Патенты с меткой «сверхпроводника»

Номер патента: 198430

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ничников, Объединенный, Турбин, Шишов

МПК: H01B 13/012

Метки: ленточного, многожильного, сверхпроводника

...операцией,20 Расстояние между сверхпроводникамиможно менять изменением шага навивки нацилиндре. Это достигается либо проточкойнеглубоких (около 1/4 радиуса сверхпроводящей проволоки) канавок с различным шагом25 на цилиндре для укладки проволоки, либо спомощью проставной проволоки оответствующего диаметра, Сверхпроводяшая и про.ставная проволоки навиваются на цилиндр, ипосле закрепления концов проставная прово 30 лока снимается,Корректоры: О. Б. Тюрина и Г. И. Плешакова Заказ 2379/2 Тирак 535 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Центр, пр. Серова, д. 4 Типография, пр. Сапунова, 2 Сжатие осуществляют умеренным нагревом бандажа или цилиндра или охлаждением.Причем целесообразнее применять...

Номер патента: 499847

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Антони, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводника

...точка плавления жидкой зоны увеличивается до тех пор, пока не превысит температуру теплообработки. Матрица затем становится твердой и кроме того происходит гомогенизация благодаря диффузии твердого состояния.Чтобы свести до минимума трудности, которые могут встретиться с зоной расплавлен. ной бронзы, предпочтительнее выполнять первоначальную часть каждой гомогенизационной термообработки при низкой температуре, например 600 С, а когда концентрация олова уменьшится диффузией, поднять температуру термообработки, например, до 800 С, Продолжительность расплавленного состояния можно затем свести до минимума, и последующая диффузия твердого состояния должна происходить при максимальной температуре.Когда получена бронза матрицы с требуемым...

Номер патента: 511784

Опубликовано: 05.03.1977

Авторы: Зельдович, Шишов

МПК: G01R 19/00, G01R 31/00

Метки: коротких, критических, образцов, сверхпроводника, токов

...двум токовводам 3 которые подключены к полюсам источшка электропитания. К пунту припаяны потенциальные выводы 4, по два на 15 каждый образец, которые соединены с самописцем. Шунт изогнут, напраер, по винтовой линии и помещен в магнит 5, находящиися в криостате б с жидким гелием пли за ним.Устройство работает следующв образом.20 На шунте, пердставляюще собой меднуюленту сечением 51,2 мм-, изопутую по винтовой линии, размещаются одновременно до 24 образцов. Внешний диаметр пуита равен 35 мм, шаг винта 7 мм. Максимальный рабо чпй ток устройства составляет 500 а. При этомматериал и размеры ленты подобраны так, чтобы в отсутствии образцов иунт не нагревался более, чем иа 0,2 К, по сравнению с температурой гелия (4,2"К). Повышение темпера...

Номер патента: 966605

Опубликовано: 15.10.1982

Авторы: Богин, Гавриш, Пермяков

МПК: G01R 19/00

Метки: критического, сверхпроводника

...соле- чения внешнего магнитного поля на велиф,. Ионда и катушкИ обратно пропорциональ чину докрнтического собственного магнитно отношению их магнитным постояннйм ного поля образца, которое соответству 45при встречном направлении магнитных по- ет току образца заведомо меньшему еголей, Кроме того, источник тока соленоида критического значения, ожидаемого вснабжен отрицательной обратной связью заданом магнитном поле. В этот момент.по напряжению, снимаемому с зажимов изменяет ток образца, причем егосоленоида а также соленоид снабжен фй магнитное поле изменяется пропорциональ сверхпрюводящВ 4ключом но по линии 2. В момент +. собствен-.На фиг. 1 приведен график изменения ное магиитюе поле образца достигаетмагнитных полей во времени. с...

Номер патента: 1077466

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Апалихин, Куршецов, Ширшов

МПК: G01R 19/00

Метки: внешнего, зависимости, критического, магнитного, образцов, поля, сверхпроводника, технического

....сверхпроводящего магйита, а другой вход - к выходу блока измерения тока во вторич= 5,8 А/с - кривая 1 и;гВ состав устройства входит сверх- проводящий магнит 1, образующий первичную обмотку сверхпроводящего трансформатора, вторичная обмотка 2 которого связана с исследуемым сверхпроводящим образцом 3, имеющим форму шпильки. Питание сверхпроводящего магнита 1 осуществляется от источника 4 питания. (стабилизированного источника тока), э выходную цепь которого включен шунт 5В петле вывода вторичной обмотки 2 установ лена индукционная катушка 6, соединенная с интегратором 7. Регистрация искомой зависимости производится двухкоординатным самописцем 8, один из входов которого подключен к выво дам шунта 5, а другой вход - к выходу...

