H01L 29/74 — приборы типа тиристоров с четырехзонной регенерацией

Номер патента: 106062

Опубликовано: 01.01.1957

Автор: Пумпер

МПК: H01L 29/74

Метки: выпрямитель, полупроводниковый, управляемый

...- полупроводниковый диод; Тр - силовой трансформатор.Такой прибор выпрямляет переменный ток и управляет как постоянным, так и выпрямленным то106062ком при постоянном и переменномнапряжениях.При триоде типа Р-П-Р диодследует включать в противоположномнаправлении, Общая точка системыв этом случае находится под отрицательным потенциалом,В предложенном выпрямителедиод можно заменить добавочнымпереходом П-Р, расположив его так,чтобы полупроводник имел структуру П-Р-П-Р или Р-П-Р-П (фиг. 2),В этом случае генератор импульсов, управляющий эмиссией триода,а следовательно, и мощностью, выделяющейся на полезной нагрузке,может быть заменен источникомпостоянного напряженияПри использовании структурыР-П-Р-П направление полюсов источника постоянного...

Номер патента: 119269

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Сакович, Юдицкий

МПК: H01L 29/74

Метки: переменного, силовой

...выводов от р-полупроводника. Вместо механического контакта может быть применен вспомогательный маломощный выпрямитель б (фиг. 2) с р - и - р (или и - р - и) переходами, подключенными к источнику управляющего напряжения.При положительном напряжении на другом р-электроде и замыкании контакта 4 схемы управления обеспечивается прохождение тока через силовую цепь вследствие эмиссии положительных носителей заряда из указанного положительного электрода и прохождения их через запорный слой у отрицательного электрода.С целью регулирования выходного напряжения, кон 4 может быть выполнен ритмично замыкающимся с соответствующ вигом пс фазе относительно напряжения, приложенного к преобразо ю119269 Предмет изобретения иг,2 Комитет по делам...

Номер патента: 121877

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Сакович, Юдицкий

МПК: H01L 29/74, H02M 1/08

Метки: вентилем, полупроводниковым, силовым, управляемым

...обмотку 3 трансформатора ТУ, вызывая, в свою очередь, прохождение в цепи обмотки 2 и управляющего электрода вентиля УВ тока, пропорционального главному току. При надлежащем выборе коэффициента трансформации ток в цепи. управляющего электрода создает достаточную проводимость вентиля; с окончанием прохождения главного тока в цепи управления ток также прекращается,го устроймбинацию121877 Для пропуска импульсов тока полярности, обратной полярности управляющего тока, и снятия перенапряжений, вторичная обмотка 2 трансформатора ТУ шунтирована контуром, содержащим вспомогательный вентиль ВВ и сопротивление ДС. Это же устройство может быть применено для управления четырехэлектродным управляемым вентилем, а также для управления вентилем,...

Номер патента: 197762

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Брунштейн, Веселова, Данько, Зайцев, Икьков, Локтаев, Сакосич, Свиридов, Тихонов

МПК: H01L 29/74, H02M 5/22

Метки: полупроводниковое

...схема устройства для управления током одного направления.Она содержит положительный полюс 1 источника тока, нагрузку 2, контакт 3 к структуре; четырехслойную 4 и двухслойную 5 структуры; отрицательный полюс б источника тока; контакт 7 к двухслойной структуре; контакт 8 к четырехслойной структуре; источник 9 э. д. с.; управляющий электрод 10.Положительный полюс 1 источника постоянного тока через нагрузку 2 подастся на контакт 8 сложной полупроводниковой структуры, включающей четырехслойнуто 4 и двухслойную 5 структуры. Внепний о-слой структуры 4 н и-слой струк уры 5 соединены контактом, г внешний л-слой структуры 4 и р-слой структуры 5 подводятся к минусовому полюсу б источника тока. Между контакгами 7 и 8, например, путем...

