Котелянский

Номер патента: 1797409

Опубликовано: 20.01.2000

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/304

Метки: диэлектриков, полирования, полупроводников, состав, химико-механического

Состав для химико-механического полирования полупроводников и диэлектриков, содержащий наполнитель, загуститель, комплексообразователь, травящий реагент и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обрабатываемой поверхности, производительности процесса, уменьшения токсичности и коррозионного воздействия, в качестве травящего реагента использована ортофосфорная кислота, при следующем соотношении компонентов, мас.%:Наполнитель - 15 - 30Загуститель - 5 - 10Ортофосфорная кислота - 0,06 - 12Комплексообразователь - 0,003 - 6,4Вода - Остальное

Номер патента: 1535337

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных

1. Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку, на поверхности которой размещена пьезоэлектрическая пленка, и две группы электродов, расположенных под пьезоэлектрической пленкой и на ней, одна из которых состоит из чередующих электрически противофазно включенных электродов, другая - из основных электрически изолированных электродов, с размещением продольных осей симметрии электродов одной группы с продольными осями зазоров между электродами другой группы в одной плоскости, перпендикулярной поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, ширина электродов в группах и ширина...

Номер патента: 1535335

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Анисимкин, Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных

Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий пьезоэлектрический звукопровод с размещенными на его рабочей грани канавками, в которых расположены основные электроды, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, в него введены дополнительные электроды, размещенные на участках рабочей грани звукопровода между канавками, причем по крайней мере часть основных и/или дополнительных электродов соединена с выходами двухфазного источника высокочастотного сигнала, а ширина электродов и глубина канавок выбраны в соответствии с выражениями

Номер патента: 1535336

Опубликовано: 10.01.2000

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 9/145

Метки: акустических, волн, встречно-штыревой, поверхностных

1. Встречно-штыревой преобразователь поверхностных акустических волн (ПАВ), содержащий подложку, на поверхности которой размещена пьезоэлектрическая пленка, и две группы основных электродов, включенных противофазно одна относительно другой, одна из которых расположена на пьезоэлектрической пленке, другая - под ней, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот в сторону высоких частот, продольные оси симметрии основных электродов одной группы расположены с продольными осями зазоров между основными электродами другой группы в одной плоскости, перпендикулярной поверхности подложки, а расстояние между продольными осями симметрии соседних электродов из разных групп выбрано...

Номер патента: 1816329

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Костин, Котелянский, Лузанов, Филимонова

МПК: H01J 9/12

Метки: фотокатода

...подвергают ионной обработке, а перед осаждением фотоэмиссионного слоя доращивают стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины. Это позволяет повысить интегральную чувствительность фотокатодов и улучшить качество передачи изображения при коротких временах экспозиции. Стеклянную подложку, выполненную изтекла С 52 подвергают ионному травлению течение 0,5 часов ионами аргона с энергией 1 кэ 8, Затем на подложку наносят прозрачный проводящий слой из )п 20 з (Яп 02) толщиной 0,3 мкм, который вновь подвергают обработке ионами аргона в течение 15 мин, при этом проводящий слой утонялся до .;0,15 мкм. Далее этот слой доращивапи до первоначальной толщины повторным напылением. После этого на проводящем слое формируют...

Номер патента: 1812242

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Котелянский, Лузанов, Шкляр

МПК: C23C 14/02, C23C 14/46

Метки: оксида, пленки, пьезо-электрической, тонкой, цинка

...наращивалась на ионнообработанную часть поверхности свеженапыленной пленки.По мнению авторов, в данном случае эффект заключается в уменьшении химической активности поверхности подложки и образовании встроенного заряда под действием ионной обработки.П р и м е р 1. Рабочу ерхность звукопровода ПАВ устройс Ч-диапа1812242 Формула изобретения Составитель Т.СмирноваТехред М,Моргентал Корректор М, Куль Редактор Заказ 1560 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 зона, выполненного из монокристалла алюмоиттриевого граната, подвергают ионной обработке в течение 20 мин ионами аргона...

