H01L 27/02 — содержащие полупроводниковые компоненты, специально предназначенные для выпрямления, генерирования, усиления или переключения, в которых имеется по меньшей мере один потенциальный или поверхностный барьер; включая элементы на пассивных интегральных схемах по меньшей мере с одним потенциальным или поверхностным барьером

Номер патента: 284046

Опубликовано: 01.01.1970

МПК: H01L 27/02

Метки: 284046

...меди 4 (СпВгг, СпВг), бромистый свинец 5 (РЬВгг), смесь бромной и бромистой меди б и наконец второй инертный электрод 7,Прц пропускании через такую систему постоянного тока изменяются начальные концентрации Сп+ и Сп таким образом, что в катодном пространстве концентрация Сп уменьшается, а в анодпом - увеличивается (для концентрации Сп соотношения обратные), следствием чего является изменение э.д.с. системы.При малой концентрации Сп относительно Сп э.д.с. системы выражается приблизительной формулой Сп+ ,е=а 1 од(сц.+1:где е - э.д.с. системы, а - постоянная, 1 Спи 1 Сп 3 г концентрации Сп в обоих отделениях, Изменение концентрации Сп зависит284046 Предмет изобретения Составитель Матвеев Корректор Г, С. Мухина Тех р ед Т. П, Курил ло...

Номер патента: 654198

Опубликовано: 25.03.1979

Автор: Дуглас

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральных, схем

...кремния р-типа; осаждение слоя ннтрнда кремния; фотолитографическая обработка 3; М 4, травление эпнтакснальной пленки кремния, в местах незашнщен ных нитридом кремния до половины толшины эпитаксиального слоя; окислениеСоставитель . ОстровскаяТехред М. Петко Корректор П. Макаревич Редактор Е. Гончар Заказ 1349/48 Тираж 922 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушсквя наб., д, 4/5филиал ППП фПатент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 незашишенных нитридом кремнии участков апитвксиального слоя кремния. снятие нитрида кремния; окисное маскирование и диффузия, коллектора; окнсное маскирование и диффузия амиттера; окисное маскирсвание и вскрытие контактов к ами 1- теру, базе и...

Номер патента: 772462

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Абдуллаев, Азимов, Гусейнова

МПК: H01L 27/02

Метки: переключатель, полупроводниковый

...небольшое число переключений"застреванием" ионов меди в дефектах структуры диэлектриков окисиалюминия или кремния.Цель изобретения - увеличение числа переключений и повышение стабильности параметров.Поставленная цель достигается тем,что диэлектрик представляет собойтвердый раствор закиси и окиси меди,На фиг. 1 изображена схема полупроводникового переключателя; нафиг, 2 - вольтамперная характеристика полупроводникового переключателя.Полупроводниковый переключательсостоит из пленок халькогенида меди1 и диэлектрика 2 , заключенных 40между двумя пленками металлическихэлектродов 3 и 4. Переключатель работает следующим образом.Иэ пленки халькогенида меди, которая имеет некоторую долю ионной проводимости 0,1-0,31, инжектируются ионы меди в...

Номер патента: 724000

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Асеев, Косой

МПК: H01L 27/02

Метки: мощный, свч, транзистор, широкополосный

...тем,что в широкополосном СВЧ транзисторе эмиттерные области транзисторов, выполненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовой области, и крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих МДП-конденсаторов, соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базовой металлизацией. На чертеже схематически показанпредлагаемый мощный широкополосныйСВЧ транзистор.Он содержит корпус 1, базовый,эмиттерный и коллекторный выводы 2,1/3 и 4 соответственно, контактнуюплощадку под МДП конденсатор 5,кристалл транзистора 6 и кристалл МДПконденсатора 7. Кристалл транзистора 6 состоит из трех ячеек 8, каждая из которых имеет ряд транзисторных...

Номер патента: 1101081

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/22, H01L 27/02

Метки: компенсацией, полупроводниковый, резистор, температурной

1. Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией, содержащий резистивный элемент из монокристаллического кремния n-типа с диффузионной областью, сформированной введением примеси, две контактные площадки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, элемент легирован редкоземельным металлом, распределенным по объему, приближающемуся к закону дополнительной функции ошибок, с концентрацией носителей Na 5 1018 см-3 и имеющим отношение концентрации носителей в легированной области к концентрации носителей в нелегированной

Номер патента: 1093184

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Манжа, Мирошников, Патюков, Чистяков, Шурчков, Щербинин

МПК: H01L 27/02

Метки: изоляцией, интегральной, комбинированной, структура, схемы, элементов

СТРУКТУРА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ С КОМБИНИРОВАННОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ ЭЛЕМЕНТОВ, содержащая сформированные в кремниевой подложке области с эпитаксиальным и скрытым слоями, боковая изоляция которых выполнена в виде слоев диэлектрика, пересекающих эпитаксиальный и скрытый слои и часть подложки, а изоляция донных участков скрытого слоя с подложкой в виде p n-перехода, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности компоновки элементов и увеличения быстродействия интегральных схем, слои диэлектрика погружены в подложку на глубину не менее ширины области с объединенным зарядом донной части p - n-перехода между скрытым слоем и подложкой.

Номер патента: 1526521

Опубликовано: 10.10.2005

Авторы: Барладян, Мякишев, Ожерельева

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, свч, схема

Интегральная схема СВЧ, содержащая макрокристалл арсенида галлия с металлизированной нижней поверхностью, на верхней поверхности которого содержатся активные и пассивные элементы, элементы с субмикронными размерами, полевые транзисторы с электродами затвора и стока, соединенными с отрезками микрополосковых линий, и с электродами истока, соединенными с нижней поверхностью через сквозное отверстие, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и уменьшения теплового сопротивления, элементы с субмикронными размерами выполнены по крайней мере на одном отдельном микрокристалле, при этом полевые транзисторы на микрокристалле имеют на всех электродах выступы, расположенные в...

Номер патента: 1480685

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Костюков, Манагаров, Огородников, Турилина

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, микросхема

Интегральная микросхема, содержащая полупроводниковую подложку, элементы защиты от статического электричества, соединенные с контактными площадками управляющих элементов интегральной схемы, термодатчик, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного сигнала, она дополнительно содержит полупроводниковую переходную пластину, при этом элементы защиты и термодатчик размещены на переходной пластине, а подложка отделена от переходной пластины слоем диэлектрика.