Номер патента: 238017

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: однополярным, симметричный, тиристор, управлением

...же типом проводимости.Основу тиристора составляет монокристаллическая пластина электронного типа проводимости с удельным сопротивлением порядка 40 оги сзг и,диффузионной длиной 0,3 л,и, в которой методом последовательной диффузии создана структура, сечение которой изображено иа фиг. 1; на фиг. 2 и 3 - то же, соответственно вид сверху и вид снизу; на фиг. 4 - вольт-амперная характеристика тиристора.На фиг. 1 обозначены: 1 - слой исходного кремния с электронным типом проводимости;2, 3 - слои кремния с дырочной проводимостью, полученные методом диффузии и образующие на глубине 70 - 80 як р - гг-переходы 4, 5; 6, 7, 8 - слои с электронным типом проводимости, полученные методом диффузии и образующие на глубине 10 - 12 лк р - гг-переходы гг,...

Номер патента: 256086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белебашев, Думаневич, Ловцов, Рюмшин, Смол, Файншмидт, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: 256086

...3 - базовый р-слой тиристора; 4 - эмиттерный р - и-переход тиристо ра; б - коллекторный р - и-переход тиристора; б - локальный металлический шунт; 7 - катодная клемма; 8 - анодная клемма; 9 - базовый и-слой тиристора. Устройство работает следующим образом.При подаче положительного смещения на тиристор (+ на клемму 8 и-на клемму 7) к переходу 4 прикладывается прямое смещение, которое должно вызвать инжекцию электронов в базовый слой 3. Так как переход 4 зашунтирован шунтом б с малым сопротивлением, его смещения в прямом направлении не происходит, и инжекция электронов из слоя 2 в слой 3 отсутствует. В то же время в базовый слой 3 поставляется дырочная составляющая обратного тока центрального р - и-перехода 5 и часть дырочного тока...

Номер патента: 341377

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Беленков, Малицкий

МПК: H01L 29/74

Метки: 341377

...чертеже схематически изображен тиристор, управляемый полем.Полупроводниковый тиристор, управляемый полем, содержит четырехслойную структуру, состоящую из электрода 1, эмнттерного слоя 2, узкой базы 3, широкой базы 4, второго эмиттерного слоя б, электрода б ко второму эмиттерному слою. Размеры и электрофизические характеристики слоев выбираются из условий реализации необходимых значений рабочих токов и напряжений, В узкой базе четырехслойной структуры создана тнристорная горизонтальная структура, причем эмиттер тиристора является эмиттером тиристорной горизонтальной структуры, а узкая база тирнстора - широкой базой горизонтальной структуры, слой 7 представляет узкую базу, а слой 8 - второй эмиттер горизонтального тиристора с...

Номер патента: 347838

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Московский, Першенков, Пись, Ткачев

МПК: H01L 29/74

Метки: 347838

...базовой областью л-типа и эмпттером тпрпстора соответственно. Электрод эмиттера 4 имеет непосредственную связь с эмпттерной областью р-типа и областью 5 ц типа, которая вводится в структуру для выключечпя по управляющему .электрОду 6. Область 7 - диэлектрик - изолирует управляющий электрод 6 от базовой области 2 гг-типа и эмпттера т тпристора р-типа.Вкгпочают тиристор обычным способом: путем подачи отрицательного напряжения на управляющий электрод 6. Управляющее поле индуцирует на области 2 канал р-тппа, через которыи в базовую область р-типа тпристора вводятся основные носители, приводящие к включению л -р-л-р-структурь. воляет полностью пь и значительно с использованием 25 ю управляемый олучен обычными троникп, что,позего в...

