компенсации) вторичная обмотка 18 компенсирующего...

Номер патента: 673940

Опубликовано: 15.07.1979

Авторы: Зебрев, Обрезков

МПК: G01R 31/02, G01R 31/26

Метки: диодов, контактов, надежности, омических, полупроводниковых

...вентилей, обеспечивающих разделение импульсов положительной и отрицательной полярности, приходящих на его вход,Для обнаружения и фиксации кратковременных постоянных обрывов и кратковременных коротких замыканий в цепи контролируемого диода Рх, например, при воздействии механических ударов или испытаниях на вибропрочность он подключается через соединительные проводники или контактное устройство к клеммам между выходом генератора 1 импульсов и входом устройства 5 разделения импульсов через согласующее устройство 3. Двуполярные сигналы от генератора 1, проходя через исправный испытуемый диод Рх, преобразуются в импульсы отрицательной полярности, воздействующие на вход устройства разделения импульсов, При этом на входе 7 устройства...

Номер патента: 773509

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Петров, Пигин

МПК: G01R 17/10

Метки: мост, напряжением, находящихся, омических, переменного, сопротивлений, цепей, электрических

...Для обеспечения более точной компенсации напРяжения 06, первичная обмотка делителя напряжения питается от одновитковой вторичной обмотки 15 компенсирующего трансформатора 5. Дополнительное деление напряжения, развиваемого на одновитковой обмотке 15 компенсирующего трансформато 773509ра 5, с помощью секционированной об-мотки обеспечивает более плавную иточную регулировку величины компенсирующего напряжения 016 1 . Темсамым обеспечивается более точноравенство .между напряжением 0на сопротивлении образцового йлеча и 5кОмпенсиРУюшим напрЯжением ОкпрИ ЭТОМ 01611О к.д 16 Ок 17 16При измерении переменной напря,жение 0,1 ь, развиваемое на сопро/тивлении образцового плеча, компен Осируется переменным напряжением6Окв,16 -Ок 1 Ь 16 +Ок...

Номер патента: 978069

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Достов, Петров, Стариков

МПК: G01R 27/00

Метки: напряжением, находящихся, омических, поверки, сопротивлений, устройств, цепей, электрических

...устройства б подключен индикаторный прибор 7. Выходы измерительной цепи поверяемого и вспомогательного устройств соединены между собой через разделительный конденсатор 8 и переключатель 9. Вольтметр 10 переменного тока с йомощью переключателей 11 и 12 подключается к выходам измерительных устройств 1 и б. В случае необходимости для защитыисточника перемейного тока от прохождения по, последнему постоянного тока используется разделительный конО денсатор 13.Спосо 6 осуществляется следующим образом.Ко входу поверяемого устройства 1 подключают образцовую меру 2 сопро тивления постоянного тока. К выходУизмерительной цепи поверяемого устройства подключен индикатор (отсчетное устройство) 3, Выставляется примерное равенство величины...

Номер патента: 1004892

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Достов, Машенков, Петров, Тихонов

МПК: G01R 17/10

Метки: мост, напряжением, находящихся, омических, сопротивлений, цепей, электрических

...сумматора 13 5 осуществлять деление на М каждого параллеЛьно подается код с выхода ра- слагаемого путем его сдвига на й раэ.брчего регистра 15, Первоначально на рядов в сторону младших разрядов. его выходе сигнал соответствует ну- Данный сдвиг осуществляется соответ левому значению кода, Поэтому после ствующим подключением выходных шин переходного процесса, который имеет 10 ЛЦП 11 и рабочего регистра 15 к пер место в сумматоре 13 во время сумми- вым и вторым входам сумматора 13. рования, по второму сигналу управле- После каждого цикла усреднения, ния, поступающему с выхода дешифрато- которые выполняются аналогично опира 12 команд, в регистр-накопитель 16 ,санномувыше циклу, на счетчик 21 записывается код, равный выходному объема...

Номер патента: 1057868

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Достов, Петров, Разумовская, Тихонов

МПК: G01R 17/10

Метки: напряжением, находящихся, омических, переменного, сопротивлений, цепей, электрических

...по напряжению,два измерительных ключа, два. формиро, вателя сигналов управления, счетчик 30циклов, два усилителя, блок вычитания, линия задержки, интегратор,с эа"поминанием, причем первый входнойзажим устройства соединен с входсипервого формирователя сигналов удравления и через последовательно соединенные первый ограничитель по напряжению, первый ключ и первый усилительсоединен с первым входом блока. вычитания, второй вывод образцового реэисто ра через последовательно соединенныевторой ограничитель напряжения, втомрой измерительный ключи второй усиусилитель соединен с вторым входомблока вычитания, выход которого соединен с первым входом интегратора сзапоминанием, выход первого формирова-.теля сигналов управления соединен свторьачн...