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...

Номер патента: 1535332

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Гуляев, Котелянский, Магомедов

МПК: H03H 3/08

Метки: акустических, волнах, работающих, устройств, элементов

...в 0,51-ном КОН (фиг, 2) и проводилась его последующая вторичнаясушка при 115 С в течение 30 мии.о 40Затем на оставшиеся участки фоторезиста 1 и вскрытые участки рабочейповерхности эвукопровода 2 методоммагнетронного распыления в аргоиооой1 45плазме наносили металлическии слои 3(фиг, 3), состоящий иэ подслоя нихро"ма толщиной 0,03 мкм и слоя алюминиятолщиной 0,15 мкм. Для подавлениякристаллизации окисла алюминия приего последующем оксидироеании е целях создания на поверхности полосокметалла оксидного слоя, в алюминиймишени магнетрона о виде добавки вводился германий (11). Давление о вакуумной камере составило 1-0,5 Па 55при температуре звукопровода 200 С.Цапее прооодипесь операция "взрыва" - удаление участков фоторезиста 1 со слоем...

Номер патента: 959601

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Иванов, Котелянский, Хазанов, Хильченко

МПК: H03H 9/30

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, объемных

...со средней высотой Ь неровностей, выбранной из условия 0,05Ь/ф й 0,3, где % длина акустической волны.На фиг. 1 изображена л д ки на объемных акустицесна йиг, 2 - зависимость р подавления ложного сигнала при одном отражении акустической волны от торца звукопровода в зависимости от отношения сред- Б ней высоты.Ь неровностей поверхности) торца звуопровода к длине акустической волны(06= ЕЬЬЛиния задержки на объемных акустических волнах содержит звукопровод 1 О 1, на поверхности которого расположены входной 2 и выходной 3 пьезоэлектрические преобразователи, причем торец 4 звукопровода выполнен с шероховатой поверхностью. 15Линия задержки на объемной акустической волне работает следующим образом.Электромагнитный сигнал преобразуется входным...

Номер патента: 1217225

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Веселов, Владимиров, Гуляев, Елманов, Иванов, Котелянский, Курилов

МПК: H03H 9/30

Метки: акустическая, задержки, линия

...между частями акустического потока, отраженными от базо- воИ плоскости и от ступеней, имеются следующие сдвиги,фаз соответствен- но цл 5 лсО Я с -Ц-сЯ ц с - )1 щ 24 2 Части акустического потока, отра-. зившиеся от базовой плоскости 3 и от ступени 5, приходят на преобразователь 2 в противофазе и взаимно уничтожаются при нечетном в , Аналогичное сложение в противофазе и взаимное уничтожение происходит для час"с тей акустического потока, отразившихся от ступеней 4 и 6, Следовательно, сигнал на преобразователе 2 равен О.Для второго эхоимпульса набег фаэ в каждой части акустического потоМ ка удваивается, т.е. ч, =О, цл/ф г2 ив Ч 39 щ, В этом случае на преобразователь 2 в противофазе приходят части акустического потока, отразившиеся от...

Номер патента: 1499622

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Волков, Котелянский

МПК: H01L 21/302

Метки: пластин, поверхностей, полирования, химико-механического

...способствует более быстрому цболее качественному выхаживан 11 юпорр ,1верхцос ти , подавляется ормир ова ни 8на 6 о в ерхнос ти твердого тела О кис ныхи гидр о О кис ных пленок з а счет пр еимущественноГО Образования р а с ТБ О )и45МЫХ КОМПХЕЕКСНЫХ СОЕДИНЕНИЙ С ЭЛЕ"ментамц обрабатываемого материала.Примеры 1-9 выполняют ИЕ)и следую"щих постоянных режимах полирования5 ОЧастота вращения,полнровальникаУдельное дантление на цлас 100-150 г/смтиныРасход полнрующего состЕРИ ПОЛИРОПКЕ(пластиныпредварцтельцообработаны сйободиьп 1 абразивом зернистостью 5 мкм) 10-15 мкм,П р и и е р 1, Для полированияпластин фосфида индия и-типа ориентации (100) используют полируюпфе 1состав, ца 1 л воцы в котором приходится 200 г Б)0)р 80 мл глицерина,60 мл...

