Способ создания металлизации свч-транзисторов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 782616
Авторы: Данилов, Снитовский
Описание
Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6 исходной толщины слоя.
Заявка
2787508/25, 20.06.1979
Снитовский Ю. П, Данилов В. Ф
МПК / Метки
МПК: H01L 21/30
Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания
Опубликовано: 20.03.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-782616-sposob-sozdaniya-metallizacii-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания металлизации свч-транзисторов</a>
Предыдущий патент: Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния
Следующий патент: Способ формирования омических контактов к кремнию
Случайный патент: Способ получения фосфорсодержащегоокисного носителя для металлокомплек-сных катализаторов