Способ создания омических контактов к кремнию

Номер патента: 1589942

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта, омического, создания

Способ создания омического контакта, включающий размещение между кремниевой структурой со стороны n-типа и термокомпенсатором алюминиевой прокладки и сплавление, отличающийся тем, что, с целью уменьшения контактного сопротивления за счет создания прерывистого рекристаллизованного слоя p+-кремния и улучшения качества омического контакта, перед размещением алюминиевой прокладки осуществляют равномерное тиснение 10 - 50% ее площади.

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 1688743

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Пилипенко, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, создания

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.

Номер патента: 118909

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, кремнием, металла, омического

...фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем,Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом,В вакууме порядка 10мм Нд на нагретый до 550 кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1: 1),конденсируется испаряемый германий.Затем испарение прекращается и температура кремния повь сядо 700 - 750 и при этой температуре выдерживается 10 мин.Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточлибденового нагревателя, помещенного над кремнием.После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель,В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германийили же германий со...