Патенты с меткой «кристаллов»

Номер патента: 5411

Опубликовано: 31.05.1928

Автор: Затейщиков

МПК: H01L 21/306

Метки: блеска, детекторов, кристаллов, свинцового

...Дасмесью нагревают о прекращения выводы, затем темпедо вишнево-красного лжают накаливание, се время массу, до Затем остор ты, а ратур краси нается опа. В этом случае количество пр щенной от пор до необходимо размера зерен,в сечении, руд и на одну час ства кристалло измельченного ныи тигель, при хлористого цин в пропорции 7: отвешенное ко кислого калия мешивают желе лее, тигель со сперва слабо д деления паров ратуру доводят каления и продо перемешивая в шенное о очиьченной екторов 5 - 8 лмблеска количена треть двухро прекращения обильного выделения газов и начала загустения предварительно жидкой массы. По окончании реакции еще полужидкую массу выливают из тигля и тотчас же, по затвердении, производят очистку обработанных кристаллов...

Номер патента: 8422

Опубликовано: 30.03.1929

Автор: Бушмарин

МПК: H01L 21/479

Метки: детекторов, контактных, кристаллов, чувствительных

...оп распростраедмет пате и. Печатныи Тр Предлагаемое изобретение касается способа изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов и заключается в том, что смесь из 100 , свинца, 40 г. серебра 84 пробы и 40 г. серы, в мелкораздробленном виде,. нагревается в тигле (угольном, графитном, либо фарфоровом) до удаления избытка серы, Полученная масса раздробля ется в порошок, который снова сдлавляется на куске угля вольтовой дугой, при силе тока от 10 до 15 ампер, после чего охлажденная масса раскалывается на куски требуемой величины. Способ изготовления чувствительных кристаллов для контактных детекторов, отличающийся тем, что смесь 100 г, свинца, 40 г, серебра 84 пробы и 40 т. серы, все в мелкораздробленном виде, нагревают в...

Номер патента: 10866

Опубликовано: 31.07.1929

Автор: Шишкин

МПК: H01L 21/30

Метки: бумаги, вместо, детекторах, контактных, кристаллов, предназначенной, приготовления, применения

...пропитывают насыщенныираствором сернокислой меди и во влаж-ном состоянии, подвергают действиюсероводорода, для. восстановления серно-,кислой меди в сернистую медь.,.Можно вести приготовление бумаги.:"и следующим образом: азотнокислоесеребро, фйанесенное на бумагу, восста навливают сероводородом в серйистое, серебро, на слойкоторого осаждают. гальванопластически тонкий слой меди,который затем,. при помощи сероводорода, превращают -в сернистую медь.Либо слой меди покрывают раствороисеры в сероуглероде и, по испаренииего,. нагревают бумагу Предмет патента.1 Способ приготовления .бумаги, предназначенной для применения вместо кристаллов в контактных детекторах; характеризующийся тем, что пергаментную бумагу покрывают раствором азотно-...

Номер патента: 16192

Опубликовано: 31.08.1930

Авторы: Макуха, Мандрыко

МПК: B01D 1/06, B01D 9/02

Метки: аппарат, выделением, выпаривания, кристаллов, образующихся, одновременным, растворов

...образом масса, возвращаясь в камеру 1 из камеры 2, будет освобождаться от крупных кристаллов и будет содержать лишь мелкие кристаллы,подлежащие дальнеишему наращиванию. Последние будут до тех пор совершать цикл прохождения через камеру 1 и 2, пока не достигнут размера, при котором они будут тонуть" в увариваемой массе и перейдут в камеру 3. Увлеченные в камеру 3 мелкие кристаллы будут вытесняться оттуда вместе с междукристальным раствором тонущими крупными кристаллами и вновь попадут в потОк массы переходящей из камеры 2 в камеру 1, Поступление массы из камеры 1 в камеру 2 может регулироваться при помощи затвора, 7.В целях создания более медленного движения потока,увариваемой массы через камеру охлаждения перегородка 4 может быть...

