Способ формирования пленок нитрида кремния

Номер патента: 1718302

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Корешков, Красницкий, Петрашкевич, Сарычев, Турцевич, Химко

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленки, формирования

...в аммиаке не позволяет существенно уменьшить уровень механических напряжений в пленках и улучшить их зарядовые характеристики, что обуславливает снижение качества нитрида кремния. При толщине подслоя более 200 нм не удается провести выравнивание свойств пленки по всей толщине, т.е. примыкающий к подложке слой обогащен 31, следовательно, ухудшаются диэлектрические свойства: снижается электрическая прочность (уменьшаются пробивные напряжения), ухудшаются зарядовые характеристики при повышенных механических напряжениях, В конечном итоге указанные пленки характеризуются низким качеством.При осаждении подслоя из смеси 9 Н 4 - МНз - Иг при соотношении меньше, чем 1: 4; 15, наблюдается осаждение пленок с повышенным содержанием оборванных...

Номер патента: 651687

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Ханс, Ян

МПК: C04B 35/584, C04B 35/593

Метки: кремния, нитрида

...6 О, ИО О,20 СООТолщина слоев должна составлять008-1 мм. Слои покрытия наносят либо погружением заготовок в суспензия,либо разбрызгиванием в пламени илидругим термическим распылением, Пред"почтительный размер частиц составляет0,1-100 мк.После вакуумнрования начинают поднимать температуру и при непрерывномоткачнвавии доводят ее, до спеканиявнешнего слоя.Величина давления в процессеноостатического прессования .зависит от ввепения к нитриду кремния таких добавок,как ЮДОн составляет 100-300 Мйа беэдобавок и не менее 20 МПа при введении добавок. П р и м е р . Порошок нитрида кремния с размером частиц менее 7 мк, са держащий примерно 0,1 вес.% окиси магнйя, помешают в капсулу определенной формы из резины или поливинилхпорида, герметизируют ее...

Номер патента: 1452404

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Курышев, Логвинский, Мараховка, Парм, Соловьев

МПК: H01L 21/318

Метки: антимонид, индия, кремния, нитрид, структур

1. Способ получения структур нитрид кремния - антимонид индия, включающий химическую очистку подложек антимонида индия, размещение подложек в камере плазмохимического осаждения, откачку камеры и нагрев подложек, напуск инертного газа, моносилана и азотсодержащего газа, осаждение нитрида кремния в плазме высокочастотного разряда, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет устранения окисного слоя на границе раздела нитрид кремния - антимонид индия и улучшения диэлектрических свойств нитрида кремния, нагрев подложек производят до 150 - 200oC, в качестве азотсодержащего газа используют аммиак, отношение газовых потоков моносилана и аммиака устанавливают в...

Номер патента: 1813707

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Бартницкая, Власова, Гальчинецкая, Гордиенко, Курдюмов, Лычко, Молодцов, Момот, Островская, Сухих, Чистяков, Яковлева

МПК: C01B 21/068

Метки: кремния, нитрида

...преимущественно образовываться а =Я 1 зй.Азотированию в потоке азота подвергают кремний с содержанием примесей, мас,: Са 0,01; А 0,01; О 0,1; Ре 0,02.П р и м е р 1. 5 г шихты, полученной смешиванием 85 г кремния, размолотого в течение 1 ч в шаровой мельнице в жидком азоте(био=5,6 мкм, й р = 0,710 вс/г), с 15 г йНдС 1, азотируют при 1100 С в течение 6 ч. Содержание азота в продукте азотирования составляет 11,5 мас., а =Я 1 зй 4 70,П р и м е р 2, 5 г шихты, полученной смешиванием 85 г кремния, размолотого в течение 3 ч в шаровой мельнице в жидком азоте (бБо=0,7 мкм, й р =2,3910 с/г), с 15 г йН 4 С 1, азотируют при 1200 С в течение 4 ч. Содержание азота в продукте азотирования составляет 38,2 мас., а =31 зй 195.П р и м е р 3. 5 г шихты,...

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Данцев, Комаров, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...