Патенты с меткой «мдп-структур»

Номер патента: 444507

Опубликовано: 05.12.1977

Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко

МПК: H01L 29/00

Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе

...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...

Номер патента: 635441

Опубликовано: 30.11.1978

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...Н. Коляда Заказ 2216/3 Подписное Тираж 1080 Изд. Мо 780 Типография, пр, Сапунова, 2 уровень емкости при произвольном заданном напряжении на образце МДП-структуры.Указанная цель достигается тем, что в устройство введены источник напряжения смещения и дифференциальный усилитель, соединенные с компаратором, причем источник напряжения смещения, схема формирования выходного сигнала и устройство индикации соединены параллельно, выход дифференциального усилителя соединен с управляющим, а выход генератора импульсов - с аналоговым входами схемы формирования выходного сигнала.На чертеже дана структурная схема устройства для измерения емкости МДП-структур.Устройство состоит из образца МДП- структуры Смдп, компаратора 1 (мостовая схема),...

Номер патента: 737890

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Паташюс, Рагаускас, Шилальникас

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, реализации, характеристик

...9 и частотные зависимости коэффициентов затухания р (Ш)Фильтра 9 (кривая г), приемника 18(кривая д) и приемника 19 (кривая е),В стационарном режиме на входефильтра 9 действуют только две спектральные компоненты с частотами щ ищ, Амплитуды и Фазы этих компонентопределяются стационарными величинами импеданса МДП-структуры 1 начастотах щ, и оз, В компенсаторе 10с помощью инерционной автоматическойподстройки амплитуд и фаз сигналов,подаваемых с соответствующих генераторов б и 7 на регулируемые аттенюаторы-Фазовращатели 15 и 16, производится компенсация комПонент щ иШ в спектре информационного сигнала(Фиг. 2), Этим обеспечена независимость метрологических характеристикустройства от стационарных составляющих измеряемых компонентов...

Номер патента: 767673

Опубликовано: 30.09.1980

Авторы: Барышев, Боханкевич, Столяров, Цветков

МПК: G01R 31/12, G01R 31/26

Метки: диэлектрике, мдп-структур, микропробоя, неразрушающего

...напряжения, а выход -к коммутатору, включенному между генератором испытательного напряженияи испытуемой МДП-структурой, котораясвязана с генератором йспытательногонапряжения через последовательно соединенные усилитель-детектор микропробоя и шунтирующую блокировку.Такое устройство обеспечивает подачу на испытуемую МДП-структуру знакопеременного испытательного напряжения и измерение напряжения микропробоя в диэлектрике структуры без ееразрушения.На чертеже приведена бЛок-схемапредлагаемого устройства.Устройство содержит генератор испытательного напряжения 1, выполненный в виде генератора однополярныхимпульсов, нуль-орган 2, коммутатор 3,испытываемую структуру 4,усилитель-детектор пробоя 5, шунтирующую блокировку 6,...

Номер патента: 924635

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...

Метки: измеритель, мдп-структур, характеристик, электрофизических

...ко велик туры пра ктрика. едол струк диэле Слтельно, в ре а напряж онного усили емени д 1имсмещся Р+йаТаким образом достигается компенсация емкости диэлектрика С 1.Аналогично компенсируется емкость диэлектрика и для интервала времени Ь, ,е. выходное напряжение операционного усилителя 7 не зависит от параметра С при подаче на ИДПструктуру 6 воздействия любого вида.После того, как емкость диэлектри. ка С,1 скомпенсирована, начинается процесс снятия С-С-Ч-характеристик.Обеспечение компенсации влияния напряжения смещения О ена режим работы операционного усилителя 7 по постоянному току достигается при помощи блока 19 компенсации напряжения смещения, состоящего из интервала 20, регулируемого сопротивления 21 и ключа 22.На регулируемое...

Номер патента: 958986

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Адаскин, Мишин

МПК: G01R 31/30, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, пробивного

...резистор 24 цепи коррекции,другой вывод которого соединен с выходом интегратора 23, выход. Усилителя постоянного. тока подключен к первым входам основного компаратора 18 10и комйаратора 19 коррекции, второйвход компаратора 19 соединен с шиной нулевого потенциала, его выходсвходами. триггера 20 и блока 1 управления, второй вход которого соединенс выходом элемента 21 совпаденияпервый вход которой соединен а выходом основного компаратора 18, второй вход - с выходом трйггера 20, второй. вход которого соединен с четвертымвыходом блока 1 управления, пятый,шестой и седьмой выходы которогосоединены соответственно. с вторымивходами интегратора 23, элемента 25.защиты и дополнительного ключа 22 интегратора, второй вход которого .соединен с...

