Патенты с меткой «микросхема»

Номер патента: 309459

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Баранов, Морозов, Рувинский

МПК: H03K 17/687

Метки: б1ьл, л1ч, мдп-интегральная, микросхема, пс-союзная

...указанного недостатка, т. е. в повышении логической мощности МДП-интегральной микросхемы,Для достижения этой цели в МДП-интегральную микросхему вводят дополнительный 20каскад на двух полевых МДП-транзисторах, вкотором исток и затвор одного из транзисторов соединены с выходом водного элемента,затвор другого транзистора через инверторсоединен со входом входного элемента, па который поступает тактирующий сигнал, его исток заземлен, причем стоки обоих транзисторов соединены с выходом входного элемента.На чертеже изображена МДП-интегральнаямикросхема. 30 МДП-интегральная микросхема содержит логический элемент 1, т. е. схему, реализующую некоторую логическую функцию, на выходе которой установлен дополнительный каскад на полевых...

Номер патента: 339070

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Германска, Иностранец, Иностранное

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, микросхема

...значительноувеличивает общее число годных функциональных областей. Для изготовления этой интегральной схемы используются только известные технологические операции, Кроме того,15 используются обе годные функциональные области одного элемента пластины прп монтажев один общий корпус. ипя,Предмет изо Иц микполупроводниковойтем, что, с целью повгодных микросхем, фразмещены на обеихпротив друга,Изобретение относится к,полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления интегральных схем различного назначения.Известны интегральные твердые схемы, выполненные с обеих сторон полупроводниковой пластины, причем каждая функциональная область с одной стороны пластины находится между двумя функциональными областями с другой стороны....

Номер патента: 362520

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Иванов, Кан

МПК: H05K 7/02

Метки: микросхема, толстопленочная

...окна, приходящиеся на зону выводов, в результате средняя лента представляет собой цепь металлических подложек, короткой стороной направленных вдоль ленты, отстоящих одна от другой несколько более, чем на удвоенную длину выводов микросхемы (на ширину технологической перемычки), и связанных между собой боковыми перемычками, ширина которых равна ширине зоны боковой перфорации двух других лент. Боковые перемычки и зоны боковой перфорации относятся к технологическому362520 2 полю и отсекаются на завершающем этапе отделения готовых микросхем.Ленту с окнами предварительно эмалируют с обеих сторон, кроме перемычек, а затем на нее сверху и снизу накладывают перфориро ванные ленты. Вид перфорации выбирают в соответствии с заданной электрической...

Номер патента: 365869

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H05K 5/06

Метки: микросхема

...шкале в зависимости от заданных требований. В частности, для терморезисторов типа СТ 6 - 5 Б область резкого увеличения сопротивления лежит в диапазоне 70 - 90 С,При подаче на терморезистор 2 (позистор) фиксированного напряжения он выполняет функции саморегулирующего нагревательного элемента. Под действием приложенного напряжения терморезистор 2 (позистор) нагревается до температуры, соответствующей приблизительно точке сегнетоэлектрического фазового перехода - точке излома характеристики. При достижении температуры перехода сопротивление позистора резко повышается, и рассеиваемая мощность падает до незначительной величины,При изменении температуры окружающей среды устанавливается термодинамическое равновесие между мощностью,...

Номер патента: 470249

Опубликовано: 05.08.1976

Авторы: Смолько, Чиковани

МПК: H05K 3/00

Метки: микросхема

...что позволяет производить ГИС для устройств, работающих в условиях сильных вибрационных и ударных нагрузок, значительно упрощает технологии и обеспечивает высокую мощность рассеивания тепла,Микросхема приведена на чергеже.Подложка 1 может быгь выполнена, например, из листового алюминия толщинойпорядка 0,5-3,0 мм, оптимально 0,5-1,5 мм,с зеркальной поверхностью (12-14 классчистоты), верхняя поверхность которогопокрыта вакуумплотиой диэлектрической анодО ной окисиой пленкой 2 толщиной не менее10 мкм. На планке сформирована известным путемпассивная микросхема, содержащая ковденса гор, состоящий из нижнего электрода 3, диэлектрика 4 и верхнего электрода 5, резисторы 6, конденсатор 7, транзистор 8, контактные площадки 9 и токоведущие...

