Способ изготовления транзисторов

Номер патента: 1702825

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Зенин, Колычев

МПК: H01L 21/60

Метки: полупроводниковых, приборов

...слоя и вцтравленйых канологического процесса разделения навок путем термического оксидирования пластин кристаллы(ширина реза), ориенти- многоступенчатым способом создают слой руясь на наличие минимального зазора 15 30 толщиной 1,5-2 мкм, например 1,7 мкм, между изоляцией кармана и краем кристал- Затем на всю окисленную поверхность плала 12 мкм. Минимизация этого размера свя- стины наращивают слой 1 поликристалличезана экономией площади пластины ского кремния, толщиной 200-250 мкм, в (возможно большим сьемом кристаллов с результате чего всеканавкиполностьюзапластины), максимально возможное рассто растают. На презиционном станке часть пояние между краем кристалла и изоляцией ликремния сошлифовывают, обеспечивая кармана (при...

Номер патента: 125003

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Альтман, Валакина, Мемелов, Никифоров, Сентюрихина

МПК: C23C 20/06, C23C 24/08

Метки: дисульфида, износостойкости, металлокерамических, молибдена, нанесения, пленки, поверхность, повышения, путем

...СПЕКЗ:1 см и;.При иЗГОтОВ.1 е 11 ии дсталей узс 10 В тре)и 51, нс 1 прмер зкл 2 дь 1:сй, ВтусОк, ск 2 реЙ 11 т. и., методом:1 Орошковой мет 1 лл) рГ;1 и 112 влс)11) Ь 1 ПРЕСС-ФОРМЫ, фОР.ИРУ 10 ШИЕ РЗОО 1 УЮ ПОВЕРКНОСТЬ ИЗДСЛИЯ, ПС;)СД ЗЗСЬП кОЙ пресс-порошка, нанос 51 т слОЙ ч 1 стОГО д;1 сулье 1)ида молОде 12. 1 н)- Всркности пресс-формы должн ь Оь:ть полированными, В п 1)оцсссс прес. соВания дисульфид молиодена, нанссеный н 2 поверкность пресс.формы, и пресс-порошок, Засыпанныи В полость матриць 1, и Ооч 110 сосди И)- ются между сооой, образуя антифрикционный слой на соотзетству:о. шеЙ поверхности изделия, Дальней 1 пая Опср 2 ция спскания уВелич)1 з 1 ст прочность сцепления пленки д.сульфида молибдена с основным матери. алом.,),ТИК...

Номер патента: 683397

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузии, золотом, источник, кремния, легирования, одновременного

...кварцевые подложки 1 и 2 наносят борный ангидрид. После отжига в аргоне при 940 С в течение 2 ч происходит стекло образование, в результате чего на подложках образуются слои 3 боросиликатного стекла. На боросиликатные слои 3 наносят слои 4 золота при давлении 5 10 мм рт.ст, 5 в течение 20-25 с.Расстояние от испарителя до подложки70 мм, навеска золота весит 40 мг, Толщинанапыленных слоев золота составляет 0,05- 0,1 мм, После напыления золота подложку 10 отжигают в течение 20 мин при 940 С. Легирование ведут в открытой кварцевой трубе 5 в потоке аргона.Температура диффузии 940 + 1 С, время легирования 20 - 40 мин, Расход аргона 40 - 50 л/ч при диаметре трубы 58 мм, Пластины 6 кремния со вскрытыми окнами под базовое легирование...

Номер патента: 1326119

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Шкляев

МПК: H01L 21/31

Метки: кремния, оксида, пленок

...с давлением остаточных газов - 10 Па. В качестве источника Б).О используют пластины кремфния с,ориентацией поверхности (100),удельным сопротивлением .1 Омсм иразмерами 20 50,6 мм. Пластины устанавливают в танталовые зажимыи нагревают пропусканием тока. Напротивпластин на расстоянии 120 мм на одномиэ электродов устанавливают подложку.Осаждение пленок прОводят при температуре подложки 300-350 К, Кислороднапускают в реакционную камеру с помощью, вентиля-натекателя, содержаниепримесей в нем менее 13, ПроводятОсаждение пленки в следующем режиме:мощность высокочастотного разряда И=2= 4 Па. Пленка растет со скоростью:86 А/мин.П р и м е р 2. Осаждают пленкив режиме Ч = О,З,Вт/смф Т = 1550 Кк Р = 1 15 Па, Скорость ростапленки .40 А/мин.П р.и...

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...