H01L 21/477 — термическая обработка для модификации свойств полупроводниковых подложек, например отжигом, спеканием

Способ изготовления детектирующей массы для контактного детектора

Загрузка...

Номер патента: 12362

Опубликовано: 31.12.1929

Авторы: Розенблюм, Гаврилов

МПК: H01L 21/477

Метки: контактного, детектирующей, массы, детектора

...одна десятая часть (по весу) окиси урана и сернистых соединений серебра, никеля и. кобальта или преимущественно одна десятая часть сернистых соединений ртути, цинка, меди и селена. Со свинцом может быть смешана в той же пропорции окись урана и сернистые соединения ртути, серебра, никеля и кобальта, Полученная таким образом смесь нагревается в тигли до температуры 1000 - 1100 С в течение 20 - 60 минут, Смесь охлаждается без искусственного замедления процесса остывания для получения мелко-зернистой кристаллизации, после чего ее размельчают и прессуют в таблетки обычным способом,Предмет патента А,ПЯТ:ПТ Я При пользовании таблеткои, как контактным детектором, по мнению авторов, имеется возможность применять любую спираль, вследствие...

Способ изготовления вентильных фотоэлементов и выпрямителей

Загрузка...

Номер патента: 47015

Опубликовано: 31.05.1936

Автор: Лепешинская

МПК: H01L 21/477

Метки: выпрямителей, фотоэлементов, вентильных

...в. качестве полупро водников используется слой-из ураново 1 кислородных соединенийи заключаетсяв способе получения этого слоя.Кислородные соединения урана представляют собою вещества, являющиеся, плохими проводниками и некоторые из, них обладают чрезвычайно большим тем., пературным коэфициентом. Поэтому,подбирая надлежащий состав соедине-ния урана с кислородом-и переводя егосоответствующей обработкой в нужную модификацию, возможно получить ураново-кислородные вентильные фотоэлементы и выпрямители. Самый способ преобразования урановокислородных соединений заключаетсяв том, что указанные соединения подвергаются. в вакууме или., в атмосфереинертного газа или водорода термической обработке (нагреванию) с тем, чтобы перевести в такую...

Способ вплавления олова в кремний

Загрузка...

Номер патента: 148145

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Носов

МПК: H01L 21/477

Метки: вплавления, олова, кремний

...размеров диаметра шара, соответствующего по весу навеске олова, Это позволяет получить равномерный фронт вплавления олова в кремний по всей поверхности их соприкосновения.На чертеже изображено устройство для осуществления предлагаемого способа вплавления олова в кремний.Оловянный шар 1, предназначенный для вплавления, немного расплющивается и помещается на кристалл кремния 2. Затем кремний с оловом помещается между двумя жестко связанными между собой пластинами 3 и 4, Расстояние между пластинами 3 и 4 должно быть меньше суммы размеров толщины кристалла кремни 2 и диаметра оловянного шара 1 до его расплющивания. После этого стройство помещают в нагревательную печь.По мере нагревания олово расплавляется и за счет сил поверхностного...

Способ электрической формовки точечного полупроводникового диодассгсоюзная, -, -, -п ч. ч-: ць: у, . j; . (• rtigt; amp; ” i wauk il. ija. с-1блиотка

Загрузка...

Номер патента: 313244

Опубликовано: 01.01.1971

Авторы: Палей, Выдра, Потупайленко, Климов, Шаповалов

МПК: H01L 21/477

Метки: точечного, электрической, с-1блиотка, ц•"•, полупроводникового, формовки, диодассгсоюзная, rtigt

...примесей. Вследствие этого эффективность микродефектов и дислокаций как центров рекомбинации усиливается. Последнее обстоятельство отрицательно сказывается на электрических параметрах диодов и является существенным недостатком цзвестньгх способов электрической формовки.Цель изобретения - уменьшение влияниянеконтролируемого флуктуацпоццого распре деления центров рекомбинации в объеме р-иперехода за счет сглаживания термического удара при охлаждении отформованной структуры путем уменьшения общего градиента температуры и введения принудительного ох лаждения.Цель достигается тем, что процесс электрической формовки точечных полупроводниковых диодов на основе германия и-типа осуществляют с предварительным прогревом дио дов при температуре...

Способ обработки селенида кадмия

Загрузка...

