Интегральная микросхема

Номер патента: 777756

Опубликовано: 07.11.1980

Авторы: Бобков, Маханьков

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, пластин, полупроводниковых, разламывания

...5Устройство содержит пневмокамеру 1,образованную основанием 2 и упругой диафрагмой 8, выполненной, например, из резины, на которой расположена полупроводниковая пластина 4, На крышке б устройства закреплен упругий элемент б, выполненный, например, из термостойкой резины, Во внутренней части крышки б расположены нагревательный элемент 7 и сферическая опора 8, выполненная из легкоплавкого материала с температурой плавления 50 - 100 С, например из сплава Вуда. Пространство между крышкой б и сферической опорой 8 образует пневмокамеру9, соединенную, как и пневмокамера 1, спневмомагистралью (на чертеже не показана).Устройство работает следующим образом.Полупроводниковую пластину 4 после 25операции скрайбирования укладывают наупругую...

Номер патента: 938219

Опубликовано: 23.06.1982

Авторы: Беляков, Голубев, Грицевский, Груздев

МПК: G01R 31/26

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, теплозащищенных, элементов

...Вп, =80 оС.Схема содержит резисторы 1 и 2, величина сопротивления каждого из ко. торых равна (1/2 Йп) - половине соб-. ственного теплового сопротивления терморегулятора, резистор 3 (Й) - контактное сопротивление терморегулятор-полупроводниковая структура, В.п - тепловое сопротивление, равное Йп, = 1/2 В., + В емкость 4, Сптеплоемкость термор.гуля 1 ора, резистор 5 и емкость 6 йт и Ст - тепловое сопротивление и теплоемкость полупроводниковой структуры, соответственно, Чт - мгновенный перегрев терморегулятора, Чп - мгновенный перегрев полупроводниковой структуры.1 В реальном теплозащищенном приборе выполняются следующие соотношения:й йт; СС,; "-т 1 где п - пк Сп а Тт = йт СтПусть в произвольный момент времени С = С; полупроводниковая...

Номер патента: 1586466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Абраров, Кондратьев, Лисин, Поздняков, Рассохин, Хохлов

МПК: H01L 21/58, H01L 21/68

Метки: закрепления, механической, обработке, пластин, поверхности, полупроводниковых, преимущественно

Способ закрепления полупроводниковых пластин преимущественно при механической обработке их поверхности, включающий размещение полупроводниковых пластин на подложке с электродами, покрытой полимерной пленкой, осуществление прижима пластины к подложке путем подачи напряжения на электроды, расположенные попарно коаксиально один относительно другого, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности закрепления путем увеличения равномерности прижима пластины к подложке, при размещении полупроводниковых пластин на подложке каждую пластину устанавливают соосно с электродами таким образом, чтобы контур пластины находился на поверхности, ограниченной внешним диаметром наружного электрода.

Номер патента: 862308

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Макаров, Тимурджи

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, полупроводникового, прибора, силового

...блок и выхоцной органЩНедостатком этого устройства являются его большие габариты.1Наиболее близким к предлагаемому по техническим средствам и достигаемо- му результату является устройство для защиты силового полупроводникового прибора, соцержащее выполненный на трансформаторе датчик тока защищаемого прибора, подключенный к аналоговой моцели тепловых процессов, состоящей из КС-цепочек, резисторы которык подключены к вторичным обмоткам трансформатора, а конценсаторы включены послецовательно и поцключены к реагирующему органу 121Однако это устройство имеет невысокую точность, так как в нем не учитыва кци ревышатносится к области зиупроводниковых прибоЯ ЗАШИТЫ СИЛОВОГОИКОВОГО ПРИБОРАУстройство для зашиты силового полупроводникового...

Номер патента: 1582625

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Голубева, Сергиенко, Шевлякова

МПК: C09D 143/04

Метки: защиты, композиция, поверхности, полупроводниковых, приборов

Композиция для защиты поверхности полупроводниковых приборов, включающая низкомолекулярный диметилсилоксановый каучук, трис-(ацетоксимокси) винилсилан и 1,1 -бис-[диметил(изооктокси) силил]ферроцен, отличающаяся тем, что, с целью увеличения срока хранения композиции, уменьшения ее коррозионной активности и снижения внутренних механических напряжений в покрытиях на ее основе, в качестве низкомолекулярного диметилсилоксанового каучука композиция содержит низкомолекулярный полидиметилдифенилсилоксановый каучук и дополнительно содержит -эпоксипропоксипропилтриэтоксисилан при следующем соотношении компонентов,...