Способ создания омических контактов к кремнию

Номер патента: 118909

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Мельник

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, кремнием, металла, омического

...фазы в вакууме слой германия, который покрывают слоем металла контакта, например никелем,Создание омического контакта с кремнием осуществляется следующим образом,В вакууме порядка 10мм Нд на нагретый до 550 кремний, предварительно протравленный в смеси плавиковой и азотной кислот (1: 1),конденсируется испаряемый германий.Затем испарение прекращается и температура кремния повь сядо 700 - 750 и при этой температуре выдерживается 10 мин.Нагревание кремния осуществляется излучением от ленточлибденового нагревателя, помещенного над кремнием.После охлаждения и извлечения из вакуумной установки на полученный на кремнии слой германия гальванически наносится никель,В случае кремния р-типа для испарения применяются р-германийили же германий со...

Номер патента: 1589942

Опубликовано: 10.06.2000

Автор: Козлов

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта, омического, создания

Способ создания омического контакта, включающий размещение между кремниевой структурой со стороны n-типа и термокомпенсатором алюминиевой прокладки и сплавление, отличающийся тем, что, с целью уменьшения контактного сопротивления за счет создания прерывистого рекристаллизованного слоя p+-кремния и улучшения качества омического контакта, перед размещением алюминиевой прокладки осуществляют равномерное тиснение 10 - 50% ее площади.

Номер патента: 114593

Опубликовано: 01.01.1958

Автор: Белов

МПК: B22D 17/12, B22D 17/14

Метки: вакуума, давлением, литья, машинах, создания

...поясняется чертежом. На фиг. 1 показан разрез формы и камеры сжатия в момент создания в форме вакуума; на фиг. 2 - в момент прессования металла,Вакуум в полости 1 формы (фиг. 1), состоящей из неподвижной 2 половины и подвижной З,.создается путем откачки воздуха через литниковый канал 4, вакуумный канал, выполненный в виде наружн кольцевого канала 5 на нижнем поршне (пятке) 6, и вакуум-провод 7 соединенный с вакуум-насосом или с резервуаром, из которого непр рывно откачивается воздух.Машина работает следующим образом: после закрытия формы включается вакуум-насос, и из полости формы откачивается воздух до требуемого разряжения, В этот момент нижний поршень (пятка) б плотно прижимается с помощью гидравлического устройства к нижнему...

Номер патента: 1533567

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Маркин, Никулов, Рябов, Снегирев

МПК: H01L 21/223

Метки: контакта, омического

Способ получения омического контакта к полупроводниковой структуре, включающий эпитаксиальное наращивание приконтактного слоя из газовой фазы при пониженном давлении сильнолегированного бором слоя кремния и нанесения системы металлов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта путем снижения переходного сопротивления контакта, приконтактный слой формируют из газовой смеси, содержащей водород, диборан и кремнийсодержащий компонент при следующем соотношении реагентов, об.Кремнийсодержащий компонент (в пересчете на кремний) 0,05 1,0Диборан 0,0005 0,001Водород Остальноенаращивание проводят при 950 970oС, отключают нагрев и повышают давление водорода в реакторе до атмосферного не более, чем...

Номер патента: 698450

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Адольф, Вербицкий, Комар, Рыжиков

МПК: H01L 21/283

Метки: контакта, омического

...А 1(54)(57) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А - В и-типа путемЧнанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кисло. родсодержащей среде, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Поставленная цель достигается тем, что на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190 - 220 С в течение 3 - 4 мин,Наличие второго слоя металла обеспечивает в процессе термообработки необхо- О димые условия, при которых индий, СО находясь в жидкой фазе, активно диффунди- ф рует в...