Номер патента: 18474

Опубликовано: 30.11.1930

Авторы: Брацлавский, Колчин, Сергеев

МПК: B01D 9/02

Метки: железного, кристаллизатор, кристаллов, купороса, обезвоживаемой, соли

...на которых насажены и вышеописанные мешалки, На другом конце приводного вала установлена шестерня 5, находящаяся в зацеплении с шестернями б и 7, насаженными на противоположном конце валов двух меш ало к, Оба червячных транспортера приводятся в движение одним валиком 8, на котором насажены конические зубчатые колеса 9 и который получает движение от шкива 10, насаженного на консольный конец приводного вала ма; шины.Перед пуском машины в ход необходимо краны 11 и задвижки 12 закрытЬ, Через приемное отверстие 13 желоб а заполняется готовой солью, которую подвергают перемешиванию и действию струи подогретого в калорифере воздуха, просасываемого через машину специально установленным эксгаустером (не показанным на чертеже). Когда высуши....

Номер патента: 32784

Опубликовано: 31.10.1933

Автор: Пашков

МПК: B01D 9/02

Метки: кристаллов, масла, нафталина, отделения

...устройство для отделения кристаллов нафталина от масла, изображенное на чертеже,Кристаллизатор 7 наполняют средним маслом 8 так, чтобы закрыть змеевики; по этим змеевикам пускают охлаждающую жидкость для замораживания масла, при температуре - 19; по мере наростания кристаллов нафталина на змеевиках кристаллизатора, последний счищается лопаткой; счищенные кристаллы садятся на дно кристаллизатора и по мере накопления густоватой массы масло сливают, а нафталиновое масло в сгущенном виде опускают через за. движку на трубопроводы 9, из которых нафталиновое масло поступает в запасный резервуар 6, где также охлаждается при температуре - 39, со змеевиками. Из запасного резервуара нафталиновое масло поступает в регулятор 5, т. е, в...

Номер патента: 38134

Опубликовано: 31.08.1934

Автор: Евреинов

МПК: C01B 31/36

Метки: арбида, бора, кристаллов

...бора и угля, покрытых пластинами из сплава меди с серебром, каковые пластины растворяют образующийся при прокаливании смеси угля с бором карбид бора,который в них же выделяется в кристаллическом виде.Новый способ заключается в том, что в качестве пластин, растворителей карбида бора, берут пластины из сплава,содержащего серебра около 100/0 и меди около 90%.Химически чистый бор и уголь смешивают в молекулярной пропорции. Смесь вносят в печь Муассана и покрывают кусочками сплава из 100/0 серебра и90% красной меди. Все нагревают 15 минут и затем прекращают ток. После того,как сплав остынет, обрабатывают азотной кислотой. Получаются большие кристаллы бора.Способ получения кристаллов карбида бора прокаливанием смеси бора и угля, отличающийся...

Номер патента: 45327

Опубликовано: 31.12.1935

Автор: Кнопов

МПК: H01L 21/24

Метки: детекторов, кристаллов

...- исследований, однако, имеются основа - -ния предполагать,что роль серебра состоит, между прочим, в придании кристаллам устойчивости в отношении их неизменности. Неустойчивость кри, сталлов, изготовленных из смеси с малым " содержанием - серебра или вовсе безсеребра, проявляется внешним образом,Примерный состав новой смеси таково весу): 50,0% свинцового глета15,0% сернистого свинца7,5% окиси кобальта7,6% мышьяка (технического)7,5% буры12,5% серы.Как видно, вместо галена основнойчастью является свинцовый глет, которыйобычно содержит некоторое, хотя иочень малое количество серебра. Составляющее сущность изобретения введениемышьяка и окиси кобальта позволяетобойтись без добавления серебра, обеспечивая получение стойких кристаллов,не...

Номер патента: 54768

Опубликовано: 01.01.1939

Автор: Витовский

МПК: B23D 53/00

Метки: камня, канатная, кристаллов, пила, резки

...на какой- нибудь барабан происходит одновременно сматывание его с другого, В конце каждого хода пилы конец каната тянет цепь, которая приходит в соприкосновение с контактами 8 и этим замыкается на момент соприкосновения один из соленоидов б. Втягивающийся при этом в него сердечник б увлекает за собой прикрепленный к нему конец трензеля 2; при этом освобождается ось работавшего барабана и вводится в зацепление ось свободного, Поэтому канат начинает двигаться в обратную сторону, наматываясь на тот барабан, с которого только что сматывался, На верхней дуге трензеля 2 имеются две выемки, предназначенные для фиксирования трензеля в определенном положении путем вхождения в выем. ки подпружиненного болта 17. Для поглощения возможных рывков...

