Патенты с меткой «p-n-переходов»

Номер патента: 633389

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/04

Метки: p-n-переходов, стабилизации

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ, включающий операции нанесения многослойного покрытия, фотогравировки, подтравливания слоев при вскрытии контактных окон, напыление металла и формирование контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, подтравливание слоев производят на величину, превышающую клин травления и приводящую при напылении и формировании контактных площадок к деформации нависающих под клином участков защитного покрытия.

Номер патента: 1664083

Опубликовано: 27.01.1995

Авторы: Киселев, Лопаткина, Михалева, Скворцова, Фаустова, Ярузов

МПК: H01L 23/16

Метки: p-n-переходов, высоковольтных, защиты, компаунд, кремниевых, поверхности, столбов

КОМПАУНД ДЛЯ ЗАЩИТЫ ПОВЕРХНОСТИ p-n-ПЕРЕХОДОВ КРЕМНИЕВЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ СТОЛБОВ, включающий кремнийорганический лак и органическую смолу, отличающийся тем, что, с целью повышения качества высоковольтного столба за счет стабилизации электрических параметров, он дополнительно содержит аэросил при следующем соотношении компонентов, мас.%:Кремнийорганический лак - 81 - 82Органическая смола - 15,6 - 15,7Аэросил - 2,4 - 3,3

Номер патента: 1708097

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Дудуева, Кальнова, Лобков, Митрофанов, Неелова, Сальников, Сергиенко, Шубин

МПК: H01J 21/36

Метки: p-n-переходов, высоковольтного, защиты, композиция, полупроводникового, прибора

Композиция для защиты р n-переходов высоковольтного полупроводникового прибора, содержащая низкомолекулярный кремнийорганический каучук, кремнийорганическое этоксисоединение и гетеросилоксан, отличающаяся тем, что, с целью создания однокомпонентного состава, повышения электрической прочности и снижения тангенса угла диэлектрических потерь, в качестве кремнийорганического этоксисоединения вводят триэтоксисилан, а в качестве гетеросилоксана продукт взаимодействия линейного , - - дигидроксиполидиметилсилоксана с борной кислотой и ацетилацетонатом циркония, взятых в соотношении, мас.ч. 100 16,8 0,65 при следующем...

Номер патента: 683399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Номер патента: 1364146

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Кулешов, Панин, Редькин, Юнкин, Якимов

МПК: H01L 21/306

Метки: p-n-переходов, кадмия-ртути, кристаллов, основе, п-типа, проводимости, теллурида, формирования

Способ формирования р-n-переходов на основе кристаллов теллурида кадмия-ртути р-типа проводимости, включающий обработку кристаллов потоком ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения качества р-n-перехода за счет снижения радиационного воздействия на кристаллы, обработку проводят в плазме аргона ВЧ-разряда при давлении от 6,7 10-1 до 66,5 Па и величине удельной мощности на единицу поверхности от 0,6 до 1,3 Вт/см2.

Номер патента: 1816161

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гареева, Ловягин, Мигаль

МПК: H01L 21/324

Метки: 1-xte, cdxhg, p-n-переходов, монокристаллах

Способ изготовления p-n-переходов в монокристаллах CdxHg1-xTe с х = 0,200 - 0,225, включающий помещение исходного кристалла n-типа проводимости с концентрацией носителей 1014 - 1016 см-3 в замкнутый объем, нагрев до выбранной температуры и последующий отжиг при постоянстве температуры в течение времени необходимого для создания на поверхности слоя p-типа проводимости заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества изготавливаемых переходов за счет повышения времени жизни носителей заряда, исходный кристалл помещают в замкнутый объем, заполненный деионизованной водой, а отжиг проводят при 170 - 220oC в...

Номер патента: 1382303

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Буров, Волков, Липатов, Овчинников

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов, кремниевых

Способ изготовления кремниевых p-n-переходов путем наращивания эпитаксиальных слоев на легированные бором подложки, включающий приготовление раствора-расплава кремния в олове и введение в него легирующей добавки, изотермическую выдержку при температуре начала процесса, приведение раствора-расплава в контакт с подложками, травление подложек путем нагрева системы и последующее принудительное охлаждение системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет устранения включений олова на границе p-n-перехода, дополнительно вводят в раствор-расплав 0,001 - 0,01 мас. % индия или галлия, изотермическую выдержку осуществляют в вакууме при давлении не более 0,13 Па, причем...

Номер патента: 1245162

Опубликовано: 20.11.2002

Авторы: Король, Крыштоп

МПК: H01L 21/265

Метки: p-n-переходов, глубоких, кремнии, п-типа

Способ получения глубоких p-n-переходов в кремнии p-типа, включающий имплантацию ионов натрия и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества p-n-переходов за счет повышения концентрации носителей заряда в приповерхностной области, имплантацию ионов натрия проводят 3-4 раза дозой 50-100 мкКл/см2, а отжиг после каждой имплантации проводят при 650-750oС в течение 25-6 мин соответственно.