Гранько

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1597019

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния

Загрузка...

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика

Загрузка...

Номер патента: 1667567

Опубликовано: 20.01.2008

Авторы: Гранько, Солонинко, Турцевич, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрика, оплавления, планаризующего, степени, структура

Структура для контроля степени оплавления планаризующего диэлектрика при изготовлении интегральных схем, включающая полупроводниковую подложку со сформированными на ней параллельными токопроводящими дорожками с трапецеидальным сечением и углом между нижним основанием трапеции и боковой стороной не менее 45°, покрытых слоем планаризующего диэлектрика, отличающаяся тем, что, с целью обеспечения возможности неразрушающего контроля и разбраковки пластин, токопроводящие дорожки шириной b расположены на расстоянии a i на полувысоте микрорельефа, и выполнены высотой h, удовлетворяющих условию ai=(1+k)·a i-1, aмакс

Устройство для подачи электрода

Загрузка...

Номер патента: 361031

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Гранько, Конструкторско, Куденцов

МПК: B21F 23/00, B23K 9/12

Метки: подачи, электрода

...состоит из вильчатого рычага 14, закрепленного на оси 15 между щеками корпуса и вставки 1 б, закрепленной на подающем рычаге 14 с помощью оси 17.Движение от привода к шаговому устройству передается посредством силового штока 18, закрепленного при помощи оси 19 на вставке 1 б.Работает устройство следующим обНажимая на упор 20, отводят направля8 с рычагом 9 в сторону, вращая их вокр10 и растягивая пружину 11. Электрвставляют в направляющую 8, ориентирсвоим пазом по кольцевому выступу опоэлемента 12. При освобождении упораправляющая 8 прижимает электрод 21 кному элементу 12 при помощи пружиедактор Л. Жаворонко ехред Т, Усков раж 404 одписное аказ 60/6 пография, пр. Сапунова, 2 при этом нижний конец электрода упирается в направляющую...