Номер патента: 69603

Опубликовано: 01.01.1947

Авторы: Сизов, Шубников

МПК: B01J 3/06

Метки: высоких, давлений, кристаллов, получении, частности

...Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор Р, Б. Кауфман Поод. к печ. 29,Ч 1 1-1958 г.Тираж 950. Цена 25 коп,Информационно. издательский отдел,Объев 0,125 и, л. Зак. 2960. Гор. Алатырь, типография Мя 2 Министерства культуры Чувашской АССР,ЭТГ ФОРМУЛУ, ВИ;1 СЦ ЦЗ СГЕД 1 ОЦ 1 С О примера. Нат ральцьц Вулкаццзцроваццый каучук способен увличцВать свою длину более,1 км в 1 раз, выдерживая цапр 5 жецис В 350 кг ца сл ИОРВОпача ьцо Оеч. ИИ 51 или в 3500 кг ца с" окончите.Ис)го се ения. Следовательно, можно принять Р-.=3500 кгсл-, При радиусе Г 51 дра, равном 1 сл, и радиусе Р клубка, равном 5 сл, получают О 51: - 35111 5, --- 26)40)61 у. г с,-.1 Таким образом, с помощью клуб. ка резиновой нити...

Номер патента: 71565

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Аршинов

МПК: G01B 9/04, G01B 9/10, G02B 21/00 ...

Метки: гониометрического, исследования, кристаллов, микроскоп

Номер патента: 72182

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...исключает необходимость тратить время на рсгенергцшо затравкиКрпсталлик, вырастая под восковой сумочкой, охватывает тонкуюшпильку и, развиваясь во все стороны, укрепляется на кристаллоьосцс, врастая в пазы.При пепрсрывном вращении кристалла со скоростью 30 - 60 аб/иин происходит его рост при снижении температуры раствора.Вначале устанавливается температура на 1,5 ниже температуры насыщения раствора; при этом кристаллы растут со скоростью 10,ил 1 в сутки по оси 7. тля поддержания этого псресыщения суточный спад темпера гуры рассчитан по формуле;= / 2 где Р и - искомая температура; х - длительность роста в сутках; Р - объем раствора; Рв - исходная температура.72182 Предмет изобретения 1. Способ для выращивания кристаллов сегнетовой соли,...

Номер патента: 72801

Опубликовано: 01.01.1948

Автор: Шефталь

МПК: C30B 7/02

Метки: аппаратах, выращивания, кристаллов, пересыщения, раствора, устранения

...в кристаллизатора и ра в аппа применени сенного вн ля устранения пересыщения раств ния кристаллов, о т л и ч а ю щ е е с де сосуда с растворителем, распол единенного с ним трубкой. При выращивании кристаллов в аппаратах, обычно примендля этой цели, часто наблюдается местное пересыщение расвызывающее образование паразитических кристаллов.Для предупреждения возможности подобных псресыщенийбретения предложил специальное приспособление - увл ажнлажнитель представляет собой сосуд с растворителем; он расн вне кристаллизатора и соединен с ним трубкой.Аппарат для выращивания кристаллов и расположение увлтеля показано на чертеже.Температура растворителя в увлажнителе 1 поддерживаетсядушным термостатом 2 постоянной, что обеспечивает...

Номер патента: 78449

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: блока, выращивания, косого, кристаллов, сегнетовой, соли, среза

...выращивании кристаллических блоков косого среза, стороны которых составляют углы в 4 Г с осями В и С кристалла (фиг. 1), обычно берут кристаллическую затравку косого среза, которую располагают на дне кристаллизатора между ограничивающими стенками, Однако кристалл растет мутным до тех пор, пока не образуются грани, полностью ограничивающие кристалл сверху (фиг. 2). Такие блоки практически оказываются непригодными из-за того, что мутная дефектная область значи тельна по площади и расположена крайне неблагоприятно,Предлагаемыи способ выращивания блоков косого среза из кристаллов сегнетовой соли с применением кристаллической затравки, вырезанной параллельно грани В кристалла, устраняет указанные недостатки, и весь выращенный блок является...

