Патенты с меткой «полупроводниковую»

Номер патента: 355697

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лепилин, Черн

МПК: H01L 21/203

Метки: металла, нанесения, пластину, полупроводниковую, селективного

...наносят тон к)ю пленк) Отя,ля (напримерр, золота или алюминия), металлизированныее пластины покрыва 1 от фоторезнстом, экспонируют через фотошаблон с соответс 1 вующнм рисунком, проявляот и травленел удаляют металл с участков, не,покрытых фоторезстом. Затем металл вжигают в кремниевую поверхность путем нагрева до температуры образованя эвтект 1 к для получения низкого сопротивления коннпя металла соседние днфтп лог)т Окязя 1 ься зякОро355697 Составитель В. ГришинРедактор Т. Орловская Техред Л. Евдоиов Корректор Е. Миронова Заказ 3672/5 Изд.1557 Тираж 406 Подписное ЦПИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Типография, пр. Сапунова, 2 соответственно 600 и 750 С, в то...

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...