Номер патента: 1118938

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Абрамзон, Достов, Машенков, Петров

МПК: G01R 27/02

Метки: напряжением, находящихся, омических, переменного, сопротивлений, цепей, электрических

...источники напряжения переменного и постоянного токов, заграждающий дроссель, разделительный конденсатор, введен образцовый регулируемый резистор, при этом третья ичетвертая обмотки магнитного модулятора включены встречно, третья обмотка включена в последовательную цепьйсточника напряжения постоянного тока, заграждающего дросселя и клемм8 4детектор 18, к выходу которого подключен индикатор 19.Устройство работает следующим образом.Обмотка 3 электрической машинынаходится под напряжением источникапеременного тока 1. Все остальныеэлемейты цепи и схемы устройства, атакже источник постоянного тока 10защищены от воздействия переменноготока источника 1 с помощью разделительного конденсатора 2, заграждающе-.го дросселя 11 и...

Номер патента: 1164613

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Галкина, Кочан, Новосядлый, Пеленский, Саваневский, Собенко

МПК: G01R 17/10

Метки: интегральных, контактов, омических, сопротивлений, схем

...элемент с тремя наборами дискретныхрезисторов, причем два из них обра.зуют первое и седьмое плечи семиплечего моста, а третий - включенпоследовательно с источником питания и регулируемым резистором в диагональ питания семиплечего моста,а зажимы для подключения объектаизмерения соединены соответственнос общим выводом третьего и шестогоплеч моста, другим выводом индика 1тора, первым плечом с седьмымплечом.В качестве индикатора может бытьприменен цифровой вольтметр,На чертеже изображена схемаустройства, Устройство содержитнабор дискретных резисторов 1 первого плеча семиплечего моста, трехплатный уравновешивающий элемент 2,набор дискретных резисторов 3 седьмого плеча, набор дискретных резисторов 4 цепи питания моста, зонды...

Номер патента: 1228044

Опубликовано: 30.04.1986

Авторы: Бутаков, Бутакова, Кузнецов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенне, омических, потерь

...счет сдвига на 180фаз ортогональных линейно поляризо"ванных компонентов эллиптически поляризованной волны,При двойном прохождении УПС в виде анизотропного слоя также осуществляется зеркальный поворот эллипсаполяризации при определенном соотношении толщины слоя и элементов тенэора магнитной (для ферритов) ипндиэлектрической (для плазмы) проницаемости анизотропного материала.Регулировка данного УПС 9 заключаетсяв изменении толщины слоя и (или)элементов тензора проницаемости, Например, для феррита необходимо изменение внешнего магнитного поля дополучения максимального показанияы измерительного приемника 2.В УПС 9 по фиг. 2 эллиптически поляризованная волна,.попав на решеткуиз проволок 12, разлагается на двеоутогональные линейно...

Номер патента: 527988

Опубликовано: 30.09.1986

Авторы: Герасименко, Двуреченский, Потапова, Смирнов

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

...контакта, включакщий легирование полупроводника при внедрении ионов легирующей примеси до)б. гбольших доэ (более 410 см ) ипри повышенных плотностях тока (бо-лее 4 мкА/см ). Этот способ исключает необходимость последующей высоекотемпературной обработки.Однако известный способ не позволяет существенно понизить переходноесопротивление металлического контакта и полупроводника.Целью изобретения является снижение сопротивления контактов.Цель достигается тем, что передвнедрением на полупроводник наносятпленку металла, дающего тот же типпроводимости в полупроводнике, чтои внедряемая примесь, причем толщинапленки равна или меньше длины пробега ионовПроцесс изготовления контактапредлагается проводить по следующейсхеме. На выбранную...

Номер патента: 1509709

Опубликовано: 23.09.1989

Авторы: Евтушенко, Петренко

МПК: G01N 27/06

Метки: контакта, лед, металл, омических, приготовления, электродов

...обрабатываютипримораживают к исследуемому образцу, Получающийся контакт устойчив вовремени (более суток) и существуетпри небольших напряженностях элек,трического поля,а площадью 2 см , устанавливаемые в промытую фторопластовую кювету вертикально. Электроды заливались деионизованной водой и охлаждались вместе с кюветой парами азота. Температура задавалась системой терморегулировки.Расстояние между электродами было 5 мм, напряжение П = 5 В (Е - 10 В/м), По окончанию кристалли 3зации при температуре образца Т =о= -15 С электроды, бывшие под положительным потенциалом, вырезались алмазной дисковой пилой вместе с предэлектродной областью льда толщиной 1 мм, Поверхность этого льда шлифовалась на фильтровальной бумаСоставитель Д. ДешуковТехред...

Номер патента: 1608546

Опубликовано: 23.11.1990

Авторы: Евтушенко, Петренко

МПК: G01N 27/00

Метки: контакта, лед, металл, омических, приготовления, электродов

...прощение и сокращение времени изготовления, Для этого при обработке электродов в деионизованной воде электрическим током электроды охлаждают до температуры воды 0 - 2 С, а затем выдерживают 1 - 1,2 ч. Затем электроды, находившиеся под положительным потенциа-, лом, вынимают из воды и примораживают кобразцу. 2 ил 1 табл,электродов, Некоторое увеличение угла наклона характеристики а свидетельствует о небольшом снижении сопротивления системы лед - контакты, что можно объяснить лучшим контактом собственно электродов и исследуемого образца и отсутствием механических нарушений приэлектродной обла. сти льда.П р и м е р. Для исследования используются плоские электроды диаметром 20 мм, устанавливаемые в промытую фторопластовую кювету вертикально,...

