H01L 43/08 — резисторы, управляемые магнитным полем

Номер патента: 64171

Опубликовано: 01.01.1945

Авторы: Марьяновский, Мойжес

МПК: H01F 21/08, H01L 43/08

Метки: сопротивления

...изменении величины постоянного тока в обмотке 1 изменяется магнитная проницаемость проволоки 8 из ферромагнитного материала, следовательно, и ее сопротивление переменному току, и на вторичной обмотке трансформатора 2, включенного в диагональ моста, появляется напряжение переменного тока.Предлагаемый способ позволит модулировать амплитуду переменного тока без движущихся частей и с постоянной времеви обмотки постоянного тока во много раз меньшей, чем постояйная времени подмагничивающей обмотки дросселя насыщения,М б 4171 Физическая сущность явления, на котором основано предложение, состоит в количественном изменении скинэффекта, т. е. эффекта вытеснения переменного тока к поверхности провода. Этот эффект имеет место и при отсутствии...

Номер патента: 165804

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Войтон

МПК: H01L 43/08, H01P 1/24

Метки: активное, безынерционно, сопротивление, управляемое

...образова енней токопроводящей жилой 1 и царуяеталлической оболочкой 2. Пространство у жилой и оболочкой заполнено ферри . На конце линии включена согласован ней нагрузка 4. Магнитная система ак го сопротивления содержит магнцтопроб, снабяенный полюсными наконечника чив юи ь еяд томная с тивно г 1 одписная группа142 Управление величиной проницаемости феррита производится посредством катушки возбуждения 8, подключенной к источнику уп равляющего напряжения, не показанного на чертеже. При изменении магнитной проницаемости феррлта изменяется величина волнового сопротивления лцццц, т. е, величина сопротивления между точками 9 и 10, Использование цолюсных наконечников, расположенных вдоль оболочки линии и замкнутых маг нитным шунтом,...

Номер патента: 544020

Опубликовано: 25.01.1977

Автор: Новиков

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

...СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д, 4/5филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ная толщина подслоя лежит в пределах 103000 АУлучшение магниторезистивных свойствмагниторезисторов в поперечных магнитныхполях на основе пленок висмута, напыленныхна подложки с предварительно нанесеннымподслоем другого материала, обусловленовлиянием подслоя на структуру пленок висмута,Известно использование подслоя при напылении тонких пленок различных материа -лов в тонкопленочной технологии для улучшения адгезии пленки к подложке, но неизвестны сведения о влиянии материала подслоя на магниторезистивные свойства пленок и их структуру.При напылении висмута на подложку сподслоем кристаллиты подслоя служат...

Номер патента: 632015

Опубликовано: 05.11.1978

Авторы: Галкин, Евдокимов, Никитин, Пятницкий, Торопцева

МПК: H01L 43/08

Метки: переменный, резистор

...индуктивности.На чертеже схематически изображенпеременный резистор.На торцах эластомерного электролроводного элемента, выполненного, например, в Виде цилиндра 1, установлены электроды 2На цилиндре или в его зоне расположена катуша индуктивности 3 с выводами 4. В эластомерный материал (основу), например, каучук, в качестве ферромагнитного наполнителя введены частицы железа, покрытые электропроводным материалом, например серебром, равномерно распределенв основе. Основа и наполнитель б632015 также даст возможность снизить себестоимость переменного резистора иизделий, в которых он будет использоваться.Уменьшение веса и габаритов резистора позволит найти ему широкое при мененне при проектировании аппаратуры в микроминиатюрном...

