Патенты с меткой «свч-транзисторов»

Номер патента: 451027

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Щербаков, Щербакова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, свч-транзисторов

...оказываются для режима большого сигнала недостаточно т целью повышения точности измеренеменно с подачей сигнала на вход стора на его выход подают вс ный сигнал, отличаюшийся по мплитуде от рабочего сигнала особ осушествляется след мерительного сигнала в выходной и вход-,ной СВЧ-цепях транзистора. При этомдля оЬеспечения высокой точности йзмерений мощность измерительного сигналаустанавливают такой величины, чтобы онсущественно не влиял на режим работытранзистора, задаваемый рабочим сигналом,а расстройку частот измерительного и ра,бочего сигналов выбирают минимальной,но достаточной для уверенного разрешенияизмерительного сигнала частотно - избирательной аппаратурой,На чертеже схематически показан одиниз вариантов осуществления...

Номер патента: 1238006

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Индык, Савин

МПК: G01R 31/26

Метки: входного, выходного, полных, свч-транзисторов, сопротивлений

...СВЧ-тракта, а выход 40транзистора - к перестраиваемому микрополосковому согласующему трансформатору 7 сопротивлений выходного.СВЧ-тракта и устанавливают требуемый режим работы, т.е. подают на транзистор 16 от источника П необходимые .напряжения питания через фильтр 18 нижних частот и входную мощность фик- З сированной частоты от СВЧ-генератора 1, уровень которой измеряют с помощью направленного ответвителя 3 падающей мощности и измерителя мощности. Затем добиваются режима двустороннего согласования транзистора, подбирая форму согласующих трансформаторов 6 и 7 путем нанесения кусочков фольги из пластичного металла (например, индия. или его сплавов) на 5 микрополосовую линию.Этаформа может быть произвольной,чтозначительно упрощает...

Номер патента: 1545864

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Дорогутин, Ильинский, Славинский, Филоненко

МПК: H01L 21/603

Метки: интегральных, микросхем, многокристальных, сборки, свч-транзисторов

...ПТШ и СВЧмощных кремниевых транзисторов в плоские металлокерамические корпусы на модернизированном полуавтомате УВП. П,-ЗОО. Отличительная особенность сборки - распределение кристаллов и плат в соответствии со схемой, совмещение схемы с инструментом (вакуумной матрицей) и последующее перенесение схемы к подложке,Сборку СВЧ многокристальных транзисторов производят по схемам прямого и обратного монтажа. В первом случае производят сборку кремниевого транзистора, имеющего 24 кристалла толщиной 30 мкм. Перед разделением пластины на кристаллы на ее контактной поверхности создают гетерокомпозицию из слоев золота и германия, Затем пластину режут алмазной пилой и кассетируют отбракованные кристаллы. Кассету с кристаллами устанавливают в сборочный...

Номер патента: 2002271

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Акчурин, Огнищев

МПК: G01R 31/26

Метки: быстродействия, свч-транзисторов, фотодетекторов

...излучения многочастотного лазера после его детектирования на быстродействующем фотодетекторе.Последовательность операций, необходимых для реализации данного способа в соответствии со схемой, показанной на фиг.1, выглядит следующим образом.Излучение многочастотного инжекционного полупроводникового лазера 1 с просветленной рабочей гранью, внешким перестраиваемым резонатором, содержащим микрообъектив 2, в фокусе которого находится активная область лазера, и юстируемое полупрозрачное зеркало или дифракционную решетку, светоделительной пластинкой 5 делится на двз пучка, один из которых используется для измерения оптического спектра излучения с помощью дифракционного монохроматора или эталона Фабри-Перо б, низкочастотного фотодетектора...

Номер патента: 1630564

Опубликовано: 20.10.1995

Авторы: Асессоров, Велигура

МПК: H01L 21/18

Метки: балластными, многоэмиттерных, мощных, резисторами, свч-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению...

Номер патента: 1649965

Опубликовано: 20.07.1996

Автор: Романов

МПК: H01L 21/331

Метки: биполярных, кремниевых, свч-транзисторов

Способ изготовления кремниевых биполярных СВЧ-транзисторов, включающий формирование на поверхности кремниевой подложки диэлектрической пленки, вскрытие окон под области базы и введение в них легирующей базовой примеси, вскрытие окна под область эмиттера и введение в нее легирующей эмиттерной примеси, нанесение диэлектрической кремнийсодержащей пленки, термообработку в окисляющей атмосфере, вскрытие контактных окон и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и надежности транзисторов за счет сглаживания рельефа поверхности структуры перед металлизацией, диэлектрическую кремнийсодержащую пленку наносят перед вскрытием окна под область эмиттера, термообработку в окисляющей атмосфере проводят до образования на...

Номер патента: 897048

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/331

Метки: свч-транзисторов

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.