Способ изготовления полупроводниковых датчиков давления

Номер патента: 1737399

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Голуб, Карпеев, Сисакян, Сойфер

МПК: G02B 27/44, G02B 27/48

Метки: излучения, лазера, оптическая, полупроводникового, преобразования

...а также низкая 35эффективность преобразования световойэнергии, обусловленная бинарной функцией фазового пропускания элемента,Целью изобретения является коллимация излучения полупроводникового лазера 40и повышение эффективности преобразования световой энергии.Изобретение обладает "с,лее широкимифункциональными возможностями по сравнению с известными оптическими системамй за счет симметричной .формысколлимированного пучка, Оптическая силакиноформного элемента меньше, чем у прототипа, что позволяет увеличить число уровней квантования и, следовательно,повысить эффективность с 20 - 30% у прототипа до 70 - 80.Цель достигается тем, что в оптическуюсистему, содержащую последовательно установленные полупроводниковый лазер и, киноформный...

Номер патента: 1772897

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Буянов, Качан, Киселев, Крылов, Моргун, Пушкарев, Степанов

МПК: H05K 7/20

Метки: водяного, охлаждения, полупроводникового, преобразователя, силового

...1), выполненные из меди или алюминия и прижатые кохлаждаемым полупроводниковым приборам 2, например, таблеточной конструкции(фиг, 2), Теплоотводы 1 имеют сквозные параллельные каналы 3 (фиг. 1) беэ штуцеров,в которые уложена трубка 4 из гибкого диэлектрического материала, например из полихлорвинила, соединяющая все теплоотводы 1 в единую систему охлаждения (фиг.2), В местах 5 установки полупроводниковых приборов 2 каналы 3 выполнены вскрытыми, например, с помощью проточкиуглубления на токарном станке, Это обеспечивает непосредственный тепловой контактполупроводникового прибора 2 с трубкой 4.Трубка 4 проходит насквозь через несколько теплоотводов 1 первого ряда параллельных сборок (фаз, ветвей или плечпреобразователя), затем после...

Номер патента: 346602

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Воросколевский, Заварное, Куликов, Панов, Ченко

МПК: G01K 7/25

Метки: датчик, мостовой, полупроводниковый, температуры

...характеристика регулирования определяется параметрами мостового датчика, что существенно упрощает схему управляющего устройства регулятора н10 значительно повышает его надежность.Схема описываемого датчика приведена начертеже.Четырехплечий мост ооразуется терморезнстором (плп группой терморезисторов) 1, тер.15 мостабильными сопротивлениями 2, 3 и двумястаоплитронами 4, 5. К концам резистораподключены базы транзисторов 6, Т разноготипа проводимости, эмнттеры которых соединены с общей точкой стабилнтронов 4, 5, Пн 20 танце для датчика подается через ограничивающее сопротивление на выводы 8, 9. Выходные сигналы датчика снимаются с выводовго, п.При температуре настройки, когда сонро 25 тивление терморезпстора У равняется сопро.тивлению...

Номер патента: 692905

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Белоусов, Биронт, Ждановская, Сущих, Шепельский

МПК: C22F 1/043

Метки: алюминий, заэвтектических, кремний, системы, сплавов, термической

...держек проводят ультразвуковую обработку. Этопозволяет дополнительноповысить пластичность сплавов за счетболее "полного протекания процессовкоагуляции и сфероидизации эвтектических сОставляющих и избыточныхкристаллов. Воздействие ультразвуковых колебаний на .этот процесс, способствуяперераспределению напряжений, устраняет их отрйцательное влияние напроцесс растворения, способствует 5 более полному протеканию растворения кремния, определяя более полноеразвитие процессов сфероидизациии коагуляции его частиц.П р и м е р. Проводят термичес" 1 О кую обработку заэвтектических силуминов, "содержащих 18 и 25 кремния;Заготовки йагревают до 550 фС, выдерживают при этой температуре 15 мин,охлаждают до 300 С, вновь выдерживают 1 при этой...

Номер патента: 868525

Опубликовано: 30.09.1981

Автор: Пронин

МПК: G01N 27/24

Метки: дефектов, диэлектриков, полупроводниковых, слоев

...подключенного к отрицательному полюсу источника 4, заряд нейтрализуется и слой подготавливается для проведения следующего цикла. 1 ОПри непрерывном сканировании поверхности индикатор 8 регистрирует последовательность импульсов, возникающих в результате электростатической индукции заряда в цепи электрода 6. За счет выбора 15 длительности импульсов генератора 5 при постоянной скорости сканирования слоя 1 размеры заряженных участков выбирают сравнимыми с линейными размерами обнаруживаемых дефектов, поскольку при О этом обеспечиваются оптимальные условия для контроля всего слоя, выражающиеся в том, что необходимо осуществить минимум циклов для точного установления места расположения дефекта (в пределах 25 смещения, равного линейному размеру...