H01L 21/33 — приборов, имеющих три или более электродов

Номер патента: 149153

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Пашкевич, Самохвалов

МПК: H01L 21/33

Метки: диффузионных, кристаллических, триодов

...р загружа Известен оподов типа р - и -вые сопротивленпряжения,Предлагаемских триодов отлной на ней рискобразования эмися в атмосферения диффузии клективное травлреходами.Такой спасо особ изготовления диффузионных кристалличе ся использованием пластинки германия с нанесен которую вносятся вещества, предназначенные для ого и базового контактов. Диффузия производит да при повышенной температуре, а после оконча одам припаиваются контакты и производится се ерманиевой пластинки с полученными на ней пе149153 Предмет из обретения Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р - и - р, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что для упрощения технологии производства на пластинку германия наносится риска, в которую вносятся...

Номер патента: 162595

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/33

Метки: 162595

...сгруктура, с которой затем сошлцфовывают один крайний слой кремния п-типа, в результате получается требуемая четырехслойная и-р-г-р структура.г 1 а кремниевый диск 4 устацавливаот. СольцА. Кудрявицкая Корректор М, И. Козлова Составительербова Текред А Редакт Формат бум. 60 Тираж 800 о комитета по делам осква, Центр, пр. СеровПоди. к пен, .6 Л - 64 гЗаказ 13114ЦНИИПИ Государствснг Типография, пр. Сапунов втулку 5, в стенке которой имеется отверстие для управляющего электрода. Затем закладывают катодный сплав б, состоящий из серебра, свинца и сурьмы в соответствующих соотношениях, толщиной 0,05 - 0,08 мм,На катодный сплав закладывают посеребренный вольфрамовый диск 7 толщиной 1 - 2 ляг, на него - графитовую шайбу 8 и груз 9 из нержавеющей...

Номер патента: 723984

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Злыднев, Кремлев, Любушкин, Манжа

МПК: H01L 21/33

Метки: планарных, самосовмещающихся, транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности компановки структур, на нижнюю диэлектрическую пленку наносят поликристаллический кремний, травят окна в пленках до подложки, наращивают низкотемпературный поликристаллический кремний, легированный примесью противоположного типа проводимости подложке, локально маскируют диэлектрической пленкой, не травящейся в травителях для...

Номер патента: 1828333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Матюшевский, Снитовский

МПК: H01L 21/33

Метки: транзисторов

Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кремниевую подложку через пленку термического оксида и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси, легирование эмиттерных областей, диффузионный отжиг эмиттерной примеси, вскрытие контактных окон и создание разводки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения...