Патенты с меткой «светодиод»

Номер патента: 484657

Опубликовано: 15.09.1975

Авторы: Алтайский, Баранов, Ивженко, Шемякин

МПК: H05B 33/02

Метки: светодиод

...диапазона. На кристаллодержателе, приваренном к основанию корпуса, припаяна пластина монокристалла карбида кремния размерами 1(1 Ъ;0,4 мм, в центральную часть которой вплавлен р-и-переход на базе алюминиевокремниевого сплава. Диаметр вплавленной навески 0,2 - 0,3 мм. К оплавившейся навеске методом термокомпрессии присоединен золотой вывод диаметром 40 мк, другой конец которого путем пайки присоединен к изолированному выводу корпуса, Пластина моно- кристалла расположена наклонно под углом, близким к 45, относительно плоскости выходного окна, поэтому индикатрисса направленности излучения имеет максимум в направлении, перпендикулярном к плоскости выходно 484657го окна, При этом окно размещено со стороны вплавленной навески.На фиг. 2...

Номер патента: 1455373

Опубликовано: 30.01.1989

Авторы: Карачевцева, Страхов, Яременко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

...2Ь/Ь для световода с длиной во1=1,54 мкм, . 5=180 мкм, шириноИ=300 мкм, плотности тока 120 А/при Т=ЗОО К.Светодиод торцового типа содеподложку 1 с последовательно вырными на ней первым эмиттерным сл2, активным слоем 3 и вторым эминым слоем 4. На поверхность подл1 и противоположную поверхностьрого эмиттерного слоя 4 нанесеньтакты 5 и 6. Излучающий кристаллкреплен на держателе 7. Кристалл53734сплошные линии). Вклад излучения, выводимого за счет эффекта многопроходности на длинных диодах, существенно 5выше, чем на коротких, поскольку сростом длины излучающего кристаллауглы падения лучей на контакты, а следовательно, коэффициент отражениявозрастают. При больших значениях1/Ь заметно насыщение яркости и внешний квантовый . выход...

Номер патента: 867249

Опубликовано: 28.02.1991

Авторы: Абагян, Бондарь, Брагин, Коган, Коташевский, Минаждинов, Невский, Патрашин

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

...крайней мереодин дополнительный слой, замкнутыйсо слоем того же типа проводимостии Образующий р-и-переход со слоем,на котором он расположен. В этом случае образуется р-и-р(п-р-п)-структура, в которой слои р-типа (и-типа) электрически замкнуты между собой, а ток пропускается обычным образом. Тогда, при сохранении суммарного тока питания, ток, протекающийчерез каждый р-п-переход, равен половине тока питания, а выводимыйсветовой поток равен сумме потоков,выводимых от каждого р-и-перехода ипревышает световой поток, выводимый35 из обычного светодиода при такомже токе питания. При этом площадьзаявляемого светодиода равна площадиобычного светодиодаРабота светодиода осуществляетсяследующим образом,Замыкаются контактыи б. Затемк светодиоду...

Номер патента: 1732402

Опубликовано: 07.05.1992

Авторы: Волков, Чуйко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, туннельный

...7 к подложке 1. В качествеподложки 1 может быть, например, использован сильнолегированный баЯЬ, ориентированный в направлении 11, толщиной 30мкм, на котором методом газофазной эпи 15 таксии выращена полупроводниковая пленка 2 п -ба ЯЬ с той же кристаллографическойориентацией, что и подложка, толщиной5 мкм и концентрацией примеси Кб == 10 см . Диэлектрическая пленка 5 мо 20 жет быть выполнена из пиролитически нанесенного окисла А 20 з толщиной 50 А,Поверх атой пленки нанесена пленка 3 изр толщиной 0,1 мкм, Металлический контакт 7 к подложке из 1 п, Диэлектрические25 области 6 из А 20 з служат для ограничениятока и уменьшения поверхностных эффектов. Область окна 4 для вывода излученияполучена локальным травлением пленки 3,Туннельный...

Номер патента: 1026614

Опубликовано: 20.01.1995

Авторы: Гусев, Демаков, Столярова

МПК: H01L 33/00, H05B 33/18

Метки: карбида, кремния, основе, светодиод

СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ, представляющий собой трехслойную структуру, содержащую n- и p-слои, отличающийся тем, что, с целью повышения яркости свечения, уменьшения падения напряжения и времени высвечивания, он содержит приповерхностный слой, обогащенный углеродом, с градиентом не менее 1024 см-4, при этом концентрация примеси в n-слое не менее 1016 см-3, а градиент концентрации в p-слое 1024 - 1026 см-4.

Номер патента: 1819488

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Богачев, Вилисов, Днепровский, Калинин, Хан

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. СВЕТОДИОД, содержащий кристалл на держателе, на котором сформирован светопроницаемый отражатель, задняя поверхность которого имеет форму купола, в частности, с параболической поверхностью, и с углублением на передней поверхности, дном которого является линза со сферической поверхностью, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной силы излучения и механической прочности светодиода, фокус линзы совмещен с фокусом параболоида и кристаллом, а апертурный угол линзы не превышает угла aм, где м есть решение транцендентного уравнения tg

Номер патента: 1736310

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Воробьев, Карачевцева, Страхов, Яременко

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод, типа, торцового

Светодиод торцового типа, содержащий двойную гетероструктуру, расположенную на непоглощающей подложке, контакты к поверхности подложки и эмиттерному слою гетероструктуры, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности излучения и его внешнего квантового выхода, поверхность подложки с контактом выполнена под углом ( ) к плоскости излучающего торца, а величина угла удовлетворяет условиюгде D - максимальная толщина подложки;L - длина светодиода в направлении выхода...

Номер патента: 644301

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...