Номер патента: 995028

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...в общеизвестных моделях для генерационно-рекомбинационных процессов в обедненном слое полупроводника для определения времени жизни носителей заряда. Целью. изобретения является расши" рение функциональных возможностей.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения емкости МДП"структур введены регулируемый источник постоянного эталонно" го напряжения и дифференцирующий вольтметр, причем регулируемый источник постоянного эталонного напряжения включен между выходом компаратора и одним из входов дифференциального усилителя, а дифференцирующий995028 оставитель Н, Чистяковаехред А. Бабинец Корректор В Гу Бутягвйекль а Ъ а Реда дписно каз 634/31 ВНИИПИ Госуд по делам 113035, МоскТираж 708 ственного коми зобретений и оЖ,...

Номер патента: 1000946

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, с-g-v, характеристик

...усилигеля 4 и второмувхопу вычитагеля 8 напряжений, выхоц1000 С+СЗ С+СБоСс Сэ й оСо ССЯ оСО фС 2 Сэ.Е Сс,е +Се обогащения,о кость С обеа настолькотруктуры драке ктрика.обогащения ходе опера 55 режиме обогащения емслоя полупровоцникчто емкость МДП-с и равна емкости циэл цовательно, в режиме эС напряжение на вь го усилителя 4 ненного в жим тическ Н 4вления источяженияпоцает. го управляемо при Сдион По ник 10 на упра манце блока упрауправляющего нап вляюший вход пер которого соецинен с вхопами первого пикового детектора 12, второго управляемого делителя 13 напряжения, нуль-органа 11 и блока 14 измерения постоянной времени, Выхоп нуль-органа 11 через 5 источник 10 управляющего напряжения подключен к управляющему входу первого...

Номер патента: 1026095

Опубликовано: 30.06.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: измеритель, мдп-структур, параметров, электрофизических

...соединенс регулирующим входом источника управляющего напряжения, выход которогосоединен с управляющим входом первогоуправляемого делителя напряжения,третий выход блока управления соединен с управляющим входом .источника управлящвщего напряжения,четвертый выход блока управлениясоединен с управляющими входамипервого и второго пиковых детекторов, а пятый выход блока управлениясоединен с управляющим входом блокаизмерения установившегося значениянапряжения, выход блока измеренияпостоянной времени соединен с управляюшим входом .ключа, выход первогопикового детектора соединен с третьим входом коммутатора.На чертеже изображена структурная схема устройства.Измеритель электрофизических параметров МДП-структур, содержит блок1 управления,...

Номер патента: 1030747

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Анишкевич, Колешко, Кривоносов, Сунка

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, характеристик

...дополнительно введена схема накопления, информационные входы которой являются входами этого блока, ее первый выход соединен с дополнительным входом первой схемы И и входом первого .элемента задержки, а второй выход подключен к второму входу схемы обработки, управляющий вход которого соединен с вторым входом сумматора 10 и входом второго элемента задержки, выход которого подключен к второму входу сумматора, причем выход первого элемента задержки соединен с вторым входом схемы И, а второй выход схе мы обработки соединен с третьим входом схемы накопления.Такое построение устройства позволяет в едином цикле оперативно произвести измерение полной гисте- р 0 резисной нольтфарадной характеристики путем измерения величины опорного...

Номер патента: 1041967

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Балтянский, Богородицкий, Зверева, Мельников, Михеев, Морозов, Рыжов, Рябинин, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...через индикатор синфазности, инвертор и образцовый резистор к своему входу 2 .Недостатком известного устройства являются относительно низкая точность и ограниченные функциональ ные воэможности, обусловленные тем, что выходные сигналы несут информацию лишь о емкости и проводимости всей МДП-структуры в функции прило женного напряжения смещения. Для получения зависимостей емкости и проводимости только полупроводниковой части в функции от падающего на ней напряжения смещения необходимо про вести соответствующие вычислительные операции. При этом происходит также и трансформация погрешностей данного устройства в большую сторону в тех случаях, когда комплексное сопротивление изолятора больше комплексного сопротивления полупровод- никовой части...