Номер патента: 79929

Опубликовано: 01.01.1949

Автор: Сизов

МПК: B23K 13/00, H05B 6/10

Метки: вставок, кристаллов, пластин, приварки

...к месту сварки. Устройство предлагается выполнить в виде поворотной револьверной головки со смен ,е 1 ыми колодками и пуансое 1 ом) а такгже колодки с огверстнями в ней для подачи газов.На фиг. 1 и 2 чертежа описываемое устройство изображено в двух проекциях (с разрезом).Здесь: 1 - обрабатываемое изделие; 2 - наносимый сплав, в данном случае в форме плоской пластинки; 3 - колодка, пз электроизолирующего материала (напри мер, плавленого кварца, керамики31 Своп. Выпуск , и 1, 1950 г. и т. д.), снабженная отверстиями для подачи защитных газов; 4 - виток-индуктор; б - пуансон, передающий давление прижимной пружиной б на привариваемую пластин ку 2; 7 - отверстие в пуансоне для подачи защитного газа в зону сварки.Форма рабочей поверхности...

Номер патента: 84679

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Боярчук, Поздняков, Савкин

МПК: B28D 1/08

Метки: кристаллов, распиловки, растворимых, станок

...несколько одновременно работающих режущих участков. Для этой цели бесконечная нить натянута на систему врапяюшихся роликов таки образом, что опа образует несколько параллельных ветвей, осуществляющих одновременно большое количество (30 - 40 пропилов, Вследствие этого обеспечивается повышение про- ЗБОДТСЛЬНОСТИ СТЯНКЯ.На чертеже схематично изображен общий вид предлагас),ого станка для распиловки растворимых Кристаллов.На станин 1 расположены: ведущий ролик 2 со шкивом,3 дл 5 привода, сидящие на одной оси, направляющий ролик 4, натяжной ры яг,7 с расположешым на не 5 натя:спых роликом 6, суппорт 7 с зя)ки)ох для кристял;я, перекрещивяюпие )олики 8 и .9, губкоде жатель 10 и демпфирующсе устройство 11 для гашения впорацип...

Номер патента: 87095

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Поздняков

МПК: H03H 3/02

Метки: других, кристаллов, пьезоэлектрических, распиловки

...с )1 ОкОЙ питью,В этих с:1) Я 51 )яспиловк) криста:1 лов поизводят пп помоши2 кидкостеЙ, Всуп(юп)их в хими 1 ескос взяпм)деЙствпс с ки("г(1 лом ивследствие эого рязрушян)ших его в мстс ряпила.Прсдлягя:5 ы споссб распиловки пьезоэлектрических и дрмгихк)Иста,1,Ов пи помоши Ждкостей, втпя)оп)их в хР.5 и 1 кое Взяимодецствие с кристаллом и разрушающим го вследствие этого В мсстераспила, позволяет значительно упростить распиловку кристаллов,повысить производптельносгь и в ряд( слу:Псв заменить дсфицптРыйалмазный инструмент.Отличительная особенность способы состоит в том, что пода 1 разруНР)юп 1 сй кистал жидкОсти к месту р яс 1 иг 151 Осуи(ств 151 от и) н помоши 11 епрерывно-гВи)кушейся нити, проволоки или пепл,1, смачпваемой в угомяРуто 1...

Номер патента: 87653

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Голуб, Женишек, Ушатинский

МПК: B01D 1/10, B01D 9/02

Метки: аппаратов, выпарных, греющих, кристаллов, отложений, способа, трубках, уменьшения

...кристаллов соединяется с циркуляционной системой (фиг. 3). Для отбора через штуцер 5 конечного продукта только в виде кристаллов верхняя труба заглушается.Для создания широкого поля кристаллизации, помимо поверхности греющей трубки, поддерживается или намеренно вводится в циркуляционный контур аппарата высокое содержание зародышей кристаллов. Количество кристаллической пульпы в циркулирующем растворе поддерживается от 20 до ЗОО, Это позволяет установить в выпарных аппаратах с малой скоростью принудительной циркуляции (от 1 м(сек и выше) непрерывное выпаривание кристаллизующихся растворов с любым видом растворимости солей, без промывок.При выпаривании сохраняется практически неизменная производительность и практически неизменный (близкий...

