Способ создания металлизации свч-транзисторов

Номер патента: 1069571

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

ZIP архив

Описание

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.

Заявка

3439333/25, 14.05.1982

Физико-технический институт АН БССР

Гурский Л. И, Заико А. Ф, Румак Н. В, Снитовский Ю. П, Тарасевич А. И

МПК / Метки

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Опубликовано: 10.05.2012

Код ссылки

<a href="https://patents.su/1-1069571-sposob-sozdaniya-metallizacii-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания металлизации свч-транзисторов</a>

Похожие патенты