Номер патента: 354497

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Заев, Кузьмина

МПК: H01L 21/477

Метки: кадмия, селенида

...восстановить утерянные в результате длительного хранения технологические свойства селенида кадмия (способность к вакуумному напылению) и может быть использован при производстве полупроводниковых приборов, преи муществец но фотоэлектрических.Известен способ обработки некоторых полупроводниковых соединений путем циклического воздействия температур (термоциклировация) от комцатцой температуры ц выше, Известный способ це позволяет восстановить технологические свойства селецида кадмия, утерянные им в результате хранения.Цель данного изобретения заключается в восстановлении первоначальных технологических свойств (способности к высококачественному вакуумному напылению) селецида кадмия,Поставленную цель достигают путем многократной обработки...

Способ изготовления проводящих межсоединений

Загрузка...

Номер патента: 368678

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гущин, Вашакидзе

МПК: H01L 21/477

Метки: проводящих, межсоединений

...Сапунова, 2 к чередованию областей металлической и диэлектрической фаз, т. е. к системе проводников в диэлектрике, создаваемой и управляемой изменением температуры пленки, нанесенной на изолирующую подложку.Металлический рисунок электрической схемы формируется в толще однородной пленки диэлектрика, способного к фазовому переходу диэлектрик-металл (активного диэлектрика). Пленка наносится на изолирующую подложку, противоположная сторона которой поддерживается при постоянной температуре Т(0,8 Т, (по абсолютной шкале).Зоны нагрева до температур, больших Т в пленке активного диэлектрика могут создаваться электронным или световым лучом, что позволяет управлять конфигурацией зоны нагрева путем сканирования луча по заданной области поверхности...

Способ термообработки кремниевых пластин

Загрузка...

Номер патента: 743489

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Шаповалов

МПК: H01L 21/477, H01L 21/324

Метки: кремниевых, термообработки, пластин

...интегральной схемы, которые, в свою очередь, отрицательносказываются на электрических парамет) СПОСОБ ТЕРМООБРАБОТКИ КРЕМПЛАСТИН в процессе изготовлеегральных схем, включающий ихс дальнейшим охлаждением соью не более скорости, обуславй возникновение термическихний пластинах кремния,ч а ю щ и й с я тем, что,увеличения выхода годных,ы охлаждают со скоростью не0 С/мин.74 3489 Редактор Л. Письман Техред АКравчук Корректор Л, Патай Заказ 3129 Тираж 315 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 Иелью изобретения является увеличение выхода годных эа счет траничения скорости охлаждения...

Способ формирования проводящих участков на подложке арсенида галлия

Загрузка...

Номер патента: 1742903

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бляшко, Пекерская, Кедяркин

МПК: H01L 21/477

Метки: проводящих, арсенида, формирования, участков, подложке, галлия

...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...

Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса a3b5 и устройство для его осуществления

Номер патента: 1304673

Опубликовано: 20.08.1996

Авторы: Зайцев, Чернявский, Нечаев, Дмитриев, Швецов

МПК: H01L 21/477

Метки: термообработки, полупроводниковыми, пластин, структурами, класса

1. Способ термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B5, включающий размещение пластин и источника компоненты B5 в контейнере, герметизацию контейнера, нагрев контейнера в потоке неокисляющего газа до температуры термообработки и выдержку при этой температуре, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров полупроводниковых структур, их воспроизводимости и технологичности обработки, герметизацию контейнера осуществляют в процессе нагрева при 450 - 550°С.2. Устройство для термообработки пластин с полупроводниковыми структурами класса A3B3, включающее контейнер и герметизирующую крышку, отличающееся тем, что в торцевой части стенок...

Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: полупроводник-диэлектрик, структур, поверхностных, слоев, полупроводников, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Способ отжига ионно-легированных полупроводников

Номер патента: 1028202

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Ободников, Васильев

МПК: H01L 21/477

Метки: полупроводников, ионно-легированных, отжига

Способ отжига ионно-легированных полупроводников, включающий импульсный СВЧ-нагрев, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса термообработки и повышения однородности отжига ионно-легированных слоев полупроводников с малой величиной проводимости, нагрев полупроводников проводят импульсом СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность импульса СВЧ-излучения 10-6 - 102С, основная частота СВЧ-излучения 950 Мгц - 10 ГГц, плотность поглощенной энергии СВЧ-импульса рассчитывают по формулеE T(Cndn+2