Способ изготовления кмдп интегральных схем
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1669333
Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов
Описание
Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и энергией, такой, чтобы длина среднего проективного пробега ионов примеси n-типа удовлетворила условию
где - дисперсия пробега ионов n-типа, а имплантацию ионов примеси p-типа проводят после создания маски, но до ее травления с энергией ионов, такой, чтобы длина среднего проективного пробега ионов p-типа была не меньше толщины маски.
Заявка
4699750/25, 05.06.1989
Круковский В. Л, Чертов Г. С, Герасимчик Н. Н, Кречко М. М, Снитовский Ю. П, Воронин А. Д
МПК / Метки
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, кмдп, схем
Опубликовано: 20.03.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1669333-sposob-izgotovleniya-kmdp-integralnykh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ изготовления кмдп интегральных схем</a>
Предыдущий патент: Мощный свч-транзистор
Следующий патент: Способ изготовления свч-транзисторов
Случайный патент: Герметизирующий экран для прочно-плотных боксов приборов и устройств