Номер патента: 1100590

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Балтянский, Зверева, Кузнецов, Мельников, Михеев, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

...подключен к выходукоммутатора, первый которого соединенс выходом второго сумматора, а второй вход - с выходом Фазовращателя,вход которого соединен с выходом вто,рого сумматора и с входом блока стабилизации, выход которого соединен суправляющим входом генератора синусоидальногь напряжения, второй вход блоха регистрации .соединен с выходомсииФазного Фаэочуватвительного выпрямителя.На чертеже представлена Функциональная схема устройства.устройство для измерения параметров 3 ЦЦ-структур содержит генератор1 синусоидалвиого напряжения и источник 2 смещения, подключенные соответственно к первому и второму входампервого сумматора 3, выход которогосоединен с первой клеммой 4 для подключения испытуемой структуры, вторая5 клемма для подключения...

Номер патента: 1179232

Опубликовано: 15.09.1985

Авторы: Захаров, Малашкин, Новиков, Усов, Широков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

...устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор высокой частоты, выход которого подключен к шине для подключения затвора МДП-структуры, выходу генератора пилообразного напряжения и первому входу регистратора, исток МДП-структуры подключен к входу усилителя и первому выводу делителя второй вывод которого соединен с общей шиной, выход усилителя подключен к входу детектора, дифференциатор, выход которого соединен с вторым входом регистратора, введены задатчик эталонных сигналов, коммутатор и дополнительный регистратор причем выход детектора соединен с первым входом коммутатора, второй вход которого подключен к задатчику эталонных сигналов, первый выход коммутатора соединен с входом дифференциатора, а второй выход - с...

Номер патента: 1247795

Опубликовано: 30.07.1986

Авторы: Анненков, Балтянский, Зверева, Лебедев, Лисин, Соркин, Фельдберг, Чернецов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров, регистрации

...блокомстабилизации. Так как напряжение с выхода сумматора через четвертый канал блока коммутации и выпрямитель 22 подается на вход схемы 21 сравнения, на другой вход которой поступает напряжение с второго 2 О источника опорного напряжения, при их неравенстве сигнал с выхода схемы сравнения изменяет коэффициент передачи управляемого делителя напряжения.Таким образом, из выражения (8) имеем 5 р 1 о)С;+1 о)С +6 р(4) Таким образом, напряжение на выходе ФЧВ пропорционально проводимости подложки 65Из равенств (3) и (4) видно, что преобразование осуществляется относительно напряжения Оо, а это накладывает требование поддерживать его постоянным. 35Это требование осуществляется блоком 12 стабилизации, который в режиме аккумуляции работает...

Номер патента: 1638681

Опубликовано: 30.03.1991

Авторы: Стадченко, Титов, Харенжев

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, параметров

...сдвоенного компаратора 16, подключенного выходнойшиной к входу индикатора 18,Иа фиг,2 приняты следующие обозначения: сигнал 19 на выходе генератора1 высокой частоты; сигнал 20 на выходе генератора 4 развертывающегонапряжения; сигнал 21 на выходе блока12 формирования опорного напряжения;сигнал 22 на выходе детектора 8; сигнал 23 на выходе компаратора 3. Устройство для отбора радиационностойких МДП-структур работает следующим образом,Исследуемую МДП-структуру подключают к клеммам 2 и 3 (фиг.1). В исходном состоянии на выходе генератора 4 развертывающего напряженияимеется напряжение Б (фиг.2, сигнал20), при котором МДП-структура находится в режиме обогащения. Высокочастотный сигнал П, снимаемый с выхода генератора 1 высокой...

Номер патента: 1783454

Опубликовано: 23.12.1992

Авторы: Балтянский, Зверева, Карпанин, Лихацкий, Метальников, Чернецов, Шубин

МПК: G01R 31/26

Метки: деградации, мдп-структур

...в целом это позволяет уменьшить интервал времени от начала эксперимента до момента стабилизации токаинжекции;- останавливать рост напряжения на выхода задающего генератора 1 . поступаМДП-структуре в момент достижения ин- ет на аналоговый вход КМП 2. При этомжекционного тока заданной величины; напряжение на выходе КМП определяется- устанавливать напряжение на МДП- выражениемструктуре, равное нулю после окончания 5 Ог = Кг 61, . (1)очередного цикла воздействия.:-: где Кг - коэффициент передачи КМП, проБведение интегратора позволяет не- порцибнальный двоичному коду числа, попосредственно по напряжению с его выхода ступающего-на управляющий вход КМП ототсчитывать величину заряда, протекшегосчетчика 33 блока 12 управления. При...