Номер патента: 88624

Опубликовано: 01.01.1950

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C07C 209/84, C07C 211/10, C07C 211/63 ...

Метки: виннокислого, выращивания, кристаллов, однородных, этилендиамина

...температуру пересыщения, что позволяет получать однородные кристаллы, обладающие высокими пьезоэлектрическими показателями.Особенность выращивания больших однородных кристаллов виннокислого этилендиамина заключается в способности этого материала образовывать чистые, лишенные неоднородностей, кристаллы при пересыщении раствора, превышающем некоторое минимальное критическое значение. СВИДЕТЕЛЬСТ ДНОГОДНЫХ КЕИС 1 АДЛОВЗТИЛ ЕНДИАМИ НА.м 1 ьбос.ехку СС Киста;ьль оольшцьсства веществ как правило, хорошо образуются из слабо пересыщенных растворов. С увеличением пересыщеция раствора скорость роста кристаллов возрастает. Однако при некоторой пределыо (для данных условяь) степени пересыщсция образование чистых, однородных кристаллов...

Номер патента: 88848

Опубликовано: 01.01.1950

Автор: Бокин

МПК: B24B 7/22, B24D 3/02

Метки: кристаллов, металлов, полировки, стекла

...на основе смол из. вестен. Однако их удельная нагруэ ка не превышает 10150 е/смд и после 2 ОЗО часов работы они изнантиватотсэт и ддогпкны быть заменепы новымиОтличительная особенность описываемого способа полировки состоит в применении полировальников из искусственных смол типа акриловых, вследствие чего повытпаетсэт их удельная нагрузка и температура гилавггегтия, а также ускоряется пронесс полировки.Согласно изобретению, для изготовления полировальников т-гспользуют искусственные смолы типа ак ли ч а ю Щ и п с я эхнровальътгхков изИ 3 го товленн ы с п ол и ров ал ьн пни цопускгпот уцельньтс нагрузки то 800 80.123. форма их нс изменяется в тсчснис многих МОСЯЦСВ (то 1%; лет) п сам процесс ттохтировкп 3 нг 1 Ч 11 т.1 Ьпо...

Номер патента: 95747

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 29/14, C30B 7/04

Метки: аммония, выращивания, кристаллов, однозамещенного, пьезоэлектрических, фосфата

...ОГН,)Н(;:;, ; Н(,;, 1;сс)ЯЛОВ (1)Ос(1)Н)151 (1)Г)с)1 Ср 1) 110- 11(Р(:;Ч)И 1 ( ) 1(1,(. И,11 с),0 301 А с) 1. 1, . 1 1: . 1ГО В( д)101 0 РЯСГВОРс -.то.1 СЛИ В 1)ОГ)СС( 1)Ос 1 Я и)1 СтсГЛОВ 11(1(.ЕГ 1(СГО явлс)И(. БЫ 1 т И 1111) Я 1)я, с)С )1(ГЧ Я:) СЕС 51 В 11 Г)с- )(1 с 111(.ИИ ХрисЯ, Ь(1;3 Гр. 5 Ы С 110 Ч 311 )с 11(Ы 11 0:,НОВ.НЯМ 1 )ИРЯ 1 ГУ.Пр(.ЛГягясмыЙ с)ос. о Вы)Г)Цива) И 51 1103 ВОГ 5(.1 СТР с)1 ИГ и ВЛ СНИЕ Способ Выращивания пьезоьлек- ТРИЧЕСКИК КР 11 СТ 11;ОВ (ДНО:)ЯЕЦЕННОГО фОСфЯТЯ с.Мл 101)и ИЗ 1)ЕРЕСЫЦЕШОГО Рс)С 1:)ОРЯ Зто. С;ЛИ, О т Л и- Ч Я ГО ЩИ Й С я тЕМ с)тс) С )ГЕЛЬ)0 ПОВЫКЛИН)Вс 111 И) В НОЦ(.ОСЕ 1). . а КРНСТЯГЛОВ.ЭГО ДОСТИГс 1 СТСЯ ОЛснОДЯ)Я ВВЕДСИИ 0 В Нс 1 СЫ 1 ЦЕ 111 ЫЙ РЯСТВ 0) )10 вс- ененного фосфата...