Номер патента: 944468

Опубликовано: 15.01.1993

Авторы: Ахметов, Гуляев, Давыдченко, Иванов, Котелянский, Медведь, Семенов

МПК: H01L 41/18, H03H 9/30

Метки: задержки, звукопровод, линии, ультразвуковой

...добавкой в этом звукопроводе яв(54)(57) звукопРовод УльтРАЭВУково ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ, выполненный на ос ве диэлектрического монокристалла структурой граната с легирующей до бавкой, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения затух ния ультразвуковых волн в СВЧ-диап зоне при комнатной температуре, в честве легирующей добавки выбрана окись лютеция, а ее содержание в д электрическом монокристалле состав ет от 6 до 16 мол.Ф,944468 ф 20 М ОйеМия, рол. % г Со А рячсвц ктор Т,йаРганова ТехРед М,Мор тал Корректор Т,Вашкович Заказ 1085 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, М, Раушская наб д, 4/5НЕЕГагарина, 101 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгоро волн в...

Номер патента: 1785056

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Губанков, Дивин, Котелянский, Кравченко

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящее, электронное

...в СКВИД.вания мостиков с разрешением менее 0,1 Койтакты 9, подсоединенные к электродаммкм;-" " 3, 4, служат для задания тока через СКВИД,Цель изобретения - понижение уровня 50 а контакты 10- для измерения напряженияшумов и повышение стабильности работы на СКВИД.сверхпроводящего электронного устройст- Также в качестве материалов мостиковва, а также повышение воспроизводимости и электродов могут быть использованы друих характеристик.- гие сверхпроводящие материалы с высокимпературУказанная цель достигается тем, что в 55 ми значениями критических темпераустройстве, содержащем сверхпроводящие (15-100 К) и малыми значениями длины коэлектроды и мостики из сверхпроводящего герентности е10-100 А. Среди них, наполикристаллического материала,...

Номер патента: 1484191

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Гуляев, Котелянский, Лузанов, Тараканова

МПК: H01L 21/203

Метки: монокристаллических, пленок, полупроводниковых

...ЗО.адсорбиронанного атома.Энергияизлучения выбирается такой, чтобы хеиисорбнронанные атомы,находящиеся вне дна потенциальногорельефа поверхности, поглотив квант 35света с выбранной длиной волны, ииели воэможность эа счет поверхностнойдиффузии занять положения, соответствующие минимуиу потенциальной энергии, т.е. занять положения, соответ.стнующие наилучшему кристаллическомусовершенству структуры. Плотностьмощности излучения 1 г оценивается изЬс ц -йусловия ЧМ --- где Ю=О сма 45,по порядку величины составляет У в"-е -4 йл, 10 -10 ,Пж/см . Длина волны излу чения определяется для каждого компонента н отдельности. 50П р и и е р 1. Осаждение монокристаллической пленки СИТе .проводятна подложки СИТе ориентации (10)...

Номер патента: 1394742

Опубликовано: 07.12.1992

Авторы: Веселов, Джумалиев, Котелянский, Крикунов, Лузанов

МПК: C23C 14/36

Метки: нанесения, окиси, пленок, пьезоэлектрических

...векторами магнитного поля, параллельно мишени на расстоянии 40 мм от нее. Рабочий объем вакуумной установки откачивают до предельного давления 2 10 Па, подложку1394742 Составитель В,ОдиноковТехред М.Моргентал Корректор Л,Пилипенко Редактор Т,Шарганова Заказ 561 Тираж ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раун.скэя наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. ужгород, ул.Гагарина, 101 и поддерживают давление на уровне 0,2 Па. После этого на мишень подают отрицательное напряжение 450 В и устанавливают ток 1 А. При этом нэд поверхностью мишени образуется зона скрещенных электрического и магнитного полей, которые локализуют разрядную плазму в этой зоне. В указанных...

