Способ травления кремниевых пластин

Номер патента: 1159442

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Децик, Трубицын

МПК: G11B 5/127

Метки: защитной, локального, маской, монокристаллических, пластин, травления, ферритовых, химического

СПОСОБ ЛОКАЛЬНОГО ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРИТОВЫХ ПЛАСТИН С ЗАЩИТНОЙ МАСКОЙ в водном растворе, содержащем фосфорную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления и качества получающегося рельефа, травление осуществляют при 100 180oС в растворе, содержащем дополнительно щавелевую кислоту, при следующем соотношении компонентов, об.ч.Ортофосфорная кислота (уд.вес 1,72 г/см3) 100Щавелевая кислота, насыщенный водный раствор 5 7

Номер патента: 1436775

Опубликовано: 30.12.1990

Авторы: Гончаров, Деев, Скуратовский

МПК: H01L 21/306

Метки: жидкостного, пластин, полупроводниковых, травления

...сторон. 10Цель изобретения - повышение процента выхода годных кристаллов интегральных схем за счет исключенияпод;равливация рабочих сторон плас- итиц. 15В предлагаемом способе полупроводниковые пластинысовмещают попарнорабочими поверхностями, на которьксформированы интегральные схемы,После заполнения зазоров деионизован ной водой пластины охлаждают до температуры замерзания деионизованнойводы, Благодаря наличию слоя льдамежду совмещенными попарно полупроводниковыми пластинами и поддержа".нию температуры жидкого травителяниже 0 С при травлении обратных сторон полупроводниковых пластин рабочие стороны закрыты. от проникновения между ними жидкого травителя, аэкэотермическая реакция, возникающаяпосле окунания полупроводниковыхпластин...

Номер патента: 746218

Опубликовано: 05.07.1980

Авторы: Воробьев, Заседателев, Лепин, Яковлев

МПК: G01L 9/04

Метки: давлений, датчиков, зависимости, интегральных, компенсации, малых, механической, температурной, чувствительности

...(алюминиевые) выводы 5, кремниевую пластину- заготовку б.В качестве исходной пластины-заготовки б используется монокристаллический кремний марки КЭФтолщиной 250 мкм, ориентированный в плоскости (100), Термическим окислениемопри 1200 С образуется слой двуокиси кремния толщиной 0,72 мкм, который используется н качестве маскирующего слоя на операциях формирования тензочувствительных элементон 4 (дийфузионые тензорезисторы р-типа с поверхностным сопротивлением 200 ом/и иглубиной диФфузии 1,8 мкм) и алюминиевых вынодов 5. Тонкие квадратныекремниевые мембраны 1 формируютсяпутем анизотропного травления пластины-заготовки б н кипящем гидразинеГидрате Ид НН 0 марки ЧДА, причемстороны мембрай ориентированы покристаллографическим...

Номер патента: 1051001

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Алифанов, Иконников, Коновалов

МПК: B65G 23/18

Метки: конвейера, привод

...непосредственного соприкосновения подвижных ферромагнитных пластин и неподвижного магнитопровода усложняет конструкцию привода в целом,Цел ь изобретения - упрощение конструкции и повышение надежности работы,Поставленная цель достигается тем, что в приводе конвейера, включающем двигатель, ведущую и ведомую звездочки, тяговую цепь с вертикально закрепленными на ней парами параллельных ферромагнитных пластин, ферромагнитные основания, закрепленные на грузоносителях конвейера с возможностью взаимодействия с ферромагнитными пластинами, и кольцевой электромагнит с магнитопроводом, магнитопровод выполнен из отдельных, расположенных между ферромагнитными пластинами каж дой пары и прикрепленных к ним элементов.На фиг. 1 представлена схема привода...

Номер патента: 1597981

Опубликовано: 07.10.1990

Авторы: Водонос, Лейфман

МПК: H01P 1/24

Метки: волноводная, нагрузка

...в виде трубок 13 и отверстий 14, заполненных охлаждающей жидкостью и расположенных соответственно в объемном поглотителе 4 и широких стенках 8 и короткозамыкающей стенке 2,Волноводная нагрузка работает следующим образом,Для приведения волноводной нагрузки в рабочее состояние к патрубку б подается поток охлаждающего газа такой интенсивности, что мелкодисперсные частицы 5 объемного поглотителя 4 приводятся в в тепловую энергию, которая передается охлаждающему газу и стенкам отрезка 1. Повышение рассеиваемой мощности достигается за счет интенсификации процессов теплообмена между объемным поглотителем и охлаждающим воздухом, полученной благодаря осуществлению режима псевдоожижителя мелкодисперсных частиц 5. 1 з.п, ф-лы, 4...