Низкотемпературный диод

Номер патента: 1292082

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Либстер, Сазонов, Сосик, Чертин, Чирва

МПК: H01R 4/66, H02B 1/16

Метки: заземлителем, переносное, соединения, электродом

...втулкой 16, и одновременное поступательное перемещение подвижной втулки 17 относительно неподвижной втулки 16 за счет их скошенных поверхностей. Вместе с втулкой 17 вдоль оси 18 перемещается храповое колесо 19, прижимаемое к ее торцу через шайбу 21 пружиной 22, упертой с другого конца через шайбу 23 в крепежный элемент 24. В плоскости храпового колеса вместе с ним по продольному сквозному отверстию 25 и вдоль его оси перемещается подвижный штифт 26, упирающийся своими выступающими концами снизу в торец подвижной втулки 17, сверху - в шайбу 21, а с боков - в вырезы 20 на внутренней поверхности храпового колеса 19, исключая тем самьм. возможность самопроизвольного разведения концов 4 рычагов 1 и 2. По мере разведения концов 3 рычагов 1 и 2...

Номер патента: 1403156

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Либстер, Попова, Сазонов

МПК: H01R 4/66

Метки: заземлителем, переносное, соединения, электродом

...в струбцину 1, предохраняя шпильки 4 от выпадения из отверстий 3. Для подсоединения к электроду-заземлителю устройство подносится к нему так, чтобы электрод-заземлитель 9 был обхвачен Ч-образной рабочей поверхностью колодки 11 обхвата. Затем в зависимости от диаметра электродазаземлителя 9 производится регулировка исходного положения контактной губки 12, заключающаяся во вращении Рукоятки 7 винта 6, при котором центральный винт перемещается по резьбе направляющей 8 до момента касания рабочей поверхности контактной губки 12 поверхности электрода-заэемлителя.1403156 измерений или заземлении оборудования,Формула изобретения 30 Составитель Л,ЯнвареваРедактор М.Келемеш Техред М.Ходанич Корректор Л.Патай Заказ 2870/45 Тираж 632 Подписное...

Номер патента: 1017177

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Жан-Мишель, Клод, Мишель

МПК: H05B 7/06

Метки: печи, соединение, штуцерное, электрода

...зоны большого диаметра штуцерапо отношению к верхним кромкам стенок реэбовых гнезд,Кроме того, специальнбй обработкой реэьбовых. участков штуцера игнезда получают кольцевую зону упорав осевом направлении на уровне трехниток резьбы гнезда или соответствую.щей части штуцера, которая располага.ется главным образом между третью иполовиной высоты свинченных вместеучастков резьбы (измеряют от концамалого диаметра) . Эта эона упора поз.воляет в момент ввинчивания штуцерав его гнездо останавливать ввинчивание облагодаря зажиму длинных сторонрезьбы штуцера относительно длинныхсторон резьбы гнезда,На фиг. 1 представлено штуцерноесоединение, поперечный разрез нафиг, 2 - часть штуцера, поперечныйразрез; на фиг. 3 - нитки резьбы...

Номер патента: 1702545

Опубликовано: 30.12.1991

Авторы: Артельных, Волчематьев, Кравчина, Окунев

МПК: H05B 7/14

Метки: секций, соединения, узел, электрода

...глубины отверстия на величину снижения эквивалентных напряжений и опасных точках предлагаемой конструкции, По мере удаления дна гнезда от зоны приложенной нагрузки податливость стенок гнезда увеличивается и градиент радиальных перемещений по оси уменьшается, что приводит к снижению действукнщлх эквивалентных напряжений как В т,1 так и в Т.2. При уделении дна гнезда на расстолнае, большее 6(ф малого диаметра конической части гнезда от участка приложения нагрузки, уровень эквивалентных напряжений практически неизменяется. Таким образом, дальнейшее увеличение глубины цилиндрического отверстия не приведет к улучшению эксплуатационной стойкости ниппельного соединенияПри увеличении диаметра цилиндрического отверстия от нуля до...

Номер патента: 491882

Опубликовано: 15.11.1975

Автор: Сотников

МПК: G01N 23/22

Метки: втоичных, длин, пробега, свободного, слоя, толщины, электронов, эмитирующего

...выхода вторичных частиц и высотой выступов. Вследствие перераспределения по токов электронов пз внутренних слоев и изобъема выступов по мере увеличения, например, их высоты Ь от малых значений к величинам, превышающим глубину выхода, изменяется форма угловых распределений вторпч ных электронов.На фиг. 2, где показана зависимость от высОты не 1 эОВностеЙ 2 Отношения РИтенсивностей потоков электронов в двух разных направлениях по 011 ношенио к мишени, одноИЗ напраВлениЙ реГистрации Выбрано так, бтобы часть излучающей поверхности былазакрыта 1 кривая Л). Штрих-пункгирнымипэяхьми Б Р В Отмечены асМ 1 тотческизнчения отношений интенсивностей для прсдельых соотношений между высотой /г и глу- Обиной выхода воричных электронов. 110 лоэкс -ие...