H01L 21/463 — обработка механическими способами, например шлифованием, ультразвуком

Номер патента: 110480

Опубликовано: 01.01.1957

Авторы: Вул, Шотов

МПК: H01L 21/463

Метки: вывода, германиевого, средней, триода, части

...электроннодырочные переходы, а в середине остается слой германия толщиной в несколько десятков микрон, сохраняющий исходный тип проводимости.Устройство электрического вывода от среднего слоя такой толщины представляет значительныс технические трудности и при плохом выполнении снижает эффективность работы триода,Предлагаемый ниже способ позволяет упростить процесс изготовления электрического вывода от среднего слоя и повысить эффективность работы триода путем увеличения свободной поверхности среднего слоя.ля осуществления описываемого способа в процессе изготовления германиевого триода используют за готовку, имеющую выступ, как показано на фиг. 1. После нанесения на заготовку примесей и диффузионного отжига примеси будут иметь...

Номер патента: 382174

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01L 21/463

Метки: вскрытия, интегральных, кремния, монокристллличёских, островков, сносов, структурр, схем

...Ратшска 51 иаб., д, 45двлоярословеикоя городсяоя ти 1 огдв 1 ия Килтгясяого оолдстиого уирдвлсниа ив,твтсльсто, ир.тигрвфии и кви:Кио 1 торговли В(,1 цчиид усилия, огредед 5 емя из указдииого соотношения, достаточна для выирямлсиия исе 1)ИВлеций струетуры и ис ириюдцт и се разрушению. После того, как ириложсо усилие и структуры выирямлецы, ие ЗДКРСИ,5110 Г В ЭТО) ИО,ОЖСИИИ.С 1) Метмр 1 иослс соили(1)овки ир дети" с ски состоит цз одиородиого слоя иоликрцстдлличесеого крсмиця с вклочииями от- ,СЛЬ 1 ЫХ Е РИС 1 Д.1,ОВ, ИЗО(1 ИРОВЯИИЬХ ДИЭ,1(Е- трцком. 11 аиряженця в структуре, сущсствующис зд счет различной величины смиератури,1); наиряжсицй слоев, снимаются после искры гчя моиоерисалли чески)( островков. Посл( сошлифовки структуры не...

Номер патента: 561233

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Бычков, Татаренков

МПК: H01L 21/463

Метки: полирующий, состав

...- 80Азотнокислая медь 0,1 - 5Перекись водорода(3 ная) 0,01 - 1 Вода ОстальноеВ присутствии азотнокислой меди повышается скорость полирования эа счет способности кремния вытеснять медь иэ растворов ее солей и улучшается качество обработки, так как активными участками поверхности являются вершины микронеровностей. Цеолит выполняет функции сорбента ионов меди и инструмента для механического удаления с поверхности продуктов полировки и примесей.561233 Формула изобретения,10 ЦеолитАзотнокислая медь илиуглекислый аммонийПерекись водорода (30%)Воца 5 - 85 0,1 - 50,01 - 3Остальное 25 Составитель Ю. СлепневРедактор Т. Орловская Техред И. Андрейчук КоРРектоР Е. Палл Заказ 1584/155 Тираж Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров...

Номер патента: 828266

Опубликовано: 07.05.1981

Авторы: Бандик, Безсалов, Веселин, Данилейко, Доброхотов, Дулин, Ходяк

МПК: H01L 21/463

Метки: виде, вращения, выполненныхв, тел, шлифовки

...подпружиненном рычаге 12, при этом оси валиков параллельны между собой, а ось вращения вращающегося валика 11 расположена ниже оси вращения закрепленного вращающегося валика 10, На станине устройства закреплен упор 13, в который упирается при обработке полупроводниковый слиток 9, Вес рычага 4 с ведущим валиком 5 и рычага 12 с валиком 11 подбирают таким образом, чтобы составляющая силы, действующая на слиток 9 от валика 11, была направлена вверх и превышала вес слитка,Устройство работает следующим образом. С помощью поворотного эксцентрикового кулачка 7 рычаг 4 совместно с ведущим валиком 5 и приводом 8 устанавливают в крайне верхнее положение. Слиток 9 укладывают на валики 10 и 11 и перемещают его в осевом направлении до упора 13, при...

Номер патента: 907640

Опубликовано: 23.02.1982

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/463

Метки: выпрямления, полупроводниковых, структур

...напряжений в структуре в основном определяется дефектностью и толщиной моно"слоя и устанавливается опытным путем. После полного выпрямления структуры величина прилагаемого давленияможет возрастать до предела прочности на снятие прокладки, котораяспособствует равномерному распределению нагрузки по всей площади, Приснятии структуры с оправки рсль замедлителя изменения напряжения вструктуре играет медленно разогреваемый воск, которым приклеиваетсяструктура,Способ позволяет учесть динамику 35прила гаемо го у силия, котора я от рицательно влияет на процесс,П р и м е р . На подложку монокристаллического кремния с разделительными канавками диаметром 40 мм 40и толщиной 400 мкм из кремния маркиКЭ 4 Л,5 - 3 А наносят слой...

Номер патента: 1166975

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Копытин, Маковкин, Ситников, Ушаков

МПК: B24B 37/04, H01L 21/463

Метки: плоских, поверхностей

...равномерного зазора между дисками и нахождение но"так как он определен всеми тремя 55 носителями, что обеспечивает свободный ввод изделий в этот зазор навсех трех рабочих позициях. При вращении носителей 11 (фиг, 4) изделия 5 10202535 сителей с утолщениями 13 в зазоре при положении выгрузки и загрузки пластин.Носители 11 установлены между плоскими накладками 15, которые образуют щелевую направляющую полость, совмещенную с зазором между дисками 2 и 3. Нижняя накладка 15 имеет два полудиаметральных выреза 16 в зонах загрузки и выгрузки, центр которых совпадает с центром отверстия для изделий (пластин) на носителях 11. В зоне загрузки имеется столик 17 с плунжером, приводом 18 для подъема пластин в отверстия носителя.Пластины, поступают на...

Номер патента: 1268002

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Генделев, Петров, Шильников

МПК: H01L 21/463

Метки: монокристаллических, сфер, феррогранатов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СФЕР ИЗ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ФЕРРОГРАНАТОВ, включающий резку монокристаллов на кубические заготовки, придание заготовкам формы, близкой к сферической, с использованием абразива зернистостью 160/125 мкм, шлифование связанным абразивом последовательно уменьшающейся зернистости 80/63, 40/28, 20/14 мкм, полирование свободным абразивом последовательно уменьшающейся зернистости 10/7, 5/3, 3/2, 1/0,5 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных сфер по однородности кривой ферромагнитного резонанса, на каждом этапе шлифования снимают слой толщиной 310 d/H3, а при полировании абразивом зернистостью 10/7 мкм, преимущественно эльбором на полировальнике из стеклотекстолита, снимают слой толщиной от 11 до 15...

Номер патента: 1565298

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Копылов, Кравченко, Куча, Некрасов, Чернушич

МПК: H01L 21/463

Метки: полирования, силленитов, состав

1. Состав для полирования силленитов, содержащий абразивный полирующий порошок и кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, в том числе стойкости к лазерному излучению, в качестве кислоты используют кислоту из ряда: муравьиная, уксусная, молочная, щавелевая, малоновая, винная, лимонная, сульфаминовая или водный раствор по крайней мере одной из указанных кислот с водородным показателем рН < 3 при следующем соотношении компонентов, мас.%:Абразивный полирующий порошок - 0,1 - 5,0Указанная кислота или водный раствор кислота - Остальное2. Состав по п.1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит поверхностно-активное вещество...