Снитовский

Номер патента: 1176728

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Готлиб, Гурский, Зеленин, Снитовский

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий нанесение на две стеклянные подложки групп прозрачных токопроводящих областей, контактных площадок и внешних электродов, нанесение поверх них защитного диэлектрического слоя двуокиси кремния, разделение подложек на пластины, нанесение на пластины слоя, задающего ориентацию жидкого кристалла, соединение пластин попарно по периметру герметизирующим веществом, удаление участков диэлектрического слоя с внешних электродов путем травления в кислородсодержащей плазме, заливку жидкого кристалла в пространство между пластинами, герметизацию и создание контакта между внешними электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1294144

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Готлиб, Гурский, Зеленин, Снитовский, Тарасевич

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, включающий формирование на одной подложке прозрачных токопроводящих электродов, а на другой прозрачных сплошных областей токопроводящих электродов, разделение подложек на сегментные и общие пластины, нанесение на каждую пластину ориентирующего слоя, соединение пластин, заполнение полости между ними жидким кристаллом, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных индикаторов и улучшения качества изображения, прозрачные токопроводящие сегментированные электроды формируют катодно-реактивным напылением пленки In 2O3SnO2, толщиной 0,1-0,12 мкм, в кислородно-аргонной плазме с последующей ее...

Номер патента: 1471870

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Готлиб, Гурский, Зеленин, Силич, Снитовский

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллического, индикатора, сборки

Способ сборки жидкокристаллического индикатора, включающий нанесение по периметру общей пластины склеивающей термореактивной полимерной прокладки на основе эпоксидноноволачного блоксополимера, в который введены распорные элементы, размещение на общем электроде припойного материала переходного контакта, совмещение рисунков электродов общей и сегментной пластин и соединение пластин склеивающей прокладкой под действием температуры и давления 45-100 кПа, отличающийся тем, что, с целью повышения герметичности и снижения сопротивления переходного контакта при соединении пластин, их нагревают до температуры плавления прокладки, как минимум одной из них сообщают вынужденные ультразвуковые...

Номер патента: 1321261

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Готлиб, Гурский, Зеленин, Снитовский

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на две стеклянные подложки последовательно наносят электропроводящее покрытие, содержащее группы прозрачных областей, контактные площадки и внешние электроды, и защитный диэлектрический слой двуокиси кремния, удаляют участки диэлектрического слоя с внешних электродов ионно-химическим травлением в скрещенных электрическом и магнитном полях, разделяют подложки на пластины, наносят на пластины ориентирующий жидкий кристаллический слой, соединяют пластины попарно путем установки по периметру между ними прокладки, герметизируют их по периметру, заливают жидкий кристалл в пространство между пластинами через...

Номер патента: 1426279

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Готлиб, Гурский, Зеленин, Снитовский

МПК: G02F 1/13

Метки: жидкокристаллических, индикаторов

1. Способ изготовления жидкокристаллических индикаторов, заключающийся в том, что на стеклянных пластинах формируют прозрачные токопроводящие электроды, наносят поверх электродов ориентирующий слой из органической пленки, соединяют пластины попарно по периметру, заполняют образованную между пластинами полость жидким кристаллом, герметизируют отверстия и образуют неуправляемые знаки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества изображения путем выполнения неуправляемых знаков в одной плоскости с синтезируемыми, неуправляемые знаки образуют до соединения пластин местным нагревом по крайней мере одной из стеклянных пластин со сформированным на ней ориентирующим слоем.2. Способ...

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.

Номер патента: 1688743

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Пилипенко, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, создания

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Гурский, Костенко, Румак, Сергеев, Снитовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...

Номер патента: 1292628

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, формирования

Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...

Номер патента: 1786963

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/22

Метки: нанесения, подложку, покрытия, полиимидного

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.

Номер патента: 1828333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Матюшевский, Снитовский

МПК: H01L 21/33

Метки: транзисторов

Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кремниевую подложку через пленку термического оксида и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси, легирование эмиттерных областей, диффузионный отжиг эмиттерной примеси, вскрытие контактных окон и создание разводки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения...

Номер патента: 818372

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Номер патента: 897048

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/331

Метки: свч-транзисторов

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.

Номер патента: 1669333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, кмдп, схем

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и...

Номер патента: 683402

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Портнов, Снитовский

МПК: H01L 29/70

Метки: мощный, свч-транзистор

Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кристаллографическому направлению <110>.

Номер патента: 1662298

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Зеленин, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, границе, локальных, механических, напряжений, образцов, приготовления, раздела

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.

Номер патента: 1757395

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: пленке, полиимидной, рисунка, формирования

Способ формирования рисунка в полиимидной пленке, включающий нанесение на полупроводниковую подложку пленки полиамидной смолы, обработку участков пленки и травление не обработанных участков пленки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет исключения фотолитографии, обработку проводят путем одновременного фотонного облучения дозой не менее 0,6 МДж·м-2 при мощности потока излучения (0,01-2,0) МДж·с-1 ·м-2 и нагрева подложки до температуры не менее 80°С.

Номер патента: 1709864

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Баранов, Воробьев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF3 вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%: Четырехфтористый углерод

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.