Номер патента: 395030

Опубликовано: 25.01.1974

Авторы: Беленков, Курносов, Малицкий

МПК: H01L 29/74

Метки: 395030

...покрытие 10.Электрофизические характеристики и геометрические размеры слоев выбираются из ус- ЗО ловий реализации необходимых значений рабочих токов и напряжений.Принцип работы тиристора заключается в следующем.При подаче анодного напряжения на электроды 5 и 9 и при отсутствии входного сигнала на электроде 8 тпристор находится в закрытом состоянии, и ток через него определяется током утечки обратносмещенного центрального р - и перехода.Наличие входного сигнала на электроде 8 вызывает протекание управляющего тока, величина которого определяется характеристиками обратносмещенного управляющего р - и ггерехода, нрнчсм перевод тнрнстора в проводящее состоянне происходит при входном сигнале, равном напряжению пробоя управляющего р -...

Номер патента: 246682

Опубликовано: 25.05.1974

Авторы: Думаневич, Курцин, Павлик, Савкин, Челноков

МПК: H01L 29/74, H01L 31/111

Метки: 246682

...неравномерности будет зависеть от величины продольного сопротивления базового слоя. Увеличение продольного сопротивления базового слоя приводит к повышению максимального значения плотности тока по структуре, что способствует более быстрому достижению условий, необходимых для переключения структуры,246682 Иеоюбой ооглок тщаппическцйконтаит юлией пегиенлод фиг В предлагаемой конструкции фототиристора вокруг освещаемого пятна в базе создается участок с повышенным продольным сопротивлением, Этот участок может быть получен за счет более низкого уровня легирования части базового слоя (фиг. 1), а также уменьшения ширины базового слоя при ступенчатой форме эмиттер ного или коллекторного перехода (фиг. 3), получаемых, например, с помощью...

Номер патента: 285707

Опубликовано: 15.06.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285707

...сигнал большой адля быстрого, переноса включеннония в новые области структуры.Цель предлагаемого изобретенияшение допустимой величины скоростания анодного тока и повышеничастоты.Для эффективннал полевой частистаточно большиз ого самовозоуждения сигэмиттера должен быть дот, что и осуществляется в представлена предлагаемая ерного слоя четырехслойной - основной управляющий ектрод полевой области, 3 - управляющий электрод.ет длинную полевую часть 1, позволяющуо возбудить включение в центре структуры.Таская геометрия четырехслойной структуры с самовозбужде:ием обладает. рядом преимуществ:а) позволяет увеличить амплитуду. сигнала управлеия, снимаемого с полевой части, для включения перферийных мест;б) первоначально устраняется, возможное...

Номер патента: 285713

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285713

...заштрихованнойчасти эмиттрра значительно больше, чем участканаходящегося под ним. Поэтому при10 включении структуры первоначально анодныйток протекает по эмиттерной области с малымсопротивлением. Величина диффузионногосопротивления определяется геометрией эмиттера, уровнем и профилем его легирования,15 При заданной геометрии сопротивление полевой части лепко можно изменить, меняя величину удельного поверхностного сопротивленияв этой части структуры, Кроме того, сопротивление увеличивается п 1 ри уменьшении глуби 20 ны диффузионной области, поэтому в районеполевой части глубина а-эмиттера может, бытьменьше, чем в центре. В качестве сопротивлений полевой части структуры могут быть выбраны,прямоугольные и клинообразные высту 25 пы...

Номер патента: 455685

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алферов, Корольков, Никитин

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...состава,Указанный ход ширинь запрещенной зоны может быть получен в материалах на основе полупроводников с различной шириной запрещенных зон, образующих непрерывный ряд твердых растворов. При приложении к эмиттерным областям пропускного напряжения и подаче включающего импульса включенное состояние начинает распространяться от электрода управления по всей ппошадт структуры, В зависимости от используемого материала управляющей базы существует несколько причин, приводяших к ускорению распространения включенного состояния.В том случае, когда в качестве базовой области используются полупроводники, например, с прямой зонной структурой (дЕ Сад, йРДь, 1 пЦаИ, где доля излучательной рекомбинации велика, инжектированные носители вблизи элекЗаказ...

