Способ создания металлизации свч-транзисторов
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1069571
Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич
Описание
Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.
Заявка
3439333/25, 14.05.1982
Физико-технический институт АН БССР
Гурский Л. И, Заико А. Ф, Румак Н. В, Снитовский Ю. П, Тарасевич А. И
МПК / Метки
МПК: H01L 21/28
Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания
Опубликовано: 10.05.2012
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-1069571-sposob-sozdaniya-metallizacii-svch-tranzistorov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ создания металлизации свч-транзисторов</a>
Предыдущий патент: Способ получения волокнистых композиционных материалов
Следующий патент: Способ создания металлизации интегральных микросхем
Случайный патент: Ультразвуковой дефектоскоп