Способ изготовления системы металлизации интегральных схем

Номер патента: 1099776

Опубликовано: 23.10.1990

Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин

МПК: H01L 21/3105

Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной

...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...

Номер патента: 1667529

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Красножон, Фролов, Хворов

МПК: G03F 7/26

Метки: маски, формирования, фоторезистивной

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНОЙ МАСКИ, включающий нанесение на подложку слоя фоторезиста, его селективное экспонирование, проявление, сушку, обработку в плазме ВЧ-разряда смеси фторсодержащего газа и кислорода и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения плазмостойкости маски, обработку в плазме осуществляют при содержании кислорода в смеси в количестве 20 - 40 об. % , давлении 60 - 100 Па и удельной мощности ВЧ-разряда 0,1 - 0,3 Вт/см2.

Номер патента: 1804223

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Беляева, Зыкова, Фролов

МПК: G03F 7/40

Метки: маски, упрочнения, фоторезистивной

...смеси, Нижний предел содержания ацетона в растворе обусловлен сохранением приемлемого времени обработки (не более 5 мин), верхний предел - стойкостью обрабатываемого фоторезиста к воздействию раствора (при содержании ацетона более 45 мас. происходит сильная эрозия ФРМ). Выбор ацетона в качестве реагента обусловлен его стойкостью к действию КМпОрастворимостью КМп 04 в ацетоне и растворимостью фоторезистов в ацетоне.Решений, характеризующихся признаками, сходными с признаками, отличающими заявляемое решение от протбтипа, не обнаружено, поэтому можно сделать вывод о новизне и существенности отличий заяв- "0 ляемого решения.П р и м е р 1. На кремниевых пластинах.покрытых пленкой алюминия толщиной 1 мкм, формировали ФРМ иэ фоторезиста...

Номер патента: 192052

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Колбасова, Плескова, Торжевска

МПК: C04B 41/88

Метки: керамических, металлизации, нанесения, отверстиях, слоя

...изобретенияб нанесения слоя металлизации в отх керамических изделий по авт. св.3, от,гичтощийся тем, что, с целью упя способа и повышения точности нацелоя металлизации, деталь после окустацавливают на пористую подложкч тер, из пористого корундового мате- по величине пористости которой опреголщицу слоя металлизации. 10 Спасо верстия17222 рощени сепия с нация у (наприх риала) дел яет рисосдпцецием заявкиВ авт, св.172223 описан способ цанесе. ция слоя металлизации на внутреннюю поверхность отверстий керамических изделий, заключающийся в том, что детали окунают в металлизирующую пасту с последующим отсосом избытка пасты цз огверстия с помощью вакуума.Отличие предлагаемого способа от известного состоит в том, что после окунания в раствор...

Номер патента: 1303989

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Макарычева, Смирнов, Чебунин

МПК: G03C 11/04

Метки: ретуширования, слоев, состав, фоторезистивных, фотошаблонов

...готовят следующим образом.В углеводородном растворителе (бензин марки БР) растворяют пара. фин, воск и бутилкаучук при их определенном соотношении. Используют892парафин ГОСТ 13577-71, воски - природный (пчелиный) и ископаемый (церезин) по ГОСТ 2488-74 марки 67, бутилкаучук по ТУ 38103-20-70 марки Аили по МРТУ 38-3 У 232-69 марки БК 1045.Полученную смесь тщательно перемешивают до получения однородной массы, Полученный ретуширующий составнаносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. Послеретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивногослоя вместе с решутирующим слоем контролируют полученные фотошаблоны наколичество дефектов типа прокол.В качестве заготовок фотошаблоновиспользуют стекла с...