Патенты с меткой «полупроводник-диэлектрик»

Номер патента: 1199153

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Гуляев, Ждан, Пономарев, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводник-диэлектрик, раздела, состояний, характеристик, электронных

...фиг.1 показана зависимостьамплитуды тестового сигнала от напряжения смещения, на фиг.2 - зависимость плотности электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик от величины поверхностного потенциала полупроводникагде о - заряд электрона;К - постоянная Больцмана;Т - температура измерений0 - амплитуда тестового сигнала,"П - напряжение смещения;И - плотность электронныхсостояний на границераздела полупроводник-диэлектрик;9 - поверхностный потенциал5полупроводника .Пример реализации способа.Определяют характеристику электронных состояний на границе с раздела полупроводник-диэлектрик в структуре метал-диэлектрик-полупро" водник (МДП) в виде функции плотности электронных состояний в зависимости от величины...

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 1499637

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Антоненко, Ждан, Сульженко, Сумарока

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, мдп-структур, параметров, пограничных, полупроводник-диэлектрик, состояний

Способ определения параметров пограничных состояний на границе полупроводник - диэлектрик МДП-структур, включающий последовательную подачу на исследуемую структуру, находящуюся при температуре Tо, напряжения, обеспечивающего предельное заполнение пограничных состояний полупроводника основными носителями заряда, и обедняющего напряжения, нагрев структуры по окончании релаксации тока с постоянной скоростью при поддержании постоянства высокочастотной емкости структуры и снятие температурной зависимости вытекающего неравновесного тока jн(Т), отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения...