Способ создания металлизации свч-транзисторов

Номер патента: 782616

Авторы: Данилов, Снитовский

ZIP архив

Описание

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6 исходной толщины слоя.

Заявка

2787508/25, 20.06.1979

Снитовский Ю. П, Данилов В. Ф

МПК / Метки

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Опубликовано: 20.03.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-782616-sposob-sozdaniya-metallizacii-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания металлизации свч-транзисторов</a>

Похожие патенты