Способ изготовления диодов шоттки

Номер патента: 243668

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Буров, Коломейцева, Кораблев

МПК: C25D 3/50, H05K 3/18

Метки: контактных, печатных, поверхности, покрытия, родия, слоем, электролит, элементов

...ПОВЕРХНОСТИ ПЕЧАТНЫХ КОНТАКТНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СЛОЕМ РОДИЯолучение однородной структуры покрытия, игает 800 кг/мм 2, ивеличины переходно ктных элементов. Известны электролиты для покрытия печатных контактных элементов слоем родия гальваническим способом, содержащие соль родия.Цель изобретения - получить однородную 5 мел кокристаллическую структуру покрытия,Достигается это тем, что в качестве соли родия использован аминохлоридный родий.Концентрация аминохлоридного родия в пересчете на металлический родий б - 7 г/л, кис лотность электролита 8 - 9, рабочая температура электролита 70+ 2 ОС, плотность тока 2 а/дм-.Родирование печатных контактных элементов в аминохлоридном электролите, не имею щем примесей посторонних металлов, обеспечнвает п...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1737261

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Арешкин, Иванов, Федорцов, Федотова

МПК: G01B 11/06

Метки: бесконтактного, полупроводниковых, слоев, толщины, эпитаксиальных

...слое или в подложке вследствие различия их электрофизических свойств. Область генерации неравновесных носителей зависит от глубины проникновения инжектирующего излучения в структуру, т. е, от его длины волны. Снимают спектральную зависимость изменения интенсивности прошедшего через структуру или отраженного ею зондирующего излучения от длины волны дополнительногоизлучения, фиксируют длины волны1 определяющую спектральное положение перехода величины изменения интенсивности от значения, характерного для подложки, к значению, характерному для эпитаксиального слоя, и по заранее построенной градуировочной кривой определяют толщину эпитаксиального слоя И/.На фиг. 1 изображена эпитаксиальная структура; на фиг. 2 - зависимость...

Номер патента: 582097

Опубликовано: 30.11.1977

Авторы: Антохин, Беляевский, Мусорин

МПК: B28B 17/00

Метки: «елочка», горизонтального, кирпича, пакет, слоя, типа, укладкой, формирования

...раму 1 и раздвигающийся захват 2, В формирующей раме в зависимости от количества формируемых слоев (например, два), имеется два неподвижных поддона 3 и два подвижных поддона 4. Неподвижные поддоны жестко при. креплены к раме 1, а подвижные поддоны на роликах 5 установлены в направляющих 6, 7. Настил поддонов выполнен типа елочка,Приводом 8 подвижные поддоны 4 придвигаются к неподвижным поддонам 3, Формирующая рама 1 на роликах 9 перемещается в стационарных направляющих 10 при помощи кривошипно-шатунного механизма 11 приводом 12. Между направляющими 10 жестко закреплен упор 13,Устройство для формирования горизонтального слоя кирпича типа елочка с укладкой его в пакет работает следующим образом.Захват 2 подает для укладки к формирующей...

Номер патента: 1127466

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Болховитянов

МПК: H01L 21/208

Метки: алюминия, арсенида, галлия, наращивания, слоев, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев арсенида галлия-алюминия на подложках бинарного соединения типа AIII - BV из жидкой фазы алюминий-галлий-мышьяк, содержащей 3 - 7 ат.% сурьмы, отличающийся тем, что, с целью улучшения кристаллического совершенства слоев арсенида галлия-алюминия на подложках фосфида галлия, поверхность подложек предварительно приводят в контакт на 5 - 10 мин с насыщенной жидкой фазой индий-сурьма при температуре 723 - 798 К.