Номер патента: 1575856

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Котелянский, Лузанов, Магомедов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: оксидных, пленок, сверхпроводящих

...соотношений плотностей потоков этих компонент.П р и м е р 1. Пленку оксидного материала с высокотемпературной сверхпроводимостью У 1 Ва 2 СизОт-х с температурой Тф структурного фазового перехода в кристал лическую фазу, обладающую высокотемпературной сверхпроводимостью Тф= 1023 К, наносят на подложку из фианита. Для этого откачивают рабочий обаем вакуумной установки электронно-лучевого распыления до 45 предельного вакуума 2 10 Па, нагреваютподложку до температуры 1020 К Тф, включают источник потока ионов кислорода и устанавливают режим его работы, обеспечивающий получение плотности потока 1015 50 ионов см 2 с и энергией 50-150 эВ, направленного в зону осаждения, Включают электронно-лучевые источники распыления, с помощью которых получают...

Номер патента: 1378977

Опубликовано: 07.03.1988

Авторы: Бубель, Котелянский, Шапиро

МПК: B21D 1/00

Метки: линия, подачи, правки, рулонной, стали

...упор 19.Линия работает следующим образом.Рулон с помощью лентопогрузочной тележки 18 устанавливается на барабан разматынателя 1 и разжимается по внут. реннему диаметру Для предотвращения распушивания рулона на его наружную поверхность опускаются рычаги 4 и 5 с прижимными роликами 6 и 7. Врагцением барабана разматывателя 1 задают конец рулона на упор 19 лентопогрузочной тележки 18 и поворотом рычага 8 разгибают конец путем контактирования опорно-прижимного ролика 9 с концом ленты. Затем рычаг 8 и лентопогрузочную тележку 18 отводят в исходное положение. Вращением барабана разматывателя 1 задают ленту в калибр, образованный направляющими 11 и подъемным роликовым столом 12, подводят к поверхности рулона опорно-прижимной ролик 9,...

Номер патента: 1301406

Опубликовано: 07.04.1987

Авторы: Бурханов, Ермолин, Ефремов, Клибанов, Котелянский, Лукьянов, Торчилин, Трахт

МПК: A61K 9/50

Метки: активных, биологически, везикула, веществ, липосомальная, направленного, транспорта

...или гель-Фильтрацией в центрифуге на сефарезе СТ 4 В,Используют трансформированные макрофаги мьппи линии 1774. На монослой4клеток (7 1 О ) в лунке наносят аликвоту липосом и инкубируют при 37 С1 ч. После удаления во Флаконы ссцинтилляционной жидкостью ЖСподсчитывают на счетчике ВАСКВЕТА 1215(Фирма 1, КВ),Для определения эндоцитоза липосом макрофагами клетки преинкубируют 40 мин гликолитическим ингибитором эндоцитоза - йодацетамидом(100 мкмоль).П р и м е р 1. Сравнивают связывание и эндоцитоз макрофагами ( 10 "клеток) липосом из лецитина без фибронектина и покрытых фибронектином.Содержание липида 1,5 мг/мп и фибронектина 0,7 мг/мл, Данные приведеныв табл, 1 и 2. П р и м е р 2, Сравнивают связывание и эндоцитоз макрофагами липосом из...