Номер патента: 1590051

Опубликовано: 30.08.1990

Автор: Петер

МПК: H01B 12/00

Метки: длинномерного, сверхпроводника

...проводника существенным является присутствие, по меньшей мере, одного из элементов 11 и 111 группы периодичес 55 кой системы элементов. Из 11 группы это, прежде всего, етронций и барий, которые в сочетании с элементами 111 группы, например иттрием и лантаном, обеспечивают достижение высокой критической температуры. До, во время . или после заключения порошкообразной смеси оксидов в заготовку она может быть подвергнута термообработке. Тер-. мообработку целесообразно проводить при температурах от 850 до 1650 С, предпочтительно при 1000-1500 С, Если термообработкапроводится во время или после получения заготовки, то в качестве материала оболочки должны быть использованы металлы с соответственно высокой температурой плавления. Целе -...

Номер патента: 1665318

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Ермаков, Пострехин, Смоляк

МПК: G01R 31/00

Метки: высокотемпературного, испытания, провода, сверхпроводника, способности, токонесущей

...катушки, в поле которой перемещают провод, одинакова на всех участках провода, находящихся в сверхпроводящем состоянии, При пропускании по проводу тока индуктивность катушки не меняется (т.е. имеет некоторое фоновое значение для всех сверхпроводящих участков) до тех пор, пока в поле катушки не окажется участок провода, на котором при данном токе появилось сопротивление а следовательно, уменьшились его экранирующие свойства. В реэультате геометрия поля изменится и индуктивность катушки на этом участке провода увеличится, т.е. будет отмечен участок с пониженной токонесущей способностью.Испытание провода круглого сечения ведут следующим образом,Провод 1 продергивают через отверстие катушки 2, погружают часть провода с катушкой в жидкий...

Номер патента: 1758529

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Кошуринов

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, неразрушающего, сверхпроводника, свч-параметров

...СВЧ-параметров сверхпроводника осуществляют следующим образом.Через полосковую линию 5 на устройство с установленным на нем исследуемым образцом 9 подают два СВЧ-сигнала с частотами б и 2 и мощностью соответственно Р 1 и Р 2, 5 10 20 25 посредством емкости, образованной участком 12, осуществляется связь отрезка поло 30 35 40 45 50 55 причем Р 1Р 2. Сигнал частоты 11 модулирован по амплитуде с частотой модуляции 1 з. С помощью трансформатора 4 оба сигнала поступают на отрезок 1 измерительной линии, который вместе с поверхностью сверхпроводящего образца 9, расположенный над отрезком 1, и диэлектрической пленкой 8 между ними образуют отрезок несимметричной полосковой линии 10, для которой "земляным" проводником является сверхпроводящая...

Номер патента: 1772222

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Булышев, Парфенов, Серых, Шнейдер

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: выращивания, высокотемпературного, монокристаллов, сверхпроводника

...С в течение6 . Затем смесь доводят до плавления ичерез 2 ч хлажда ат с печью до комнатнойтемп "а.уры, Приготовленную таким обра:ам ш хту помещают в вертикальную ци"рическую печь, выдержлвают 60 мин.,ри 950 С, затем охлаждаот до 850 С в теп; овом поле с градиентом 40 град/см со скоростью 1 град/ч и далее до комнатнойтемпературы со скоростью 200 град/ч, Изполученного слитка выкалывают пластинчатые монокриста/лы, Максимальные размеры кристаллов дастигаот 2025 х 0,1 мм .Дополнительный отжиг, проводят при 80 Гв,ечсние 4 ч, Выращенные таким. Спосоосммонокристаллы имеот температуру перехода в сверхпроводящее состаян е 87-89 К: перекристаллизацию путем охлаждениярасплава в неоднородном тепловом поле ипоследующий отжиг, процесс охлажденияведут в...

Номер патента: 1827026

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Белянин, Буев, Григорьев, Кожинов, Максимов

МПК: G01N 27/72, G01R 33/035

Метки: высокотемпературного, качества, сверхпроводника

...свободно пройдет в зазор между полюсами, а балансир займет вертикальное положение. Если образец содержит СП-вещество, то он в силу диамагнитнага выталкивания не войдет в зазор между полюсами магнитной системы, а зависнет перед ним, как показано на фиг,2, При этом верхний конец балансира 9 окажется полностью смещенным от вертикального положения в направлении против часовой стрелки, Затем с помощью маховика 7 рычаг с магнитной системой медленно поворачивают рукой в направлении против часовой стрелки, При этом из-за отталкивания образца балансир 9 будет также поворачиваться, оставаясь впереди рычага 5. Момент силы вращения будет возрастать до тех пор, пока не сравняется с моментом силы диамагнитного отталкивания, При этом образец...