Номер патента: 546240

Опубликовано: 25.09.1978

Авторы: Васильев, Смолько, Чиковани

МПК: H01L 23/54

Метки: микросхема

...остнои свя еньше ой оведущи еталлическои и ми окис. чтобы в душих ктными площадк жками и конт пленку можно вать так, к и токов ла толще,формиролощадо нка бь ную мест ем онтактных окисная пл ист 1 полируют и поиз его поверхностейстным способом окисне менее 12 мкм с з миниевын на одной бым изв олщиной рой. доро шей ме мируют лпленку 2 ои текстуНа Ми 25 ча олняют копленочных микросхем,Известна микросхема по авт,св. Иф 470249,содержащая металлическую подложку, актиэлементы, резисторы и конденсаторы, причем все элементы сформированы непосредственно на анодной окисной пленке, а в качестве одной из обкладок конденсаторов использована металлическая подложка (11.Однако известная микросхема недостаточнонадежна и долговечна,Цель изобретения -...

Номер патента: 938410

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Бушуев, Шагурин

МПК: H03K 19/091

Метки: интегральная, микропроцессора, микросхема

...(У, У;) каждая группа которых управляет работой соответствующего 1-го узла оперативныхблоков 3. Для узлов оперативных блоков 3, не участвующих в выполненииданной команды, все управляющие сиги нналы имеют значение логического 0(низкий потенциал нземли"): (у,У)=00 При поступлении тактового сигнала С значения всех управляющих сигналов У записываются в со-.ответствующие разряды операционногорегистра 2, и хранятся там в течение всего цикла обработки информации,Управляющие сигналы У с выходов операционного регистра 2 поступают науправляющие входы узлов оперативныхблоков 3, которые в соответствии сэтими сигналами производят необходимые операции для выполнения данной команды. При этом на управляющие входы микропроцессора поступает новая (...

Номер патента: 1040983

Опубликовано: 23.05.1989

Авторы: Базжин, Фридман

МПК: H01L 23/02

Метки: гибридная, интегральная, микросхема

...а элементы межслойной коммутации выполнены в виДе слоевприпоя, расположенных на контактных площадках. рическое основание, слои пассивныхэлементов, разделяющие их слои диэлектрика, элементы межслойной коммутации и навесные активные элементы.Недостатком известной конструкцииявляется низкая надежность схемЫ,обусловленная высокими значениями-температурных коэффициентов сопротивления (ТКС) и плохой временнойстабильностью пассивных элементов,а также нарушением элементов межслойной коммутации в виде молибденовыхстолбиков из-за коробления и усадкикерамических подложек в процессетермических операций,Цель изобретения - повышение надежности гибридных интегральных микросхем,Цель достигается тем, что в гибвключающей диэлектрическ ое осн ов ание,...

Номер патента: 1554150

Опубликовано: 30.03.1990

Авторы: Ботнарь, Гречнев

МПК: H01L 23/04, H05K 7/00

Метки: интегральная, микросхема

...кристалла и корпуса, повышаетэксплуатационную надежность ИИС вусловиях механических воздействийза счет сужения диапазона резонансных частот выводов. При этом уменьшение длины диагональных выводовобеспечивает смещение границы диапазона вверх. Испытания показали, что для ИМС с золотыми проволочными выводами нижняя граница диапазона может быть смещена вверх на несколько килогерцПовышение технологичности конструкции корпуса И 11 С определяется обеспечением наиболее благоприятных условий для автоматизированной разварки выводов, Сокращаются ошибки прзиционирования и техпотери в зависимости от оборудования на 0-457., сроки технологической подготовки производства и затраты на усложнение сварного оборудования.Форма монтажной площадки в виде...