Номер патента: 953685

Опубликовано: 23.08.1982

Автор: Харизоменов

МПК: H01L 43/08

Метки: магнитоэлектрический, полупроводниковый

...через резистор 6 с второй контактной площадкой,. 7, Подложка 1 с полупроводниковым слоем 2 помещена между полю- зо свми источника магнитного поля, силовые линии которого перпендикулярны плоскости подложки 1 с полупроводниковым слоем 2, вторая контактная площадка 7 соединена через конденсатор 8 с Управляю- з 5 щим входом 9, а в полупроводниковом слое сформированы отверстия 10, которые расположены не перпендикулярах к краям контактных площадок 3 и 7, а источник магнитного поля выполнен ревер;4 о сивным, в между первой контактной пло.щадкой Э и ближайшими к ней отверстиями 10 сформированы прорези 11, между которыми на полупроводниковом слое сформированы выходные контакты 12,Устройство работает следутошим образом.При пропускении тока и...

Номер патента: 1027657

Опубликовано: 07.07.1983

Автор: Пужляков

МПК: G01R 33/095, H01L 43/08

Метки: датчик, магниторезистивный, перемещений

...двух плеч моста, на которыенадвинулся управляющий элемент, увеличится на величину Ьй, а сопротивление двухплеч, с которых сдвинулся управляющийэлемент, уменьшится; на величину (-дР).Это приводит к разбалансировке моста.На выходных клеммах формируется сигнал пропорциональный величине смещения)управляющего элемента, причем максимальный сигнал будет при смещении управляющего элемента магнитной системы к одному из концов (правому или левому)чувствительных элементов 2 ,К недостатку известного датчика относится то, что диапазон, в котором величина сигнала пропорциональна величине смещения управляющего элемента, составляет 0,5 длины чувствительного элемента, сужает объем его использования."4 увствитеьные элементы магниторезисторов изготавливают...

Номер патента: 1148064

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Аукштуолис, Мацас, Сащук, Шилальникас

МПК: H01L 43/08

Метки: гальваномагниторекомбинационный, элемент

...(более 100 С).Поставленная цель достигается тем, что гальваномагниторекомбинационный элемент, выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и областью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, содержит на гранях с малой скоростью поверхностной рекомбинации поликристаллические слои из материала, не изменяющего энергетический спектр поверхности полупроводника и способного блокировать активные рекомбинационные центры на его поверхности, например иэ серебра, с островковой структурой и концентрацией островков не меньшей, чем концентрация активных рекомбинационных центров на поверхности полупроводника.На фиг 1 представлена конструкция предлагаемого элемента, фиг. 2-...

Номер патента: 882362

Опубликовано: 23.02.1986

Авторы: Апостолов, Еросов, Климовская, Панаетов, Панчина

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

...вектору В магнитной индукции; 10 15 20 50 25 30 35 40 45 Кроме того, такой рассеянный СНЗбудет дрейфовать в направлении внешнего электрического поля ,Каждый СНЗ имеет свой набор характеристических параметров (ХП), который определяет скорость 7 и эффективную массу в СНЗ. При рассеянии СНЗхотя бы по одному из своих ХП изменяются У и/или 1 л и, следовательно,радиус окружности г, по которой движется СНЗ в однородном магнитйом поле , перпендикулярном к направлению 7, В таком поле СНЗ с абсолютнойвеличиной зарядапод действиемсилы Лоренца движется по окружностипостоянного радиуса. Если расстояние ь между омическими контактами выполнено сравнимымс одной из характерных длинсвободных носителей заряда в примесном полупроводнике, то в таком...

Номер патента: 1534082

Опубликовано: 07.01.1990

Авторы: Барабанова, Баранов, Козлов

МПК: C22C 5/00, H01L 43/08

Метки: магниторезистивный, сплав

...в дуговой печи с нерасходуемым вольфрамовым электродом на водоохлаждаемом медном поддоне в атмосфере гелия, Масса каждого слитка 1 г. После плавки слитки отжигают в печи сопротивления в течение 70 ч при 1000 С в вакууме, Охлаждение проводят с печью. Для измерения электросопротивления из слитков вырезают образцы призматической формы длиной около 6 мм и сечени- ем 1 мм 2. Измерения электросопротивле1534082 лях до 7 Тл, величина.магниторезистивного эфФекта К(0)/К(НТаким образом, величина магниторезистивного эффекта в предлагаемых сплавах значительно выше, чем у известного. Мире диапазон температур, при которых большие изменения электросопротивления происходят в магнитных полях до 7 Тл,Формула изобретения 20 Состав сплавов и результаты...