Номер патента: 1181668

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Васильев, Городецкий, Ермолин, Ефремов, Котелянский, Савченко

МПК: A61M 1/36

Метки: белковых, комплексов, крови, патологических, плазмы

...патологии и криоглобулинемиибольной В 64 лет. Диагноз; СиндромШегрена, Идиопатическая криоглобуленемия, Трамбогеморрагический васкулит, Полиневрит. Синдром Рейно.Плазмафорез проводили по методике,описанной в примере 1, 2. Инкубациюс гепарином проводили в течение 12 чпри температуре 6 С. Обраэовашийсяпреципитат фибронектина с иммуннымикомплексами, криоглабулинами отделяли от плазмы центрифугированием соскоростью 3000 об/мин при бС в течение 15 мин, а супернатант переводилив другой контейнер и немедленно зама.раживали при -35 С. Супернатант хранили как указано в примере 1,Перед проведением повторного плазмафореза супернатант размораживали,центрифугировапи со скоростью3000 об/мин при 4 С в течение 10 мин,удаляя оставшиеся...

Номер патента: 1159676

Опубликовано: 07.06.1985

Авторы: Белянкин, Котелянский, Шапиро

МПК: B21C 47/24

Метки: намотки, рулонов

...на фиг.1, на Фиг.3 - 10разрез Б"Б на фиг.2,Устройство для намотки рулоновсодержит барабан 1 для намотки рулонов, приводную тележку 2 со цитом 3.На щите 3 жестко закреплены оси 4 15с роликами 5, в которых установлен"съемник внутренних витков рулонов,выполненный в виде кольца 6, сцентрированного относительно барабана1 для намотки рулона. Кольцо 6 20имеет выступы 7-9, входящие в продольные пазы 10"12 барабана 1. Паз10 барабана образован рычагами 13 и14 барабана 1 и служит для Фиксации.концов наматываемых лент на барабан. 25Пазы 11 и 12 образованы шарнирным. 15 барабана. Выступы 7-9 выходят наружной поверхностью за наружную поверхность барабана, постоянно перекрывая внутренние витки наматывае"мых рулонов-ь- Ролики 5 защищены накладками 16,...

Номер патента: 1138742

Опубликовано: 07.02.1985

Авторы: Глухова, Ермолин, Ефремов, Котелянский, Курманова, Метсис, Черноусов

МПК: G01N 33/50

Метки: фибронектина

...свойств и спецификацииприменяемого иммуносорбента, полученного на основе бактериальныхклеток.Целью изобретения является повышениеточности способа приопределении биологически активного фибронектина,Указанная цель достигается тем,что согласно способу определенияфибронектина путем инкубации исследуемой пробы с иммуносорбентом,содержащим в качестве лиганда желатин,с последующим определением связавшегося с сорбентом фибронектина,причем в качестве иммуносорбентаиспользуют полистирол, обработанныйраствором при 8,0-10,0, взятого вконцентрации 10-12 мкг/мл.Это позволяет не только количественно определить Фибронектин,обладающий биологической активностью,но и значительно повысить точностьопределения за счет использованиясорбента, обладающего...

Номер патента: 1124230

Опубликовано: 15.11.1984

Авторы: Ермолин, Ефремов, Котелянский, Курманова, Литвинов, Мухутдинова, Сапожникова

МПК: C07K 1/22, G01N 33/50

Метки: выделения, фибронектина

...глутар овым альдегидом желатиновые гранулы тщательно отмывают забуференным физиологическим раствором вН 10 7,2-7,4.Выделение .фибронектина из плазмы проводят следующим образом.После отмывания полученного сорбента (желатины на желатиновых гранулах) забуференным физиологйческим раствором рН 7,2-7,4 на сорбент наносят свежую или размороженную плазму в отношении 10 мл плазмы на 1 мл сорбента и инкубируют смесь в течение 20 15-2 ч при комнатной температуре. Сорбент промывают Физиологическим раствором рН 7,2-7,4, чтобы удалить все несвязавшиеся белки плазмы. Элюцию фибронектина проводят градиентом 25 4-8 М мочевины в буфере, рН 7,2-7,4, Полученный белок диализуют против физраствора рН 7,2-7,4, концентрируют до 10 мг/мл и хранят до...