Номер патента: 1583995

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/28

Метки: интегральная, микросхема

...выводов металлической рамки.Контактные площадки верхней поверхности соединяют через межслойные металлизировачные переходы с контактными площадками нижней поверхности, предназначенными для припайки выводов,Кристаллодержатель может быть выполнен из оксидированного алюминия с метал- лизированной разводкой на его поверхности.Положительный эфект от использования изобретения достигается за счет упрощения сборки конструкции, так как отпадает необходимость в прецизионной сборке и установке выводной рамки и кристалла.Кроме этого, происходит улучшение отвода тепла от кристалла за счет того, что кристаллодержатель обладает хорошей теплопроводностью и тепло передается во внешнюю среду (в том числе к печатной плате) через металлические выводы,...

Номер патента: 1597874

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Анисимов, Исаков, Капитонов, Соколов, Ясюкевич

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральная, микросхема, постоянного, стабилизатора

...компаратор 19 находится в первом устойчивом состоянии, т.е. на выходе 21 компаратора 19 устанавливается высокий потенциал, а на выходе 20 - низкий. Такое состояние компаратора 19 обеспечивает пребывание транзистора 17 в линейной области своей выходной характеристики и отсечку транзистора 16. При этом на затворе транзистора 3 появляется опорное напряжение положительной полярности, На выводе 11 появляется требуемое выходное напряжение одноименной полярности, Для получения стабилизатора напряжения отрицательной полярности выводы 10 и 11 микросхемы подключаются к отрицательной шине питания, вывод 9 - к общей (положительной шине питания, а вывод 23 - к нагрузке, В этом случае компаратор 19 изменяет свои выходные напряжения так, что на...

Номер патента: 1615691

Опубликовано: 23.12.1990

Авторы: Андриевский, Исаков, Капитонов, Карелин, Соколов, Ясюкевич

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральная, микросхема, постоянного, стабилизатора

...в.первом устойчивомсостоянии, т.е, на первом выходе компаратора 25 устанавливается низкийпотенциал, а на втором выходе - высокий, Такое состояние компаратораобеспечивает насыщение транзисторов21 и 19 и отсечку транзисторов 14 и13,Для создания стабилизатора напряжения отрицательной полярности выводы 11 и 27 подключаются к.источникуотрицательного напряжения, выводы 29и 12 - к общей шине, а выводы 26 и27 соединяются между собой и с выходной шиной для подключения нагрузки,В этом случае компаратор 25 изменяетуровни своих выходных напряжений напротивоположные. При этом включаютсятранзисторы 13 и 14 и выключаютсятранзисторы 19 и 21,Микросхема работает следующим об 1 азом,В режиме формирования положительного напряжения усилитель сигнала...

Номер патента: 1691890

Опубликовано: 15.11.1991

Авторы: Беккер, Заколдаев, Фомин, Фролов

МПК: G11C 13/00

Метки: микросхема, памяти

...4/5 Производственно-иэдательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в технологии изготовления микросхем памяти с защитой от а-излучения.Целью изобретения является повышение надежности функционирования микросхемы памяти,На чертеже представлена конструкция микросхемы, разрез,Микросхема памяти содержит корпус 1, контактные выводы 2, полупроводниковый кристалл 3 с контактными площадками 4, соединительные проводники 5, крышку 6, уплотнительное кольцо 7, слой 8 кремний- органического соединения.В процессе работы микросхемы а-частицы, испускаемые материалами корпусаи внешними источниками излучения, поглощаются кремнийорганическим слоем 8 и не попадают на...

Номер патента: 1725256

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Беккер, Волков, Маслов, Приходько, Шлыков

МПК: G11C 11/40

Метки: микросхема

...такой микросхемы выделяемая теплота концентрируется между полупроводниковым кристаллом и крышкой корпуса, что вызывает дальнейший разогрев кристалла и приводит к снижению надежности.Цель изобретения - повышение термостойкости микросхемы.Поставленная цель достигается тем, что в микросхеме памяти, содержащей керамическое основание корпуса, контактные выводы, закрепленные в керамическом основании корпуса, полупроводниковый кристалл, слой эвтектики, расположенный на поверхности керамического основания корпуса, полупроводниковый кристалл, расположенный на слое эвтектики, крышку корпуса, прикрепленную к керамическому основанию корпуса по его периметру над полупроводниковым кристаллом, внутренняя поверхность крышки содержит поглощающий слой...

