H01L 29/70 — биполярные приборы

Номер патента: 557438

Опубликовано: 05.05.1977

Авторы: Аваев, Наумов

МПК: H01L 29/70

Метки: согласования

...с базой рра, а второй - с базой тт- р-т-транзистораВ 1 х эднэ 1 э инверт эраПп чертеже приведепа принципиальнаяэлектрическая схема устройства,Кхглектэгы Входного двухколлекторноготр" пэистор 1 1 соединены с базами выходных тт - р - -,т и р - т - р транзисторов 2,3,коллектором р -т-р-транзистора 3 соединенВывэггэм 4 питания, а эмиттер - с коллектором Выхэднэго транзистора 2.Устройство работает следующим эбразом.Если напряжение на входе 5 соответствует низкому логическому уровню(для ключа с инжекционцыми питанием не превышает 0,1 В), транзистор 1 закрыт, так какток Э эквивалентногэ генератора тока 61ответвляется в предыдущее устройство, итоки в кэллектэрных цепях транзистора 1малы. При этом тэк базь, транзистора 3и этот транзистор...

Номер патента: 626713

Опубликовано: 30.09.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковый, прибор

...слоя Р-типа проводимости. Области 5, 16 и 22 созданы метолом диффузии..50В варианте, показацном,на фиг. 4, дополнительная область примыкает к области 7 ц области 8 базы. Базовый электрол может наноситься не только на области 7 базы, цо ц нд дополнительную область 30.В варианте по фиг. 5 нд цновсрхцосги сла оо легированного слоя 4 эмцттерд р зчещаетс 5 Л 011-срчктчр(мстг-Окцсг-цогъ и роцолцик .уцрвгяоццц ,скгр. 631, цпоц.снцый о алюминия, ц слой 32 двуокиси Г рсчцця вч(стс со слоем 4 эчиттерд Обр,.( к)т МОП-струит ру. Прц прГклалы );ниц здрднее выбранных значений ндпряж(цця к уцрсвл 5 оцс)у эгектролу 31 цод ц Г, роцьц) слоем 32 процсхолцт образовне барьер 3 . СЛОЙ 32 называется тдкм(е цц(рс,ым слосч, облдстькэ истовения цлц Г)Г.Г "Ь...

Номер патента: 640686

Опубликовано: 30.12.1978

Авторы: Тадахару, Хадзиме

МПК: H01L 29/70

Метки: полупроводниковое

...8 Ртипа обеспечивает общий контакт всей площади и представляет собой сильно легированную бором область. Содержание примесей на поверхности приблизительно 5 К 10" см .Алюминиевый коллекторный электрод 9 формируется под поверхностью подложки 1. Алюминиевый базовый электрод 10 образуется на базавой области 8, алюминиевый эмиттерный электрод 11 - на сильно легированный эмиттерной области 5.Слой из двуокиси кремния служит для пассирования и покрывает сверху всю поверхность прибора.Слой 2 У в -типа и слой 3 Р -типа образует коллекторно-базовый переход 12. Слой 3 и слой 4 У в -типа образует эмиттерно-базовый переход 13. Слой 4 и слой 5 У+-типа образует 1. - Н-переход 14 для примесей того же типа (1. - Н определяет две граничащих области с...

Номер патента: 650131

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Головко, Тагер

МПК: H01L 29/70

Метки: биполярный, свч-транзистор

...(0,8-1).10 .см/сек, во втором (при содержании арсенида галлия около 60%) - около 0,3 10" см/сек. Значения диэлектрической постоянной в обоих материалах примерно равны. Параметры кристаллической решетки обоих25 материалов близки друг к другу, поэтому на границах слоев при их эпитаксиальном выращивании дефекты структуры не возникают.Таким образом, использование много 30 слойного коллектора, составленного из нескольких слоев полулроводниковых материалов, различающихся значениями ди-. электрической постоянной или насыщен 3 ной скорости дрейфа носителей заряда или в общем случае значениями отношения насыщенной скорости дрейфа носителей заряда к диэлектрической проницаемости материала, позволяет значительно увеличить толщину слоя объемного...

