Калиновченко
Способ изготовления свч-транзисторов
Номер патента: 897048
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский
МПК: H01L 21/331
Метки: свч-транзисторов
Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.