Номер патента: 555464

Опубликовано: 25.04.1977

Авторы: Голованова, Грехов, Линийчук, Шулекин

МПК: H01L 29/74

Метки: линейкой, рпрп, элементов

...синхронизации переключения элементов амплитуда управляющих импульсов модулируется с частотой, равнойчас тоте синхронизации,Предлагаемый способ управления основанна том, что в линейке р-и-р-и элементовуправляющим током выключающей полярности,подаваемым в общий базовый слой, можно 10как регулировать объемную связь междур-и-р-и элементами, т.е. изменять скорость перемещения фронта включения вдоль линейки, так и последовательно выключатьвключенные р-и-р-и элементы. 1 ЬВ результате, если с обоих концов линейки в общий базовый слой р - пр-и элементов подаются импульсы управляющего токавыключающей полярности, то после включениякакого-либо р-и-р-и элемента вдоль линейки начинается перемещение области снизким сопротивлением, скорость...

Номер патента: 594904

Опубликовано: 25.02.1978

Автор: Петер

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...на левой стороне нагрузочный сегмент 8. Нагрузочный сегмент 8 частично закрываетуправляющий электрод.Как только на управляющий электрод 7 подается ток, он направляется по пути, обозначенному стрелой, к )1первой эмиттерной зоне 1. На стороне,окруженной нагрузочным сегментом 8,управляющий ток, поступая с управляющего электрода 7,должен пройти поднагрузочным сегментом 8. Такой путьоднако создает высокое сопротивлениедля управляющего тока, что обьясняется уменьшением легирования в зависимости от глубины в первой областибазы 2. Поэтому ток концентрируетсяв основном на выемке 9 в нагрузочномсегменте 8 (через которую он может восновном идти по поверхности первойбазовой области на правую сторонупервой эмиттерной области 1). Этовызывает повыаение...

Номер патента: 661658

Опубликовано: 05.05.1979

Авторы: Абрамович, Либер, Сакович

МПК: H01L 29/74

Метки: двухоперационный, силовой, тиристор

...и 44 областями изоляции 45-50 вэмиттерных слоях. Соединенные ссиловым электродом 40 области 13,15 и 17 базового слоя 2 прилегают кизолированным от силового электрода44 областям 19, 21, 23 базового слоя3 и наоборот соединенные с силовымэлектродом 44 области 18, 20 и 22.слоя 3 прилегают к изолированнымот силового электрода 40 областям12,14 и 16 базового слоя 2Области первого вцда 27-31 примыкаютк областям второго вида 32-36.Электрод управления 51 подключенк изолированной от силового электрода 40 40:области 12 базового слоя. Непоказанная на чертеже остальнаячасть структуры 1 выполнена аналогичным образом.Работа прибора происходит следую щим образом;При наличии положительного напряжения на аноде 44 и отрицательного .на катоде 40 на...

Номер патента: 710085

Опубликовано: 15.01.1980

Авторы: Асина, Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

...Н. Потапова Техред З.Фанта Корректор В. Бутяга Заказ 8771/51 Тираж 844 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 3сопротивления утечки вдоль края эмиперногоперехода основной тиристорной структуры обес.печивается увеличением расстояния между шунтами по мере удаления от УЭ. Регулированиесопротивления утечки края п+ - р эмиттерногоперехода может быть выполнено также измене.нием геометрических размеров шунтов, приэтом увеличение размеров шунтов ведет куменьшению сопротивления утечки, Возможнаконструкция, в которой сопротивление утечкирегулируется сочетанием изменения плотностии размеров шунтов вдоль...