Номер патента: 656432

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ассесоров, Булгаков, Горохов, Кожевников, Кочетков

МПК: H01L 29/70

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

...во входную цепь транзистора. Поэтому при конст 5 10 15 20 25 30 миссные решения, в результате чего возможности транзисторной структуры в отношении мощности рассеивания и выходных эксплуатационных параметров в полной мере не реализуются.Вместе с тем при работе транзистора центральная часть каждой ячейки структуры и центральная часть всего кристалла нагреваются сильнее вследствие того, что теплообмен крайних участков происходит более интенсивно, и они лучше охлаждаются,В результате на кристалле всегда существуют тепловые пятна-участки с более высокой температурой. Существование их и экспоненциальной зависимости тока эмиттера от температуры способствуют возникновению положительной обратной связи, приводящей к тому, что наиболее нагретые...

Номер патента: 598468

Опубликовано: 07.03.1986

Авторы: Асессоров, Булгаков, Горохов

МПК: H01L 29/70

Метки: мощного, свч-планарного, транзистора, транзисторная, ячейка

...транзисторов при высоких КСВН), посколькупри этом неизбежно уменьшение выходной мощности насыщения и КПД из-завозрастания последовательного интегрального сопротивления слоя коллектора.Таким образом вариант прототипапри суммарной толщине двух слоев вмкм не может обеспечить надежную(безотказную работу) транзисторов вусловиях рассогласования при большихКСВН. Лучшее, что может обеспечитьтакая структура - это устойчивуюработу при КСВН=1,5-3.Целью изобретения является обеспечение полной устойчивости транзистора ко вторичному прибою.Укаэанная цель достигается тем,что верхний эпитаксиальный коллекторный слой, прилегающий к базовой598468 4 мер,йд= 2,0 0 см З, что соответствует-2,5 Ом см) . При этомоказывается, что транзистор неспособен...

Номер патента: 736807

Опубликовано: 07.10.1987

Автор: Смолянский

МПК: H01L 29/70

Метки: транзистор

...нафиг. 1; семейство вольтамперных характеристик при.положительном смещениимежду управляющим электродом иэмиттером - на фиг. 2.Транзистор содержит п -контактнуюобласть 1, эпитаксиальную п-область2, базовую р-область 3, с концентра цией легирующей примеси на 1-2 порядка большей, чем концентрация леги( (брующей примеси в слое ( 10 -1 О )-3,эпитаксиальная эмиттерная областьп-типа 4 с концентрацией легирующей 15 примеси порядка 10 -10 см -4, коль 1 бцевая ограничивающая область 5, ограничивающая область транзистора,высоколегированная (10 -1 О см )(9 2( -Ъобласть у амиттера п -типа, глуби 2 о ной примерно 1-2 мкм, дополнительнаяр-область 6 с концентрацией примесипорядка 10 -10 см , с глубинойь гОне более глубины области 7, металлизация к...

Номер патента: 865080

Опубликовано: 07.10.1987

Автор: Смолянский

МПК: H01L 29/70

Метки: дефензор, полупроводниковый, прибор

...области 1 О . пусковой электрод 15. При этом инжекпротивоположного к эмиттеру типа про- тируемые областью 1 О дырки достигают водимости, коллекторный электрод 11, базы 2, включая симметричный транзисэмиттерный электродный вывод 12, пер- . тор 4-1-2-3-5 и вызывая кратковременвый управляющий электрод 13, второй 5 ное снижение потенциала между электуправляющий электрод 4, электрод родами 11 и 12, а также включение(пусковой электрод) 15, составных транзисторов 3-7-8, 1-6-9Прибор может быть изготовлен на вследствие пролета неосновных носитеоснове кремниевой монокристалличес- лей к близлежащим управляющим струккой подложки п-типа, на которой в О турам. При положительном потенциале эпитаксиальном реакторе выращиваются на электроде 13...

Номер патента: 1153767

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Диковский, Евстигнеев

МПК: H01L 29/70

Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор

1. МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий параллельно включенные транзисторные структуры в корпусе с внутренним и внешним коллекторными электродами, выходную индуктивно-емкостную цепь согласования, включающую МОП-конденсаторы, индуктивные элементы, входную индуктивно-емкостную цепь согласования, общий электрод корпуса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходных мощности и КПД, участки внутреннего коллекторного электрода транзистора длиною не болеегде f - рабочая частота,L1 - погонная индуктивность внутреннего коллекторного электрода транзистора,C1 - средняя погонная некомпенсированная емкость...

Номер патента: 683402

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Портнов, Снитовский

МПК: H01L 29/70

Метки: мощный, свч-транзистор

Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кристаллографическому направлению <110>.