Мощный свч-транзистор

Номер патента: 1662306

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Велигура, Выгловский, Косой

МПК: H01L 29/72

Метки: мощный, свч-многоэмиттерный, транзистор

...тока в цепи эмиттера, а.Выражение, определяющее величину токостабилизирующего сопротивления получено исходя из следующих исходных предпосылок:а) рабочая точка по постоянному току не должна меняться в крайних точках температурного диапазона транзистора, т.е. эо = эЛТб) приложенное напряжение к эмиттерному переходу определяется выражениемФО =Оэб +1 э РэьгДе Оэб - встРоенныйпотенциал Р-и-пеРехода;йэ - сопротивление цепи эмиттер база;4 - ток эмиттера,Температурная зависимость встроенного потенциала определяется выражением.О: О - К Лт,эб эб иогДе Оэб - встРоенный потенЦиал Р - и-перехода при начальной температуре;10К- термический коэффициентиэмиттерного напряжения;15 Л Т - изменение температуры,в) температурная зависимость...

Номер патента: 746346

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Кернер, Нечаев, Рубаха, Синкевич

МПК: G01R 31/26

Метки: максимальной, мощных, структуре, температуры, транзисторов

...в структуре прибора происходят необратимые изменения (измерения проводят с помощью инфракрасногомикроскопа или используя малые приращения температуры окружающей среды исохраняя при этом неизменный электрический режим работы транзистора),Экспериментально установлено, чточисленное значение К практически независит от величины 1 фф и для разныхтипов мощных транзисторов колеблетсяот 0,8 мВ/ С до 1 мВ "/С.Определив значение К, измеряют величину А УЦ 1 соответствующую заданнымзначениям Уко =1 и 1 = 1, и по формуле (2) определяют максимальную тем-пературу в структуре.Многочисленные эксперйментальныеданные показали, что погрешность измерения максимальной температуры по данному. способу не превышает 1504, в товремя как использование известного...

Номер патента: 519656

Опубликовано: 30.06.1976

Авторы: Бунин, Рыскин

МПК: G01R 31/26

Метки: границе, коэффициента, мощных, насыщения, транзисторов, усиления

...и со счетчиком.Известные устройства имеют низкую скорость измерения, что обусловлено ручной установкой равенства напряжения на коллекторе и базе испытуемого транзистора, и невысокую точность измерения вследствие дрейфа измеряемого параметра, вызванного прогревом транзистора на время измерения.Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений.Поставленная цель достигается тем, что в устройство введены дифференциальный усилитель постоянного тока и амплитудно-временной преобразователь, причем один из входов дифференциального усилителя постоянного тока соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемма для подключения базы соединена с базовым сопротивлением, с входом амплитудно-временного...

Номер патента: 651425

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Роговин, Фалькенгоф, Явчуновский

МПК: H01J 23/027

Метки: коллектор, мощных, приборов, свч, электронов

...плотностью тока по рабочейповерхности коллектора. Изменение величины и направления магнитного поляпредлагается обеспечить за счет враще;иия постоянного магнита, имеющего составляющую вектора магнитной индукции,перпендикулярную оси прибора, Оптимальное местоположение и величину поляпостоянного магнита следует подбиратьдля каждой конкретной конструкции. Дляэтого изготавливается макет реальногоприбора. Коллектор разбивается на 710 изолированных секций с равной внутренней поверхностью, На внешней поверх. ности каждой секции прикрепляются тер1 О 13 20 мопары для определения температуоы и вывод для измерения тока секции. Величина напряженности магнитного поля и местоположение магнита подбирают ся таким образом, чтобы при вращении последнего,...

Номер патента: 978235

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Горюнов, Дулов, Мулев, Сергеев, Широков

МПК: H01L 23/02

Метки: гребенчатой, мощный, структурой, транзистор

...основания эмиттерных дорожек к их концу, причем угол наклона верхней плоскости прокладки к основанию определяется из соотношения,Х Хлогично, поэтому функцию Их) =-- , ап. я,йЭ с Т(о )81 и о =0,58л л ,л где 3 о - предельно допустимый или номинальный ток для данного .типатранзисторов; ным отклонением Х"Г хпрямой Х = 1+Б ) где Т(о) - температура в точках х = 0;ДТ(х) - величина превышения температуры перехода в точках с координатой х над температурой Т (о ) .Условие 3(х):сопв 1 означает, что уве личение падения напряжения на сопротивлении металлизации с ростом х компенсируется возрастанием температуры полностью, так что выражение под знаком ехр в формуле (1) не зависит от х, т.е. 15 20где С - некоторая константа,откуда после некоторых...