Номер патента: 526243

Опубликовано: 07.10.1980

Авторы: Думаневич, Евсеев, Рачинский, Тетерьвова

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектронный

...затем тиристор с областью 5 и, наконец, главный тиристор с областью 3. Фиг, 5 поясняет работу симистора в третьем квадранте. Инжекцией электронов с области 9 обеспечивается первоначально включение тиристора с катодной областью 6, затем начинает ивкектировать область 5 и включается главный тиристор с катодной областью 8. В данном случае оптимальный режим работы устройства обеспечивается при условии, когда проекции области 9 и 6, а также 5 и 8 хотя бы частично перекрываются.фиг. 6 поясняет работу симистора в четвертом квадранте. Область 10 во вспомагательной дырочпой области служит для уменьшения токов управления, Область первоначального включения в данном случае возникает в тиристоре с областью 6 благодаря инжекции области 10...

Номер патента: 793421

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Патрик, Роланд

МПК: H01L 29/74, H01L 31/111

Метки: фототиристор

...1 и области 9,Р -области 11 и п 1-зоны 1 и области+9 имеют, например, глубину проникновения 15 мкм. Ширина полос 3 составляет, например, 3 мм, диаметр кольца 11, например, 4 мм, ширина отверстия;8, например, 1 мм, диаметр круглой выемки в эмиттерной зоне 1, например, 5,5 мм, Длина всего тиристора составляет, например, 14 мм, Шунты 14 эмиттера имеют, например, среднее расстояние друг от друга 1-2 мм и известным образом распределены по всему катодуС,Рассчитанный .таким образом эле мент блокирует напряжение, например, 4,5 кВ и может, например, при 1 кВ прямого блокирующего напряжения зажигаться посредством СаА 5 - светоизлучающего диода (950 нм) световой 45 мощностью в 5 мВт. Критическая кру-. гизна напряжения дО /ДЪ при комнатной...

Номер патента: 799051

Опубликовано: 23.01.1981

Авторы: Грехов, Тарасова, Щулекин

МПК: H01L 29/74

Метки: логическая, полупроводниковая, ячей-ka

...слою, а перпендикулярно к оси ряда из трех областей 3,4 и 5, тип проводимости которых совпадает с типом проводимости подложки, напротив центральной области 4 ряда на расстоянии, меньшем половины расстояния между областями ряда, сформирована вспомогательная область 8 с типом проводи мости, совпадающим с типом проводимости подложки 1, а во вспомогательной области 8 сформирована область 9 с типом проводимости, совпадающим с типом проводимости базового слоя 2. ЗоОбласти 3,5 и б образуют входные элементы, области 7 - контакты к базовому слою 2, области 4 и б выходной элемент, а области 8 и 9 элемент-генератор единицы. 35Полупроводниковая логическая ячейка И работает следующим образом.Через элемент-генератор единицы протекает ток,...

Номер патента: 1003699

Опубликовано: 23.10.1983

Авторы: Горбатюк, Грехов, Коротков, Яковчук

МПК: H01L 29/74

Метки: обратной, переключения, проводимостью, тиристора

...перепочать какобычиый тнрастор, так и тнрвотор с обратной щюводимостью.Цепь изобретения - увеличение коммутируемой мощиостиии скорости коммутации тиристора с обратной проводимостью.Указанная цель достигается темчто вспособе переключения тиристора с обратсной проводимостью, находящегося в прямом блокирующем состоянии, прикладывается дополнительный импульс обратного,анод ного напряжения амплитуда н .длительность которого выбираются так, чтобыамплитуда и дпйтепьность обратного токаудов етворяпи соотношению2,бр М моав, игдеОр - амппитуда обратною тока;.- время начала протекания об.ратного тока;2 - время окончания протеканияобратного тока;- заряд эпектрона;Щ - ширина й -базовой областитиристора;8 - рабочая площадь тиристорайр- средняя...