Номер патента: 1122599

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Баев, Бубель, Котелянский

МПК: B66C 1/02

Метки: вакуумного, захватного, устройства

...захватного устройства, содержащая двухходовой распределительный клапан, установленный между выходом источника сжатого воздуха и входом эжектора, полость которого соединена с вакуумными захватами, снабжена трех- ходовым двухпозиционным клапаном, управляемая полость которого соединена с выходом эжектора и атмосферой, а управляющая, - с выходом источника сжатого воздуха.На чертеже изображена схема системы управления вакуумного захватного устройства.Система содержит магистраль 1 сжатого воздуха, вентиль 2, влагоотделитель 3, маслораспылитель 4, присоски 5, полости которых сообщаются с эжектором 6, На входе эжектора установлен двухходовой распределительный клапан 7, а на выходе - трех- ходовой двухпозиционный клапан 8, управляющие...

Номер патента: 1073882

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Анисимкин, Гуляев, Котелянский

МПК: H03H 9/64

Метки: акустических, волнах, задержки, линия, поверхностных

...1 из 5 плавленого кварца. Входной преобразователь 4, а также углы 9 и р выполнены аналогично тому, как в устройстве, показанном на фиг.1. Выходной преобразователь 8 выпол нен в виде преобразователя поперечных ОАВ, изготовленного из пластины монокристаллического кварца У-среза, и расположен, на третьей вспомогательной грани 9 звукопровода 1. Четвер тая вспомогательная грань 10,противолежащая грани 5 звукопровода 1, выполнена под углом 2 к его рабочей грани 2, величина котооого отличается от величины угла Ч и под углом о к грани 9, на которой расположен выходной преобразователь 8. Угол с( равен углу отражения Р от грани 10 поперечной ОАВ ЯЧ-поляризации, образующейся при падении на эту грань возбуждаемой ПАЦ, распространяющейся...

Номер патента: 1049573

Опубликовано: 23.10.1983

Автор: Котелянский

МПК: C23C 15/00

Метки: окиси, основе, пленок, пьезоэлектрических, цинка

...мишени из окиси цинка. Распыление окиси цинка предпочтительнее,чем распыление металлического цинка,так как позволяет получать пленки окисицинка с большим коэффициентом электромеханической связи (К=0,8-1%), близкимк значению для монокрцсталлов окиси цинка, за счет упрощения поддержания условий получения стехиометрцческцх по составу пленок, Создание над распыляемойповерхностью цинковой мишени зоны скрещенных электрического и магнитного полейпозволяет почти на порядок увеличитьскорость распыления, а следовательно, искорость осаждения, что способствуетуменьшению угла разориентациц текстуры,При температуре распыляемой поверхности цинковой мишени ниже 200 С и скоростях распыления, необходимых для обеспечения малого угла разориентации...

Номер патента: 1023358

Опубликовано: 15.06.1983

Авторы: Доев, Котелянский, Левкин, Моносов, Тулайкова, Шавров, Шахунов

МПК: G06K 15/00

Метки: записи, изображения, объектов

...поддержания температуры предварительного подогрева гетерогеннойсмеси примерно в 100 раэ, т,е. су,щественно упрощает процесс записиизображений, с 5 еспечиная нысокчю2чувствительность, равную 10 Дж/смПри импульсном нагреве происходиттакже экономия энергии источникапитания по сравнению с непрерывнымподогревом, поскольку в этих случаях нагрев смеси идет по разному:при коротких импульсах нагрева рольтецлоотдачи во время действия импульса уменьшается. Выигрыш энергииопределяется также параметром адиабатичности р и достигает двух порядков при коротких, по сравнению с пе 1 иодом, импульсах нагрева,Кроме того, при импульсном способе снижается пространственная неоднородность нагрева гетерогенной смеси из-за выравнивания температурысреды но время...