Номер патента: 1624564

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Илюшкин, Шорохов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, напыления, омических, полупроводниковых, элементов

...рабочей поверхностью для размещения полупроводникового элемента, маску 2, выступающую относительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм, и держатель, выполненный в виде радиальных перемычек.Устройство для напыления работает следующим образом,В посадочное гнездо 1 на его рабочей поверхности размещается полупроводниковый элемент, маска 2 плотно прилегает к поверхности полупроводникового элемента эа счет упругих деформаций перемычек держателя 3. возникающих вследствие того, что маска выступает носительно рабочей поверхности посадочного гнезда на величину, равную 20 - 500 мкм.Установлено, что при уменьшении величины выступа маски относительно рабочей поверхности посадочного гнезда менее 20 мкм маска отходит...

Номер патента: 1698837

Опубликовано: 15.12.1991

Авторы: Аблязов, Быданцев, Мурзабулатов

МПК: G01R 29/10

Метки: антенне, омических, потерь, энергии

...через теплоизолирующий отрезок фидерной линии 8 подключен к входу исследуемой антенны 1, а второй вход. подключен к выходу вспомогательной антенны 6,(57) Изобретение относится к радиотехнике и может быть использовано при настройке и проверке антенн, С целью повышения точности измерения омических потерь энергии в антенне исследуемую антенну, направ,ленную в зенит, устанавливают в термокамеру, имеющую радиопрозрачный колпак, и измеряют модуляционным радиометром приращение шумовой температуры на выходе исследуемой антенны, полученное за счет приращения физической температуры этой антенны, созданной в термокамере. При этом в качестве источника опорного излучения для модуляционного радиометра, используемого при измерениях, берется сигнал с...

Номер патента: 1554671

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Болтунов, Иванов, Никеенко

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, низкоомных, омических, проводимости, р-типа, теллуриду, цинка

...Облуцение образца со стороны металлической пленки не приводитк положительному результату. Источником излучения служил лазер на неодимовом стекле, работающий в импульсном режиме с длительностью импульса0,5 мс и энергией кванта, меньшешириНы запрещенной эоны теллуридацинка (1 1, =1,1 эВ, Г (300 К)2,25 эБ). Лазерное излучение Фокусировалось на образце с помощьюлинзы, Плотность мощности излученияизменялась от 1,8 до 2,8 10 Втсм2путем перемещения линзы относительнообразца.Выбор нижнего предела плотностимощности излучения обьясняетсл тем,что при меньших мощностях облученияположительньй результат не достигается. При значениях плотности мощности больше 2,8 10 Вт/см наблюдалосьйразрушение передней поверхности...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...

Номер патента: 1817159

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Волков, Иванова, Крякин, Смирнов

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических

...оп 5 робован в Ленинградском государственномтехническом университете на кафедре "Общая и полупроводниковая металлургия",Далее приводятся результаты. этих испытаний.10 Для изготовления омических контактовна подложках иэ арсенида галлия(САГК)предварительно создавалась металлизация, включающая следующие слои:1. Золото-германиевая15 эвтектика толщиной 0,07 мкм2. Никель толщиной 0,03 мкм3. Золото толщиной 0,15 мкмПосле подготовки исходной структурыпроводился процесс вплавления, включаю 20 щий в себя выполнение следующей последовательности технологических операций:1. Структура помещается в реакционную камеру установки для осаждения диэлектрических пленок, После чего реакционная25 камера (реактор) герметизируется и либо вакуумируется и...

Номер патента: 1829769

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Володин, Костюкевич, Смертенко, Ханов, Ханова

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, моносульфиду, омических, самария

...через маску так, что оставался чувствительный элемент 45 из ЯаЯ размером 2 х 1 мм, а с двух сторон егобыли образованы контактные площадки 1 х 1 мм, Сначала через такую маску напылялся титан в течение 35 - 330 с со скоростью 5 - 60 оА/с, а затем никель в течение 130 - 670 с со 50оскоростью 6 - 30 А/с. Напыление металлов проводилось при температуре 80 - 240 С.Вольт-амперная характеристика структуры (И 1+Т)-Игпи представлена на черте1829769 Таблица 1 Сопротивление макетов тензорезисторов с контактами (Т+М) при различных режимах напыления Т 1; Тпод.=150 С; режим напыления гЛ: время напыления 1 м=350 с, скорость напыоления Чю=15 А/с. отклонения от омического закона, для которого а= 1.Из зависимости на чертеже следует, что диапазон...

Номер патента: 1321313

Опубликовано: 27.11.1995

Авторы: Минеева, Миронов

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, омических, п-типа, полупроводниковым, соединениям

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A3B5 P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250oС.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.