Номер патента: 1088676

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Масаеси, Масахиро, Наохиро, Цутому

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...облучения, Известное устройство применимо при изготовлении тиристоров, раГ-ботающих в частотно-импульсных режимах, т.е. для относительно тонкихструктур и, следовательно, для приборов с невысоким напряжением( с 2000 В).Целью изобретения является увеличение инжектирующей способноститиристора при высоких рабочих токахи напряжениях,Указанная цель достигается тем,что в тиристоре, содержащем зашунтированный п-эмиттерный слой, рв-базовую область и -базовую область ибР-эмиттерный слой, акцепторная примесь введена с уменьшением концентрации от п-эмиттерного слоя вглубьрб-базовой области, причем ее концентрация на границе с о -эмиттерЕным слоем находится в интервале(1"8)10"см , листовое сопротивление рбазовой области - в интервале 500-1500 Ом/а,...

Номер патента: 397121

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...приложении сигнала управления ("+" на электрод 19 и "-" на электрод 17, обычно электрически свя " занный с электродом 16) включение начинается на участках 6 и 7. Это, например, достигается радиальной кон-, струкцией структуры с управляющим электродом, расположенным в центре .круга (фиг,2), или дополнительным шунтированием гг -О-перехода в слоях 4 и 8В направлении пропускания тока принцип действия аналогичен принципу действия тиристора с регенеративным управлением.Для обратного включения, когда 5 к верхнему основному электроду приложено положительное относительнонижнего электрода напряжение, при подаче управляющего сигнала вначале начинает проводить участок, рас- О положенный под металлическим контактом управляющего электрода 19, т.е,...

Номер патента: 397122

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...структура содержит участки в базовых слоях, время жизни неосновных носителей в которых по крайней25иере в 1,5 раза больше, чем в остальной части структуры, расположенныетак, что проекции границ этих участков на поверхность структуры с управляющим электродом охватывают границы ЗОэмиттерных переходов на расстояниине менее толщины узкой базы и иэолировапные от основного токосъема состороны структуры свободегой отуправляющего электрода.На чертеже показана схема структу35ры тиристора, управляемого в прямомнаправлении током положительной, ав обратном направлении - током отрицательной полярности, Схема содержитслой 1 исходного нпзколегированногополупроводника электронного типа,слои 2 и 3 дырочного типа с умеренной степенью легирования,...

Номер патента: 234521

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Грехов, Крылов, Линийчук, Тучкевич, Челноков, Шуман

МПК: H01L 29/74

Метки: вентиль, кремниевый, силовой, управляемый

...Р -п-,р-пструктуры позволяет технологическипросто создать вентили с малыми 10величинами прямого падения напряжения при номинальном токе и высокиминапряжениями загибаи переключения,причем напряжения переключения почтине зависят от температуры, мощность 15управления мала из-за малого напряжения управления.На чертеже изображена структурапредлагаемого вентиля, где 2 3,35, р-переходы.Для создания полупроводниковойструктуры из специального источника на воздухе производится диффузия бора в о-кремнии, При 1300 Собразуются достаточно глубокие 25(х =35-60 мк) переходы 3 и Ээ скойцентрацией атомов бора на поверхности "-, 1:3 .10 8 см. На внешнюю поверхность перехода 1 ь напыляетсяводный раствор борной кислоты иооплавляется при 1250 С, Из...

Номер патента: 466817

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: переключатель, полупроводниковый, трехэлектродный

...в обратном 1направлении двух р - п-переходов, вследствие чего повышается напряжение в цепи управления, 30Предложенный переключатель отличается тем, что шунтировка дополнительной области выполнена только состороны управляющего электрода.На фиг.1 изображен тиристор, упРав ляемый током . отрицательной полярности и содержащий пластину 1 исходного кремния электронного типа, диффузионные слои 2,3 дырочного типа; диффузионные слои 4,5,6 электрон ного типа; электроннодырочные переходы 7-11; металлические контакты 12- 15Отличием данной структуры является шунтирование р-и-перехода 1145 дополнительной области 6 со стороны управляющего электрода. В результате при подаче сигнала управления инжекция электронов происходит из областей 5 и 6, структура...

Номер патента: 349356

Опубликовано: 30.05.1988

Авторы: Думаневич, Евсеев

МПК: H01L 29/74

Метки: симметричный, тиристор

...половиной кольцевой областидырочного типа проводимости, а отэмиттерной области дырочного типа полукольцом с электронным типом проводимости и полукольцом области дырочного типа проводимости,На фиг.1 схематично изображено сечЕние симистора; на фиг,2 - полупроводниковая пластина, вид сверху и снизу.Предложенный симистор состоит из исходного монокристаллического кремния 1 с проводимостью электронного типа, дырочных слоев 2 и 3, получен ных. диффузией, эмиттерных слоев 4 и 5 п-типа, кольцевой области 6 с электронным типом проводимости, полу- кольцовой области 7 с электронным типом проводимости, электронно-дырочных переходов 8-13, управляющего электрода 14, верхнего и нижнего силовых электродов 15,16 соответственно,Такая...

Номер патента: 1455952

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Агаларзаде, Астафьев, Буякина, Куузик, Локтаев, Мартыненко

МПК: H01L 29/74

Метки: высоковольтный, тиристор

...параллельной главной поверхности и являющейся серединой и-базового слоя 5. Главная поверхностьпересекает краевую конусообразную поверхность 3 под углом = 30-35При подаче обратного напряжения на структуру образуется слой объемного заряда по обе стороны заблокированного р-п-перехода, границы которого выходят на торцовую поверхность структуры. Если в объеме структуры максимальное значение блокируемого напряжения определяется шириной и-области и электрической прочностью полупроводникового материала, то на ее поверхности в месте выхода р-и-перехода вследствие резкого сужения ширЙгТираж 450," венного комитета по 113035, Иосква, Ж-З ГКНТ ССС Проиэводствен ательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 з 145 нц области...

Номер патента: 1785055

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Грехов, Костина

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор

...площади эмит. тера. Благодаря выполнению диэлектрического промежутка между эмиттером исильнолегированными участками 1,5 - 2,0мкм 3102) исключается пробой на границе, 50 кремния, обеспечивающего высокую (до 10 см ) концентрацию легирующей при 21 -3меси в полосе, в предлагаемой конструкции обеспечивается выключение приборов сдлиной эмиттерной полосы в 2-3 раза большей, чем у известных аналогов, Наличие диэлектрического промежутка между сильнолегированной полосой и подэмиттер-ной базовой областью увеличивает напряжение пробоя эмиттерного перехода и тем самым повышает эффективность выключеВыбор соотношения бЮо+ В/р приводит к "заливанию" сильнолегированных участков неравновесными носителями, инжектируемыми на этапе работы прибора во 5...

Номер патента: 1804667

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Кижаев, Львов, Пашков

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, фотонно-инжекционный

...в этом оптотранзисторе. Оп-. тический резонатор типа Фабри-Перо, образованный передним 12 и задним 13Э 1804667О перпор Фиг, 7 зеркалами обеспечивает положительную обратную связь в активной (слой 5) области светодиода.Фотонно-инжекционный тиристор - источник лазерного излучения с двумя оптот ранзисторами (фиг.2) представляет собой р -Р-Р.-М-п -р -Р-Р-М-и -структуру, где на + О О +подложке 1, например из р -ОаАв эпитаксиальным методом сформированы слои: РАО,з 5 Оао,кАв - 4, Р-АО,О 5 Оао,9 о 5 Ав - 5, 10 М-АО,з 5 Оао,о 5 Ав - 6, и -ОаАв - 2, р -ОаАв -3, Р-АО,з 5 Оао,65 Ав - 4 Р-АО,овОао.з 5 Ав - 5, МАО,з 5 Оао,65 Ав - 6, и -ОаАв - 7.Электроды тиристора имеют металлические контакты; катода - 8, анода - 9, управ ляющего электрода - 10,...