H01L 21/285 — из газа или пара, например способом конденсации

Номер патента: 317131

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Бабад, Герт, Юшина

МПК: H01L 21/285

Метки: покрытия

...пара должно быть таким, чтобы кристаллографическая плоскость,параллельная плоскости подложки собственной текстуры покрытия, совпадала с кристаллографической плоскостью зерен подложки,5 определяющих выбранную компоненту текстуры подложки.Под собственной текстурой покрытия подразумевается та аксиальная текстура, которая образуется в конденсатах, создаваемых10 на кристаллонеориентированных (аморфных)подложках. Собственная текстура в основном определяется пересыщением пара.Способ иллюстрируется следующим при.мером.15 В покрытии на подложке из молибдена стекстурой типа (100) 110+ (111) 112 ++ 110 необходимо сохранить только текстурную компоненту (111) 112 ). Образова.ние покрытия производят конденсацией па 20 ров молибдена в вакууме....

Номер патента: 1584653

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Голод, Девятова, Ерков

МПК: H01L 21/285

Метки: полицидных, структур, формирования

...ОсаЗЩЯть толикрсмний не имеет смысля, т.к, в этои случае полкремний начиняет расти па зоне неравномерно, Из черте- жа виде 0, что с павьддеев 1 ем темпера туры гряеичцые дявлееге 1 е ОсязКце 1 еил слоев умецьшаютсл. Боэможе 1 ы трц ва. - рианта выряще 1 ваЕЛЕл полцце 1 дцой структуры в еденам технологическом процессе иэ газовой смеси, составленной 50 нз источников кремния и силицндообра" эуощего металла одцовремееИо измене" нием одного иэ параметров давления в реакторе Р, соотношения реагентов К, температуры в реакторе Т).Бсетри варианта в реаепезяциирав 11 оцее 11 еы и лвллютсл техЕИЕческиии эквивалентами. Силицидцые слои осаждаотся поцепному ряэветвлене 1 ому мехянЕЕэиу р я слои паликремЕв 1 язя счет пиролизякремнийсодержащего...

Номер патента: 1823712

Опубликовано: 27.04.1996

Авторы: Андреев, Красницкий, Сарычев, Сасновский, Трубинова, Турцевич

МПК: H01L 21/285

Метки: вольфрама, кремний, осаждения, парогазовая, смесь

...закорачивающих перемычек, реализуется воэможность получения шунтирующих слоевтребуемой толщины 0,15 - 0,2 мкм,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси менее 0,5 об,0 неудается сформировать шунтирующие слоивольфрама требуемого качества и с необходимыми характеристиками из-за самоограничения реакции восстановления ЮР 6кремнием,При содержании гексафторида молибдена в парогазовой смеси более 20 об. рес.ция становится трудноконтролируемой,снижается качество шунтирующих слоев засчет ухудшения адгезии. Кроме того, увеличивается количество зародышей и, следовательно, ухудшается селективность осаждения.Таким образом, эа счет повышения селективности процесса, исключения самоограничения реакции восстановлениягексафторида...

Номер патента: 880178

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Кривоношенко, Селифанов, Точицкий

МПК: H01L 21/285

Метки: покрытий

1. Способ получения покрытий, включающий испарение материала, формирование направленного к подложке потока осаждаемого материала и осаждение его на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии, на осажденное покрытие воздействуют импульсным магнитным полем непосредственно или через промежуточную среду, обладающую высокой электропроводностью.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на осажденное покрытие воздействуют импульсным магнитным полем амплитудой 20-28 кЭ и длительностью 120-130 мкс.

Номер патента: 1739801

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Коваленко, Красницкий, Наливайко, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/285

Метки: контактно-барьерной, металлизации

Способ изготовления контактно-барьерной металлизации, включающий предварительное удаление естественного окисла с поверхности кремниевых подложек путем обработки в водном растворе фтористоводородной кислоты, нанесение на поверхность подложек диэлектрического слоя и формирование в нем контактных окон, размещение кремниевых подложек в реакторе, вакуумирование реактора, продувку реактора водородом и селективное осаждение вольфрама при 270-350°C из парогазовой смеси гексафторида вольфрама и водорода при соотношении компонентов 1:(10-100) и общем давлении 13,3-66,5 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности контактно-барьерной металлизации на основе слоев вольфрама путем...

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.