Номер патента: 96144

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Штернберг

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, способа, этого

...1 НИ 51 кристаллов. Непрерывная работа установки обеспечивается тем, что каждая из форм снабжена охлддителем для переохлаждения раствора внутри этой формы при неизменной темперд гуре раствора в баке. На сертеже схематически предслч 1 всена конструкция предлагаемой установки в двух проекциях,Выращивание кристаллов осуществляется в разборных формах 1, погруженных в бак 5 с ненасыщенным раствором 3. Для выращивания блоков заданного размера или пластинок определенной толщиныЛ" 9 б 144 11 р од к сн зобретения тв. редактор Г. А, Лапушки тандартгиа. Подп, к печ, 4/1-1957 г. Объем 0,125 и. л, Тираж 250. Цена 25 коп Гор. Алатырь, типография2 Министерства культуры Чувашской АССР. Зак. 3998 формы 1 могут бьп ь разделены редкими нли частыми пг...

Номер патента: 96229

Опубликовано: 01.01.1953

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/02

Метки: выращивания, кристаллов, растворов, способа, этого

...5 ГС)3(".,СП 1 И В 111151 )3.СГВОРс 3 15 СЛ" , - с Я С 1 ( П ОД В П Е 1 Н)103 с С П ОЛ 0 Ж (П 51 кристялгов) .1 ц)ьпЗе 3 Оячкс 1 ) я 55 ястся 0;(335 ИСМЕП 30 ЕПД(13 СсТО)30) ПЯ)ОВ Ря(Т ГСГ 51, 5, и 1(ГО (313 33 С 13 сОЖС 3 Я 1503;3 ЛИПЦ М: Г П ВО 5 ИЦ;1 (3(Г и ,1; 1".- ГГСГ 1 4 И С(3033;3(3135 531 С;(с,;,; , (3-) ж( ло я,б). 31(;рс ( (;о)31:3 к ) гстойник б - служит для задержания частиц нерастворешюго кристяллизусмого вещества. Вмонтированные в крышо воронки 7 и 8 предназначены для ввода В ко:дспсят твердого кр 1 Стал.1 изуе)Ог) вещества и растворителя.(.ОгсЯсн изоорстснию,вспиос выращивание кристаллов пз рдстьоря крпстяллпзуемого вещества ОСУ 1 ПССТВЛЯСТС 51 ПРИ ПОМОЩИ ОППСЯН- ного устройства следующим образом.Испаряясь из раствора,...

Номер патента: 98040

Опубликовано: 01.01.1954

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...от скорости притока свежего пересыщенного раствора к поверхности растущих кристаллов, Перемещение кристалла относительно раствора способствует росту за счет отвода от его поверхностей пленки обедненного, слабо- насыщенного раствора и прдтока свежего раствора, имеющего большее пересыщ ение.Известные способы выращивания кристаллов, в целях быстрого восстановления пересыщендя вокруг растущего кристалла, предусматривают пер емешпвание раствора или вращение кристалла в растворе.Предлагаемый способ позволяет повысить скорости роста кристаллов благодаря тому, что кристаллы в процессе роста приводят в колебательное движение, причем это движение может осуществляться с большой частотой от десятков герц до десятков килогерц и сочетаться с...

Номер патента: 100124

Опубликовано: 01.01.1955

Автор: Поздняков

МПК: C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллизатор, кристаллов, способа, этого

...заканчивается отростком 2, сияружи которого рзсио- ЛОЖЕН ЭЛЕКтрИЧЕСКИй ИЯГрСВатепп. о, иагреваюший раствор в отростк, до температуры, прсвышающс и тс 1 иср- туру раствор в кристяллизаторс. С помощью электроиягреватс;1 я т и терморегулиру 1 оиего устройств (и 1 чертеже ис ио 1 сяз 11 и) достигается и поддерживается иужиая тсмперятура раствора и кристаллизаторс. сс)ез к 1 зыпку 1 с 1)истяллизятор 11 Грс 1 ходит ось б кристллоиосця, которая имеет постояисюс или рсвсрсивиос вр;нцси ис. Кристаллизуемос всцсство вводится в кристаллизатор чсрсз трубку б, проходяпую сквозь крышку.Вводмыс в кристаллизятор чстицы кристаллизусмого вссцсств, п- дая на диище, скатываются ио сго коиичсской повсрхиости вниз и иои- дают в отросток, гдс происходит их...