Номер патента: 1725294

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Проценко, Розе, Сергеев

МПК: H01L 23/34

Метки: интегральная, корпусе, матричном, микросхема

...в центреподложки, полупроводниковый кристалл,соединения его со схемой межсоединений и слой отвержденного герметика.Однако в указанных схемах не предусмотрена возможность получения корпуса интегральной микросхемы в од 40ном пакете совместно с теплоотводом,площадь внешней части которого выбрана равной площади монтажных слоев,На фиг.1 представлены составныечасти пакета; на фиг, 2 - интеграль 4ная микросхема в матричном корпусе всборе, разрез,Интегральная микросхема содержитплоский теплоотвод 1 (фиг.1) иэ ме 50 таллицеского, например медного илиалюминиевого, листа с матричной сеткой отверстий 2, диаметр которыхвыбран превышаюшимдиаметр металлизированных отверстий. 3 (фиг,2) под55штырьковые выводы 4, монтажные слои5 фиг.1) с рисунком...

Номер патента: 1749954

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Сидоров, Соха

МПК: H01L 23/48, H01L 25/00, H01L 27/00 ...

Метки: микросхема

...на расстояние не менее 0,1 мм ат термоизолированной платы обеспечивает тепловое сопротивление более 4 50000 к/Вт, что практически не оказывает шунтирующега теплового воздействия на термоизолированную плату 1.Микросхема совместима с гибридной технологией, поэтому с точки зрения технико-эканамической целесообразности возможен вариант реализации всей алектаической схемы в виде гибридной интегральной схемы, компоненты катоаай, реализующие вторичный преобразователь, размещены вне линии обрыва на фиг.1 и 2 на общей, например, паликаравой изотермической плате 9, Расстояниеопределяется из соотношения где Л - теплоправодность диэлектрической платы 8;Я - площадь поперечного сечения диэлектрической платы 8, в направлении рассматриваемого...

Номер патента: 1772794

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Исаков, Попов, Соколов, Ясюкович

МПК: G05F 1/56

Метки: интегральная, микросхема, постоянного, стабилизатора

...качестве стабилизаторов как положительной, так и отрицательной полярности. Наиболее близким по технической сущ ности к заявляемому обьекту является ста билизатор постоянного напряжения описанный, который и рассматривается в качестве прототипа,вои биполярпервые усили, стабилитрон ченный между свого транзиделителя наертирующимгнала рассогвход которо- ения первого адов резистоого стабилитшине, выход согласования нзистора.1772794 Составитель А.Попов Техред М,Моргентал орректор Н.Слободяник Редактор Тираж Подписноевенного комитета по изобретениям и открытиям при ГУНТ ССС 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Заказ 3846 ВНИИПИ Госуд ственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 10 ои силовой биполярный транзистор, резистор и...

Номер патента: 1778822

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/38

Метки: бескорпусная, интегральная, микросхема

...на активных элементах и выводится вновь на внешние выводы 4. Надежность обработки обеспечивается нали- а чием герметично присоединенного к кристаллу 1 второго элемента защиты 5,Выполнение вакуумноплотной защиты поверхности кристалла с активными прибо рами с помощью крышки, припаянной к кристаллу, дает бескорпусной интегральной микросхеме рад преимуществ, а именно;- отпадает необходимость применения корпуса; о и ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИПРИ ГКНТ СССР(57) Использование:во сверхминиатюриэ Изобретениенике и может бы1 зданиисверхминиатюрисхемЦелью изобретения является повышение надежности,Бескорпусная интегральная схема представлена на чертеже, Она содержит полупроводниковый кристалл 1 с. активными элементами,...