Номер патента: 1809708

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Васильев, Мищенко, Нальникова

МПК: H01L 31/18

Метки: мдп-структур, основе, подложках, полупроводниковых, создания, фотоприемников

...состава при температуре отжига Т, 11 - время отжига при температуре Т;, 1 - количество отжигов,Наконец, проводят операции по созданию конкретного ИК-фотоприемника на основе МДП-структур по одной из известных технологий, включающих нанесение диэлектриков и формирование электродов регистрации и обработки информации.На фиг.1 показана зависимость концентрации электрически активных центров в приповерхностной области от времени отжига структуры; на фиг,2 - зависимость обнаружительной способности МДП-фотоприемника от концентрации легируюшей примеси при различных значениях поверхностного потен. циала.Конкретный пример применения данного способа к ИК фотоприемникам, создаваемым на основе МДП-структур из КРТ р-типа с х = 0,22 и концентрацией...

Номер патента: 1433207

Опубликовано: 10.12.1997

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Рыжов, Светлов, Цыпин, Чумаков

МПК: G01R 31/26

Метки: c-g-v-характеристик, мдп-структур

Устройство для измерения C-G-V характеристик МДП-структур по авт. св. N 1000946, отличающееся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, оно снабжено инвертирующим управляемым делителем напряжения, опорным резистором, вторым блоком измерения установившегося значения напряжения, третьим вычитателем напряжений, вторым нуль-органом, вторым источником управляющего напряжения, при этом вход инвертирующего управляемого делителя напряжения подключен к выходу операционного усилителя, инвертирующий вход которого через опорный резистор соединен с выходом инвертирующего управляемого делителя напряжения, управляющий вход которого подключен к пятому входу коммутатора и выходу второго источника управляющего напряжения, первый вход...

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Орлов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Номер патента: 1499637

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Антоненко, Ждан, Сульженко, Сумарока

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, мдп-структур, параметров, пограничных, полупроводник-диэлектрик, состояний

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...

Номер патента: 1829787

Опубликовано: 27.04.2002

Авторы: Андреев, Барышев, Сидоров, Столяров

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, микропробоя

Способ измерения напряжения микропробоя МДП-структур, заключающийся в том, что МДП-структуру заряжают путем пропускания прямоугольного импульса тока и одновременно измеряют временную зависимость напряжения на МДП-структуре, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени измерения и упрощения способа, одновременно с МДП-структурой заряжают емкость сравнения произвольной величины, определяют отношение емкости МДП-структуры к емкости сравнения n = Cмдп/Cср, при этом заряжают МДП-структуру импульсом тока с амплитудой Iмдп = k Iпор, где Iпор - пороговая величина тока; k -...

Номер патента: 1840204

Опубликовано: 20.08.2006

Авторы: Алехин, Емельянов

МПК: H01L 21/316

Метки: aiiibv, диэлектрических, мдп-структур, основе, пленок, полупроводниковых, соединений

1. Способ получения диэлектрических пленок для МДП-структур на основе полупроводниковых соединений AIIIBV путем анодного окисления полупроводниковой пластины, погруженной в электролит, отличающийся тем, что, с целью получения диэлектрических пленок с заданным по величине и знаку встроенным зарядом, полупроводниковую пластину погружают последовательно в два электролита, первый из которых характеризуется величиной вводимого в пленку заряда на 0,5-10 В меньше заданной, второй - на 0,5-10 В больше заданной. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для МДП структур на основе JnSb в качестве первого электролита используют электролит состава, вес.%:Аммоний...

Номер патента: 1464810

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Покрышкин, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: инверсии, мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряжение смещения изменяют со скоростью 101-10 3 В/с, периодически выдерживают его на постоянном уровне, осуществляя в эти моменты дифференцирование, а напряжение инверсии определяют по напряжению смещения, при котором производная становится больше нуля.

Номер патента: 1143197

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Гурский, Покрышкин, Сигалов, Таратын

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп-структур, характеристик

Устройство для измерения характеристик МДП-структур, содержащее генератор тестового сигнала и генератор напряжения смещения, выход которых соединены с первой клеммой для подключения испытуемой структуры, вторая клемма для подключения которой соединена с первым выводом резистора, второй вывод которого соединен с общей шиной, усилитель напряжения, вход которого также соединен со второй клеммой для подключения испытуемой структуры, сумматор, логический элемент "И", блок задержки, блок сравнения, выход которого соединен со стробирующим входом блока измерения напряжения, выход которого соединен с первым входом блока обработки и отображения информации, отличающееся тем, что, с целью...