Номер патента: 100988

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Метки: выращивания, затравок, кристаллов

...выращивания кристаллов весьма вакен правильный выбор формы, размеров и ориентировки затравок, позволяющий выращивать однородные лишенные дефектов кристаллы, имеющие наряду с этим наиболее удобные размеры и форму, опредсляемые требованиями производства.Для выращивания кристаллов с большим поперечным сечением предлагается использовать стержнеобразную затравку, необходимая ориентировка которой, согласно изобретению, осуществляется путем вырезания ее из тела кристалла параллельно ребру, образованному пересечением быстрорастущих граней.В частности, в случае использования фосфата аммония, кристаллы которого, как уже указывалось, имеют вид призм квадратного сече:н я, сочетающихся по обоим основаниям с четырехугольными пирамидами,...

Номер патента: 101179

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: выращивания, кристаллов

...явлений регенерации для получения однородных кристаллов большого размера пред,.1 агается использовать пластинчатую затравку, помещаемую в щелеобразЛ/450364 в Министерстредств связи ные углубления (карманы) плоского кристаллоносца таким образом, чтобы из щели выступала лишь вершина затравочной пластины, образованная пересечением быстрорастущих граней кристалла.Для осу 1 пествленця предлагаемого способа выращивания кристаллов веществ, обладающих резко выраженным односторонним ростом, в частности, кристаллов виннокислого этилецдиамцна, головка кристалла разрезается на пластины рядом плоскостей, параллельных или почти параллельных диагональной плоскости, рассекающей кристалл по длине. Прц этом образуется несколько пластин треугольной...

Номер патента: 101189

Опубликовано: 01.01.1955

Авторы: Поздняков, Штернберг

МПК: C30B 29/56, C30B 7/00

Метки: виннокислого, выращивания, затравок, калия, кристаллов, последних, этих

...образованному пересечением грс 1 и С(00) иииаода с одной 1;.; б:.:с-. - рорастущих граней диэдра.Полученные таким образом затравки при выращивании кристаллов располяга отся на плоском кристал;Оносцс тяк, что оы Грань, Охтядяощая на;большей скоростью роста, была направлена наружу.Сущнос; изобретения поясняется 1 ертежом, изобряжяющ 1 м полю 1 О естественнуо форму кристалла ":инокислого калия.Как показа;и исследования, скорости роста различных граней кристалла виинокислого кал.я сущестгеино различны.ДЛЯ ПООИЗЬОДСТВа ЖЕЛЯТЕЛЬНО иметь кристаллы, имсО 1 цис широкие, хорошо развитые гря;и С. Зто обусловлено тем, что пластины д,.я пье зорезснаторов выреза;отся -араллельно этой грани так, ;то д,-,иня их состазляет угол г 45 с высотой...

Номер патента: 103067

Опубликовано: 01.01.1956

Авторы: Васильева, Степанов

МПК: C30B 15/00

Метки: выращивания, искусственных, кристаллов, крупных, печь, электрическая

...дополнительное нагревание дна отдельно регулируемым, нагревателем, позволяющим изменять Форму изотерм роста кристаллов.Принципиальная схема печи изображена на чертеже.Печь состоит из кожуха, кварцевого, ФарФорового илн платюнового тигля вьгбор которого зависит от температуры плавления и хпмическпх свойств кристаллизуемой соли, и огнеупорной керамической подставки для нагревателя, расположенной под тиглем.Непосредственно на тигель (1) намотано сопротивление (2) (нагреватель) с меныиим шагом в верхней части тигля по сравнению с нижней. Снизу тигля на дне огнеупорной керамической подставки (3) расположен отдельно регулируемый нагреватель (4).Свободное пространство в кожухе (5) заполнено пзоляционнъгм материалом.Работа печи протекает...

Номер патента: 103479

Опубликовано: 01.01.1956

Автор: Кузьмин

МПК: B28D 1/32

Метки: кристаллов, нож, раскалывания, слюды, станку