Номер патента: 1385957

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Антонец

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

....этом- распределение намагниченности в доменах первой и второй подложек одинаково.ЗО:3. Иагниторезистор по н. 2, о.тл и ч а ю щ и й с я тем, что он дополнительно содержит пластины из магнитамягкого материала, размещенные35над полупроводниковой пластиной ипод подложкой. Изобретение относится к областиполупроводниковой техники, к резисторам управляемым магнитным полем,и может быть использовано при из,готовлении приборов, измеряющих напряженность магнитного поля, в автоматике контроля изменения величиныи напряженности магнитного поля,Целью изобретения является увеличение чувствительности магнитореэистора.Изобретение поясняется чертежом,на котором изображен магнитореэистор.Он содержит подложку 1, полупро-,водниковую пластину 2 с...

Номер патента: 1728903

Опубликовано: 23.04.1992

Автор: Горбачук

МПК: H01L 43/00, H01L 43/08

Метки: магниторезистор, полупроводниковый

...1) содержит подложку 1, изготовленную из полуизолирующего арсенида галлия, магниточувствительную пленку 2, изготовленную из германия р-типа проводимости, контактные площадки 3, изготовленные из индия, и измерительные выводы 4, изготовленные из медной проволоки диаметром 0,1 мм, Размеры магниторезистора 0,03 х 1,0 х 4,0 мм. Величина электрического сопротивления магниторезистора, изготовленного из образца 1 (см. табл.) при Т=300 К равно 360,0 Ом.На фиг. 2 представлены магнитополевые зависимости сопротивления при Т.2 К для пленок толщиной 5 мкм, полученных при Тп = 713 К (кривые 1,2), Тп = 733 К (3,4) и Тп = 683 К (5,6). Концентрация дефектов в пленках, МС которых изображено кривыми 1-4, составляет 6 10 см, а в пленках 5 и 6 10 см . Кривые...

Номер патента: 1807534

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Касаткин, Муравьев

МПК: H01L 43/08

Метки: датчик, магниторезистивный

...датчике постоянного электрического тока, протекающего через контакты 9, 11, намагниченность в магниторезистивных элементах 1 - 16 устанавливается в двухслойных магнитных пленках вдоль оси легкого намагничивания (ОЛН) и антипараллельно.друг другу. При подаче постоянного электрического тока в. датчи к воздействием воз н икающих магнитных полей от токов в различных магнитных пленках на намагниченность датчика можно пренебречь, . т,к, эти поля много меньше поля анизотропии, Пусть внешнее магнитное поле подается в плоскости датчика под углом а к ОЛН, В идеальном случае. когда толщины магнитных, пленок одинаковы, размагничивающих полей нет, и перемагничивание происходит когерентным вращением. Под действием внешнего магнитного поля...

Номер патента: 1228744

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Браташевский, Васильков, Дорошенко, Ковалев, Охрименко

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор на основе антимонида индия, отличающийся тем, что, с целью снижения анизотропии, увеличения чувствительности и линейности, он выполнен из твердого раствора InSb1-xBix, где 0,04 < x < 0,7 ат.%, и содержит от 4,0 1012 до 2,5 1013 см-3 нескомпенсированных доноров.

Номер патента: 1085460

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор, выполненный в виде полупроводниковой пластины с растром, состоящим из металлических полосок, расположенной на концентраторе магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в области слабых магнитных полей, концентратор выполнен в виде пленки из магнитомягкого материала с высокой намагниченностью насыщения, находящейся в однодоменном состоянии, при этом ось легкого намагничивания концентратора направлена под острым углом к продольной оси полосок.