Способ создания металлизации свч-транзисторов

Номер патента: 1196699

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Дементьев, Дьякова, Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 7/01

Метки: перехода, температуры, транзистора

...устройства,обеспечивающий уменьшение мощности рассеяния на коллекторе транзистора 5 (фиг.2)дополнительно содержит резистивный делительна резисторах 12 и 13, включенный междуклеммами 2 и 4, и второй дополнительныйтранзистор 14, включенный между коллекрами транзисторов 1 и 5. дополнительного гранэисгора подключен к кол.лекгору измеряемого транзистора через второйдополнительный транзистор, база которогоподключена к средней точке делителя,а змиттер и коллектор соединенысоответственно,с коллекторами первого дополнительного и измеряемого трап.зисторов. Устройство работает следующим образом.При работе транзистора 1, например, в выходном каскаде усилителя низкой частоты, напряжение на его эмиттере равно а напряжение на эмиттере транзистора 5...

Номер патента: 1317292

Опубликовано: 15.06.1987

Авторы: Дементьев, Дьякова, Лихницкий, Сухоручкин

МПК: G01K 7/01

Метки: перехода, температуры, транзистора

...перехода транзистора 5 не повышается из-за малой рассеиваемой мощносги на его коллекторе, В оезультате наблюдается рассогласование входных характеристик выходного транзистора и транзистора 5, Причем в периоды времени, соответствующие активному режиму работы тран 1317292Кроме того, напряжение с выхода пикового детектора 19 поступает на управляющий вход регулируемого источника напряжения 22,.изменяя величину выходного напряжения этого источника, которое, в свою очередь,55 зисторов 1 и 5, между их эмиттерами возникает напряжение, величина которого в основном пропорциональна температуре перехода транзистора 1. Разность напряжений между эмиттерами транзисторов 1 и 5 усиливается дифференциальным усилителем 7 и далее подается на сигнальный...

Номер патента: 263390

Опубликовано: 01.01.1970

Авторы: Криштафович, Михалев, Остапенко, Павловский, Пархоменко, Погоржельский, Татарников

МПК: B23D 63/20

Метки: закалки, зубьев, нагрева, разводки

...наось 2 каретки 8, которая может перемещаться по направляющим станины 4 при помощи 5 винта 5 и гайки б. Установленный для гибкии закалки зубьев диск подводится механизмом подачи к разводной головке, при эгом 1 толотно диска наполовину глубины зуба загодится в зев головки гибочным сухарем 7, вра щающимся в корпусах ее подшипников 8, азуб диска сцепляется с зубом втулки 9,Диск приводится во вращение электродвигателем 10 через редукторы 11 и 12 и зуоча тую втулку 9, закрепленную на вертикальномвалу 18. После поворота диска на шаг зуба кулачок 14 с помощью переключателя 15 отключает электродвигатель 10 и включает электродвигатель 1 б, который приводит в 20 движение гибочный сухарь с помощью цнл;ндрического редуктора 17 и...

Номер патента: 585391

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Асцатуров, Калинин, Портнов

МПК: F27B 9/40

Метки: безокислительного, металла, нагрева, печах, температуры

...113035 Л 1 осква Ж, Раушски наб и, 4/5филиал" гтент и. Уж о 1 оп, уи. о итиии,3ит иьпого механизма и регулятора давленияедостатком такого способа являетсясложность системы регулирования темперагуры рабочего пространства печи и невозможность обеспечения заданного составазащитной атмосферы продуктов неполногогорения при холостом ходе печи.Иелью изобретения является упрощениерегулирования и повышение стабильности 10состава продуктов неполного гоггения.Это достигается тем, что изменениерасхода воздуха на дожигание осушествпыотпуте: перераспределения количества воздуха, подаваемого на каждую стадию дожигания 15в зависимости от отклонения, температуры врабочем пространстве, при постоянном сумарном его расходе, постоянном расходе газаи...

Номер патента: 1031293

Опубликовано: 30.12.1983

Авторы: Галяутдинов, Саинов, Хайбуллин, Штырков

МПК: G01J 5/50

Метки: импульсном, кристалла, нагреве, температуры

...воспроизнодимость измеряемой температуры, Цель изобретения - повышение точности и быстродействия способа.Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температуры кристалла при импульсном нагреве путем регистрации изменения температурно-зависимого параметра кристалла под действием импульсного нагрева и сравнения с зависимостью изменения этого параметра при непрерывном нагреве 5 10 кристалл облучают пучком электронов с энергией 30 в 1 кэВ и регистрируют изменение интенсивности одного из рефлексов элект 15 ронно-дифракционной картины наотражение.На Фиг, 1 дана схема устройствадля реализации предлагаемого способа, на фиг, 2 приведен график зависимости интенсивности рефлексаб 20 от температуры для монокристалла кр":мния на...