Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Номер патента: 1823712

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Андреев, Красницкий, Сарычев, Сасновский, Трубинова, Турцевич

МПК: H01L 21/285

Метки: вольфрама, кремний, осаждения, парогазовая, смесь

...закорачивающих перемычек, реализуется воэможность получения шунтирующих слоевтребуемой толщины 0,15 - 0,2 мкм,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси менее 0,5 об,0 неудается сформировать шунтирующие слоивольфрама требуемого качества и с необходимыми характеристиками из-за самоограничения реакции восстановления ЮР 6кремнием,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси более 20 об. рес.ция становится трудноконтролируемой,снижается качество шунтирующих слоев засчет ухудшения адгезии. Кроме того, увеличивается количество зародышей и, следовательно, ухудшается селективность осаждения.Таким образом, эа счет повышения селективности процесса, исключения самоограничения реакции восстановлениягексафторида...

Номер патента: 1093175

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Попов, Сухов

МПК: H01L 21/318

Метки: кремний-двуокись, кремния, кремния-нитрид, структур

...улучшения элекФрофизических параметров структур.Давление в реакторе при отжиге более 2 атм приводит к нарушению герметичности кварцевого реактора и невозможности реализации процесса. Использование металлических реакторов приводит к загрязнению структур ионами металлов и взаимодействию аммиака с материалом реактора при повышенной температуре процесса. Эксперименталь 35 ио показано, что отжиг структур при давлении аммиака 1-2 атм улучшает электрофизические параметры структур только при продолжительности отжига не менее 30 мин.Под улучшением электрофизических характеристик понимается увеличение крутизны вольт-фарадных характеристик структур Бх - ЯО- БхэМ, что является следствием уменьшения флуктуаций заряда и уменьшения величины...

Номер патента: 1202461

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Биленко, Ципоруха

МПК: H01L 21/66

Метки: осаждения, процессе, слоев, толщины

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ, включающий регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового монохроматического излучения образующейся структуры I(t) и определение толщины слоя по числу полупериодов этой зависимости и значению показателя преломления осаждаемого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения класса контролируемых слоев, перед осаждением измеряют излучательную способность и интенсивность собственного теплового излучения нагретой до температуры процесса осаждения исходной структуры на длине волны монохроматического излучения и искомую величину определяют, используя вычисленный по следующей форме показатель преломления h:

Номер патента: 1056807

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Брюхно, Матовников, Огнев, Половенко

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий осаждение на монокристаллическую кремниевую подложку поликристаллического слоя кремния, его шлифование, удаление части подложки параллельно шлифованной поверхности поликристаллического слоя кремния, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения плотности дефектов на их монокристаллической поверхности и упрощения процесса изготовления структур, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия проводят после шлифования слоя поликристаллического кремния.

Номер патента: 1119982

Опубликовано: 23.10.1984

Авторы: Кожевников, Фотиев, Чешницкий

МПК: C01G 23/00

Метки: лития, титаната

...820 оС в течение 3-5 мин и производят ее отпаивание.Смесь оксица лития Ь 1 0 и оксидов титана Т,О, и ТдО, соответ" ствующего стехиометрического состава Перетирают, брикетируют при давлении 1500-2000 кг/см и полученный образец помещают в ампулу, разделенную на две секции, в одной из которых находится образец, а в другой пористый металлический титак После откачивания воздуха иэ ампулы до 10 " -10 2 мм рт.ст. ее запаивают. Секцию, содержащую титан, нагревают до 780-820 С и выдержиовают 3-5 мин,после чего зту часть отпаивают. Вакуумированную ампулу с образцом нагревают до 750-800 Со в течение 10-15 ч. Полученный продукт анализируют рентгенофазовым и химическим методами.Обработка реакционного пространства с использованием пористого...