Шепурёв
Способ формирования омических контактов к кремнию
Номер патента: 1292628
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, кремнию, омических, формирования
Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...