Способ осаждения пленок поликристаллического кремния
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.
Заявка
4655025/25, 27.02.1989
Турцевич А. С, Лесникова В. П, Гранько В. И, Семенов Л. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического
Опубликовано: 20.03.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1597019-sposob-osazhdeniya-plenok-polikristallicheskogo-kremniya.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ осаждения пленок поликристаллического кремния</a>
Предыдущий патент: Способ создания омических контактов к кремнию
Следующий патент: Электролит для разделения свинцово-висмутовых сплавов
Случайный патент: Устройство для разделения семян на фракции по сферичности