H01L 21/30 — обработка полупроводников с использованием способов и устройств, не предусмотренных в

Номер патента: 10866

Опубликовано: 31.07.1929

Автор: Шишкин

МПК: H01L 21/30

Метки: бумаги, вместо, детекторах, контактных, кристаллов, предназначенной, приготовления, применения

...пропитывают насыщенныираствором сернокислой меди и во влаж-ном состоянии, подвергают действиюсероводорода, для. восстановления серно-,кислой меди в сернистую медь.,.Можно вести приготовление бумаги.:"и следующим образом: азотнокислоесеребро, фйанесенное на бумагу, восста навливают сероводородом в серйистое, серебро, на слойкоторого осаждают. гальванопластически тонкий слой меди,который затем,. при помощи сероводорода, превращают -в сернистую медь.Либо слой меди покрывают раствороисеры в сероуглероде и, по испаренииего,. нагревают бумагу Предмет патента.1 Способ приготовления .бумаги, предназначенной для применения вместо кристаллов в контактных детекторах; характеризующийся тем, что пергаментную бумагу покрывают раствором азотно-...

Номер патента: 834804

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Филь, Чигвинцева

МПК: H01L 21/30

Метки: излучения, интенсивности, кор-рекции, электромагнит-ного, элемента

...излучения через элемент коррекции,Согласно законам прохождения электромагнитного излучения через вещество интенсивность 1 излучения после834804 прохождения связана с толщиной х слоявещества следующим соотношением=;1 е где 3 - интенсивность излучения после прохождения слоя;.10 - интенсивность падающего на слой пучка; 1 - основание натурального логарифма; 3 - коэффициент ослабления ин где 6 - толщина поглощающего слоя;3 - максимальная интенсивностьэлектромагнитного излученияв зоне коррекции;- минимальная интенсивностьэлектромагнитного излучения в зоне коррекции; тогда -3 д ЗтРЯАд -мЛм-п -Юа: - Еп "3Отсюда следует, что толщина поглощающего слоя должна быть не меньше 6 Увеличение толщины поглощающего слоя свыше 6...

Номер патента: 845685

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Елагина, Кумаков, Роках

МПК: H01L 21/30

Метки: пленочных, состав, фоторезисторов

СОСТАВ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ФОТОРЕЗИСТОРОВ, содержащий сульфид кадмия и в качестве активаторов хлорид меди и хлорид кобальта, отличающийся тем, что, с целью получения фоторезисторов с вольтамперной характеристикой, сверхлинейной при низких напряжениях 0,5-3 В, он дополнительно содержит сульфид свинца при следующих соотношениях ингредиентов, мас.Сульфид кадмия 54-79Хлорид меди 10-20Хлорид кобальта 0,5-2Сульфид свинца 5-30

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...