Номер патента: 1836730

Опубликовано: 23.08.1993

Авторы: Джон, Мунирпалам

МПК: H01B 12/00

Метки: высокотемпературного, сверхпроводника

...обнаружено, что в случае,когда используют целлюлоэные нити, достаточно несколько минут, Пропитка тканей,сделанных из целлюлоэных волокон, как было найдено, требует десяти минут, Может быть использована и более продолжительная пропитка, Раствор должен поддерживаться горячим, например кипятиться в сосуде с обратным холодильником, для того чтобы обеспечить быструю пропитку при погружении. Количество пропиточного материала в изделии из целлюлозы после того, как оно высушено, зависит от концентрации раствора. Чем больше его количество, тем больше количество сверхпроводящего материала в конечно изделии. Поэтому для пропитки предпочтительно использовать концентрированные растворы, Раствор может быть сделан более концентрированным путем...

Номер патента: 1790146

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Дубовицкий, Крицкая, Макова, Пономарев, Савостьянов, Топников, Ягубский

МПК: C04B 35/00

Метки: висмутсодержащего, высокотемпературного, сверхпроводника

...(И), При этом найдено, чтопроцесс полимеризации начинается немедленно после образования смеси комплексов, проводймого простым смешиваниемААм и кристаллогидратов нитратов металлов. Вода. удерживается в образующемсясополимере.Экспериментально найдено, что нижний предел температуры (20 ОС) определяется эффективностью сополимеризации и,следовательно, резким снижением производительности процесса. Верхний температурный предел (60 С) определяется термической деградацией нитратных группв ААм-комплексах,В качестве ААм-комплексов нитратовметаллов взяты мономеры на основе В 1 (И),5 Са(И), Зй(1), РЬ(11)й Со(1)с цельюполучения ВТСП состава ВгСагЗггРЬо,з 4 СцзОзо.Экспериментально найдено, что обработку полученного металлосодержащего сополимера...

Номер патента: 1829811

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Иванов, Похолков, Савельев, Хасанов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокодисперсного, высокотемпературного, монофазного, порошка, сверхпроводника

...температуры синтеза, сокращение продолжительности помола после синтеза для получения монофаэного порошка высокотемпературного сверхпроводника УВа 2 Сцз 07-х с частицами субмикронных размеров,Применение УДП меди удельной поверхностью. на три порядка превосходящей удельную поверхность порошка СцО стандартного, приводит к увеличению скорости синтеза шихты, что способствует снижению температуры и времени синтеза порошка и увеличению степени гомогенности синтезируемого порошка.П р и м е р, Исходные компоненты шихты; У 20 з ("хч", ГОСТ 42-208-81), ВаСОз ("чда", ГОСТ 4158-80) и УДП меди, полученный методом электрического взрыва проводников (ВТУ 2-25-98) с размерами частиц 0,05 - 0,15 мкм сферической формы, берут в соотношении, мас,% У 20 з...

Номер патента: 1508886

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Дудников

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Метки: высокотемпературного, сверхпроводника

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводника на основе соединений редкоземельных, щелочноземельных металлов и меди, включающий их измельчение, прессование и спекание в кислородсодержащей среде, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и ускорение процесса изготовления, в качестве соединений щелочноземельных металлов используют их перекись.

Номер патента: 1812762

Опубликовано: 27.08.1996

Авторы: Жучков, Толстой

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературного, гетероструктуры, кремний-керамика, сверхпроводника

...печь и прогрев ают на воздухе прия температуре 920 С в течение 1 ч, Далееыи охлаждают его, растворяют слой керамики иы измеряют их спектр пропускания пластиныь в области 1100-800 см. Наблюдают полосуго поглощения ВаБ 1 О, интенсивностью примернов 15 что говорит о 4-5 кратном уменьшенииглубины переходного слоя. Электрофизичеге ские свойства ВТСП слоя следующие:Т,=90 К, Т=77 К,ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ Заказ 20 п Подписное ВНИИПИ, Рег. ЛР йй 040720 113834, ГСП, Москва, Раушская наб., 4/Б121873, Москва, Бережковская наб., 24 стр. 2. 3Изобретение относится к химии высокотемпературных сверхпроводников и можнайти применение при создании гетероструктур кремний-высокотемпературный сверхпроводник.Целью изобретения является уменьшениглубины переходного...

Номер патента: 1752153

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Кожемякин, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, иттрий-бариевого, сверхпроводника

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охлаждения изделия проводят дополнительную термообработку при 400-450oC в течение 50-60 мин, при этом нагревание изделия, термообработку и дополнительную термообработку осуществляют путем электронного облучения, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R -...