Номер патента: 1026609

Опубликовано: 30.06.1993

Авторы: Вето, Скрылев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, микросхема, связью, фоточувствительная

...регистром, элекреноса и соответствующими точками.ментов электродами переноса, причем каждый ряд фоточувствительных элементов, сдвиговый регистр и электрод переноса соединены с соответствующимиим общими точками, дополнительно содержит сопротивления включенные по одному между каждыми рядами фоточувствительных элементов, сдвиговым регистром, электродом переноса и соответствующими им общими точками,Такое расположение ограничительных сопротивлений повышает надежность ФСЗС, так как она продолжает функцио нировать при отказе любого иэ элементов, соединяющихся в общие точки через ограничительные сопротивления.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного ФСЗС.Предложенный ФСЗС содержит четыре ряда фоточувствительных...

Номер патента: 1565338

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Белов, Веселова, Киселев, Пересветов, Прокофьев, Степанова

МПК: H05K 3/12

Метки: микросхема, многослойная

МНОГОСЛОЙНАЯ МИКРОСХЕМА, содержащая подложку с нанесенными на нее проводниками первого уровня, межслойную изоляцию, в которой один слой выполнен из фоторезиста, а другой - из диэлектрической пасты, содержащей связующее, и проводники второго уровня с межслойными переходами к проводникам первого уровня, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности микросхемы за счет исключения коротких замыканий, слой фоторезиста выполнен толщиной 0,9 - 1,1 мкм и расположен на подложке с проводниками первого уровня, а в качестве связующего диэлектрической пасты использована смесь фенолформальдегидной и эпоксидной смол, причем толщина слоя пасты составляет 20 - 25 мкм.

Номер патента: 1263148

Опубликовано: 10.04.1996

Авторы: Костенко, Шумильский

МПК: H01L 23/26

Метки: интегральная, микросхема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлической лентой, жестко соединен с большей стороной этой ленты, причем криволинейные участки С-образной металлической ленты выполнены биметаллическими.

Номер патента: 1294240

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Марков, Перфилов, Хатунцев

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, матричная, микросхема, связью, фоточувствительная

Матричная фоточувствительная микросхема с зарядовой связью с планарным размещением выводом, выполненная на полупроводниковой подложке и содержащая активную область и пассивные области с высоколегированными слоями на рабочей и тыльной поверхностях подложки, отличающаяся тем, что, с целью повышения частотного предела работы фоточувствительной матрицы, площадь высоколегированного слоя на рабочей поверхности равна площади активной области.

Номер патента: 1822298

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Белицкий, Дулинец, Калошкин, Колешко, Красницкий, Малышев, Турцевич

МПК: H01L 21/18

Метки: интегральная, металлизацией, микросхема, тонкопленочной

1. Интегральная микросхема с тонкопленочной металлизацией, содержащая кремниевую подложку с расположенными в ней активными и пассивными элементами, диэлектрический слой со сформированными в нем контактными окнами и созданным первым слоем тонкопленочной металлизации, расположенным на диэлектрическом слое и в контактных окнах, вторым слоем металлизации на основе алюминия или его сплавов, расположенным над первым, отличающаяся тем, что, с целью увеличения степени интеграции ИМС за счет уменьшения вертикальных размеров элементов, первый слой тонкопленочной металлизации выполнен толщиной от 15 до 100 нм из заэвтектической смеси кремния с алюминием при содержании кремния от 11,8 до 60...

Номер патента: 1480685

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Костюков, Манагаров, Огородников, Турилина

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, микросхема

Интегральная микросхема, содержащая полупроводниковую подложку, элементы защиты от статического электричества, соединенные с контактными площадками управляющих элементов интегральной схемы, термодатчик, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного сигнала, она дополнительно содержит полупроводниковую переходную пластину, при этом элементы защиты и термодатчик размещены на переходной пластине, а подложка отделена от переходной пластины слоем диэлектрика.