Силовой полупроводниковый прибор

Номер патента: 669300

Опубликовано: 25.06.1979

Авторы: Пиняев, Порубай

МПК: G01R 31/26

Метки: коллектором, между, повышенной, пробивного, температуре, транзисторов, эмиттером

...основном через сопротивление, включенное между базой ц эмцттером, смегцает эмпттерный переход в прямом направлении, что эквивалентно 5 воздействию температуры. Поэтому ток отвнешнего источника ге, задаваемый в базовой цепи, является мерой моделируемой температуры. Соответствие между температурой Т 1 и гщ, -- 1 устанавливается опытным путем посредством измерения известным способом для одного транзистора данного типа зависимостей И(ве)свг = 1 Т) и кве)сеегГ:Т= (гем)669300 Формула изобретения Составитель И. Гуляев Редактор О. Степина Техред О, Луговая Корректор Е. Папи Заказ 3653/37 Тираж 1089 Подписное ЦН И И П И, Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий3035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 филиал П П П...

Номер патента: 50352

Опубликовано: 01.01.1937

Автор: Раутиан

МПК: G01J 1/14

Метки: зрения, контраста, между, наблюдателя, освещения, поля, удаленными, участками

...яркость фона.ВОтсюда 1; = - и контраст К=В,=1 -- =1 - 1; .В, - В Во оВ случае, если более светлым яв.ляется объект, то объект наблюдаютчерез участок клина, а фон долженбыть виден через чистый участокпластинки.Предмет изобретения.1. Приспособление для определения контраста освещения между удаленными от наблюдателя участками поля зрения с применением нанесенного на прозрачную пластинку светофильтра, в виде серого желатинового клина, отличающееся тем, что в определенных местах пластинки, например, в шахматном порядке, желатин снят до самой пластинки, с целью ослабления яркости более светлого участка поля зрения при сравнении его с более темным путем наблюдения первого через соответствующей плотности светофильтр из большого числа их,...

Номер патента: 397121

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...приложении сигнала управления ("+" на электрод 19 и "-" на электрод 17, обычно электрически свя " занный с электродом 16) включение начинается на участках 6 и 7. Это, например, достигается радиальной кон-, струкцией структуры с управляющим электродом, расположенным в центре .круга (фиг,2), или дополнительным шунтированием гг -О-перехода в слоях 4 и 8В направлении пропускания тока принцип действия аналогичен принципу действия тиристора с регенеративным управлением.Для обратного включения, когда 5 к верхнему основному электроду приложено положительное относительнонижнего электрода напряжение, при подаче управляющего сигнала вначале начинает проводить участок, рас- О положенный под металлическим контактом управляющего электрода 19, т.е,...

Номер патента: 1558263

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/861

Метки: диод, пролетный, резонансно-туннельный

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД, содержащий между эмиттером и пролетным участком многослойную квантовую гетероструктуру, выполненную из полупроводниковых материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, так что слой более узкозонного полупроводника образует квантовую яму для носителей заряда, которая ограничена с обеих сторон потенциальными барьерами, образованными слоями более широкозонных материаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и максимальной рабочей частоты диода, один из упомянутых потенциальных барьеров, ограничивающий потенциальную яму со стороны пролетного участка, выполнен по крайней мере из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциала для основных носителей...

Номер патента: 353219

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Ленинградский, Мезрина, Перси, Рекалова, Шахов

МПК: G01R 33/02

Метки: 353219

...введена зона высокой рекомби;ации или дополнительньш коллектор в виде цилиндра вокруг эмиттера, причем внутренний диаметр ЦИЛИНДРЯ ТЯКОВ, ЧТО В 01 СУТСТВИИ МЯГНИТНОГО поля основная часть потока инжектированных эмиттером неосновных носителей, минуя зону высокой рекомбинации, достигает коллектора. Измеряемое магнитное поле, направленное параллельно плоскости эмиттера и коллектора, воздействуя посредством силы Лоренца на движущиеся вследствие диффузии неосновные носители, отключает их от коллектора в обБза.1 сн нан с Яданнога) ) С 1.П П 51 нпя магпптпьх посмсптом, дыполпс:1- Пан 5)КС:ПС Пс 1;Я 1.О т О 1) О го и 3 ъе и 5 е . лей с чувстдптегьпьм э пым в виде транзистора грузочпом Со.1;)отидлепи 1 иг. 2 Светаител 1, Ь,...