Номер патента: 1003951

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Белянкин, Котелянский, Шапиро

МПК: B21B 37/00, B21C 47/12

Метки: металлической, плавающий, полосы, разматыватель, рулонов

...пары конечных выключателей 21 и 22, 23 и .24, которые при взаимодействии с пласти- нами 12-15 подают сигнал на золотник 5, причем выключатели 22 и 24 служат для включения гидроцилиндра, а выключатели 21 и 23 для-вьпапочения.Плавающий разматыватель рулонов металлической полосы работает следующим образом. 81 1пластиной 15 лодается команда на золотник 5, который включает гидроцилиндр4 на работу в сторону, обратную отклонению полосы. Происходит перемещениеплатформы 1 разматывателя до тех пор,пока кромка полосы, воздействуяна ролик. 10 не повернет рычаг 8 вокруг оси 16 до замыкания пластиной 12конечного выключателя 21. При этомподается команда на золотник 5, который выключает гидроцилиндр 4,Предлагаемое устройство отличаетсяот известных...

Номер патента: 996979

Опубликовано: 15.02.1983

Авторы: Доев, Котелянский, Кравченко, Моносов, Шахунов

МПК: G03G 5/00

Метки: записи, информации

...среды - слой парафина толщиной 50 мкм и оптически непрозрачных частиц дисперсной фаэы - порошок Ре О с размерами частиц 222-5 мкм в количестве 0,1 г на 1 см поверхности среды. Среда располагается между покровными стеклами 9 толщиной 0,1 мм и помещается во внешнее магнитное поле - постоянное магнитноеполе напряженностью 50 Э.При подаче электрических сигналов, например, на электроды 2 г и ЗЬ в месте контакта (точка С) происходит выдЕление джоулева тепла. Под действием этого тепла в точке С теплового контакта с гетерогенной средой происходит резкое (до 105 раз в интервале изменения температур 0,1-10 С)о уменьшение вязкости парафина (пара- фин расплавляется) и резкое снижение плотности частиц окиси железа на расплавленном участке под...

Номер патента: 978167

Опубликовано: 30.11.1982

Авторы: Котелянский, Кравченко, Моносов, Шахунов

МПК: G06K 15/14

Метки: видимого, визуализации, записи, отображения, поля, силового

...и записи производят однородный нагрев носителя до температуры выше температуры раэ" мягчения связующего, воздействуют на него записываемым силовым полем в течение времени, достаточного для изменения пространственного положения частиц в соответствии с прост ранственным распределением напряженности силового поля, фиксируют изоб" ражение охлаждением носителя до температуры ниже темлературы .размягчения связующего. 15 ществляют с помощью нагревателя,представляющего собой кварцевуюпластинку, на которой расположеныметаллические (из хрома) полоскиэлектроды, по которым пропускаетсяэлектрический ток. К нагретому носителю прикладывают пластинку из магнитного материала и осуществляютвзаимодействие частиц окиси железас ее магнитными полями...

Номер патента: 941920

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Котелянский, Кравченко, Моносов, Шахунов

МПК: G03G 15/00

Метки: записи, изображений

...источник тока11 к электродам 3 и 5, и с источником 12 питания силового поля(электрического, магнитного), который, в свою очередь, связан с формирователем 13 силового поля, действующего на пигментные частицы 7. Носитель 6 разогревается до температуры, при которой связующее находится в размягченном состоянии, но меньшей температуры фазового перехода частиц (система термостатирования не показана). Блокуправления 9 включает систему экспонирования, создающую изображение 1 на фотопроводнике 4, и исполнительный механизм 10, который подключает питание на электроды 3 и 5. Электрический ток, проходя через фотопроводник 4, разогревает его в соответствии с изображением. На поверхности фотопроводника 4, обращенной к термочувствительному...