H01L 21/47 — из органических веществ, например слоев фоторезиста

Номер патента: 175144

Опубликовано: 01.01.1965

МПК: H01L 21/47

Метки: 175144

...для двухстороннего шлифования 10 их отличается от известных тем, что гранулы насыпают в один слой на подложку, смачивают раствором целлулоида в ацетоне, накрывают целлулоидной пленкой и после сушки отделяют полученную пластину с деталями 15 от подложки для последующей шлифовки и полировки.Способ позволяет повысить производительность труда на операции шлифовки гранул.Способ заключается в следующем. Гранулы 20 полупроводникового материала насыпают в один слой на плоскую металлическую (стальную, дюралюминиевую, винипластовую или др.) подложку, смачивают раствором целлулоида в ацетоне, накрывают пленкой целлу лоида и медленно высушивают, например при комнатнои температуре, в течение 3 - 4 час под стеклянным колпаком. Затем пленку с...

Номер патента: 256085

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Благовещенска, Грибелюк, Кузнецова, Ополовенков, Смирнова

МПК: H01L 21/47

Метки: защитное, покрытие

...Оно представляет собой композицию из пластифицированной пол ивинилацетатной О эмульсии и мыльноглицериновой пасты, вводимой в количестве 15 - 20 вес, ч. на 100 вес, ч.эмульсии и придающеи ей антиадгезионныс свойства, обеспечивающие возможность лег.кого удаления защитной пленки.5 Приготовление и нанесение защитного по.крытия иллюстрируется следующим примером,П р и м е р. К 100 вес. ч. пластифицированной поливинилацетатной эмульсии (ВТУМХП М- 56) добавляется 15 вес. ч.мыльноглицериновой пасты, содержащей 20% глицерина (ГОСТ 6824 - 54), 25% стружки хозяйственного мыла (ВТУ 216 - 63) и 55% воды. Смесь загружается в аппарат с мешалкои и нагревается при температуре 65 - 80 С в течение 15 - 30 лик до получения однородной массы молочного...

Номер патента: 392836

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Васильев, Курносов, Лаврова

МПК: H01L 21/47, H01L 31/00

Метки: герметизации, полупроводниковых, состав

...составы для герметизации полупроводниковых приборов на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиуретановых и других соединений, используемые для изготовления широкого ряда полупроводнико вых приборов в пластмассовых корпусах.Однако кремнийорганические соединения имеют низкую механическую прочность, известные составы на основе эпоксидов недостаточно термостойки (до 125 - 150 С) и имеют высокие значения диэлектрических потерь. Поэтому такие составы не могут быть применены для герметизации приборов, работающих в ВЧ и СВЧ диапазонах длин волн. В связи с этим ВЧ и СВЧ приборы классическими методами герметизируют в металлокерамические корпуса без применения пластмасс,Цель изобретения - разработка состава для герметизации...

Номер патента: 517086

Опубликовано: 05.06.1976

Авторы: Пасынков, Скрижалин, Таиров, Тонкий

МПК: H01L 21/47

Метки: нанесения, покрытий, центрифуга

...клеем наклеивается полупроводниковый диск 3 толщиной 2-3 мм с удельным объемным электрическим сопротивлением 10 - 10 Ом м, наз акоторый свободно накладывается полимерная пленка 4 толщиной 10-20 мкм с удельным объемным электрическим сопротивлением5 710 -10 Ом м. Полупроводниковая пластинка 5 помещается на эту пленку.Описанная конструкция представляет собой конденсаторную систему, которая заряжается от источника высокого напряжения, собранного на базе схемы умножения. Рабочее напряжение составляет 1500-1800 в, а потребляемые токи - несколько десятков микроампер. Полимерная пленка служит для накопления зарядов и для того, чтобы закрепление объектов было надежным в течение всего времени вращения столика центрифуги./ ед 16 о Тираж...

Номер патента: 1679915

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Балашов, Букин, Плесский

МПК: B05C 3/02, H01L 21/47

Метки: мономолекулярных, нанесения, пленок, подложку

1. Устройство для нанесения мономолекулярных пленок на подложку, содержащее ванну для рабочей жидкости, средства слива рабочей жидкости из ванны и держатель подложки, отличающееся тем, что, с целью повышения качества наносимых пленок, две противоположные стенки ванны выполнены наклонными к ее днищу, а две другие боковые стенки взаимно параллельны и перпендикулярны днищу, причем держатель подложки установлен на одной из наклонных стенок ванны с возможностью размещения подложки в плоскости этой стенки по всей ее ширине, а углы наклона стенок связаны между собой соотношениемcos +sin