H01L 39/22 — приборы с переходом между различными материалами, например приборы с использованием эффекта Джозефсона

Номер патента: 541223

Опубликовано: 30.12.1976

Авторы: Байков, Герасимов, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, типа, точечного

...контакта Джозефсона являются низкие точность и скорость регулирования туннельного тока из-за наличия зазоров в кинематическом звене и существа механизма передачи движения на макроскопичсском уровне.Целью изобретения является повышение точности и скорости регулирования туннельного тока,Поставленная цель достигаетсяпривод выполняют в виде жестко щего электроды элемента, например, в форме втулки из материала, обладающего пьезоэлектрическим эффектом и снабженного электродами управления.5 На чертеже изображен контакт Джозефсона точечного типа. Он содержит сверхпроводяций электрод 1 с острием 2, контактирующим с поверхностью 3 другого сверхпроводящего электрода 4, элемент 5, выполненный из 0 материала, обладающего...

Номер патента: 579667

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Дмитренко, Иванов, Юрченко

МПК: H01L 39/22

Метки: детектор, сигналов, электромагнитных

...в виде сверхпроводящего Джоэефстновского перехода параллельно или последовательно Джозефсоновскому переходу подклкь чен полупроводниковый диод,На фиг. 1 представлена принципиальнаяэлектрическая схема детектора с параллельным включением полупроводникового диНа фиг. 2 - то же,с поспедоватепьночением диода. араллельном соединении с Джозефсоновского переход ковым диодом 2 для слаб лов, в случ квадратичног о режима детектирования, диод практически не реагирует на сигнал и его большое при этом внутреннее сопротивление не влияет на работу Джозефсоновского перехода, С повышением мощности сигнала, когда разрушается сверхпроводимость в Джоэефсоновском переходе, начинает работать диод. В этом случае Джозефсоновский переход...

Номер патента: 555770

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Кандыба, Колесников, Комаровский, Лапир, Лихарев, Рыжков, Ястребов

МПК: H01L 39/22

Метки: криотрона, момостикового

...которого определяет длину перемычки. Затем поверх полученной структуры наносят вторую сверхпроводяшую пленку толщины, меньшей чем первая, обеспечи- вая ее разрыв на краях 11 (фиг. 4) участка 4 вентиля (осаждением из направленного потока пара испаряемого материала в высоком вакууме).Из второй сверхпроводяшей пленки формируют участок 3 вентиля и управляющую шину 7. В результате образуются участки сверхпроводяшей пленки вентиля, разделенные зазором, равным толшине изолируюшего слоя 10 и соединенные перемычкой 5 пленки 9 с необходимыми для создания слабой связи размерами, а управляюгцая шинаточно совмещена с перемычкой и краем отверстия, несмотря на возможные отклонения при формировании ее конфигурации в плане (фиг, 4).Для формирования...

Номер патента: 637019

Опубликовано: 25.05.1979

Авторы: Андрацкий, Громаковский

МПК: H01L 39/22

Метки: мостик, переменной, сверхпроводящий, толщины

...проходящего по управляющей полоске, Действительно, из-за того, чтоберега расположены несимметрично относительно перемычки, магнитное поле от управляющего тока будет существенно неоднородным прилюбом расположении управляющей полоски поотношению к перемычке.Цель изобретения - получение заданных параметров мостика,остигается тем, что пленочная перемычоложена на торце изолирующего слоя, ого на нижний электрод, причем в месложения пленочной перемычки торцыующего слоя и верхнего электрода совпаб 37019 Формула изобретения Н оставитель В, КручинкинаТехред Л. Алферова Корректор Е, Лук Редактор Т. Колодцева Заказ 2896/59 Тираж 922 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушПодписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/5 д,...

Номер патента: 671642

Опубликовано: 05.12.1979

Авторы: Сатрапинский, Француз

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, мера, основе, эффекта

...из последовательно соединенных измерителя величи ны постоянного тока с нулевым внутренним сопротивлением и выходного резистора, с которого снимается напряжение. Измеритель величины постоянного тока калибруется током, протекающим по этой цепочке, причем для калибровки используется разность напряжений ступеней, лежащих на противоположных ветвях вольт-амперной характеристики.:Это позволяет использовать напряжение на переходе Джозефсона, в два раза большее, чем в известной мере напряжения,что дает возможность увеличить точность выходного напряжения.На чертеже изображена схема предлагаемой меры напряжения на основе эффекта Джозефсона.Данная мера содержит регулируемый источник постоянного тока 1, гальванически связанный с измерителем...

Номер патента: 530602

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Васильев, Трофимов

МПК: H01L 39/22

Метки: интерференционныйдатчик, квантовый, сверхпроводящий

...размеры которого во всехтрех измерениях должны быть меньшемикрона, сложностью нанесения пленкисверхпроводника на диэлектрическийЗО цилиндр для образования тонкостенной: Рьф у ь " " 530602петли (обычно применяется вакуумноенапыление), невозможностью перестройки н, следовательно, оптимизациипараметров мостиков Дайэма после нхизготовления.Целью изобретения является упро 1 цение конструкции датчика, обладающего оптимальными параметрайн, и обеспечения возможности перестройки послеизготовления,Цель достигается применением вкачестве сверхпроводящего квантовогоинтерференционного датчика свернутойв рулон плоской сверхпроводящей ленты,покрытой слоем диэлектрика, напримерокислом металла ленты, концы которойжестко закреплены по...

Номер патента: 961512

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Лыков, Черник

МПК: H01L 39/22

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...сосТаллий 0,6- 1,4 тояния образцц охлаждают до критичесТеллур 0,4-0,9 кой температуры Тс любым из известОбразцы предложенного соединения с нык способов, в частности, откачразличной дозировкой добавок получают кой паров жидкого гелия в криостапо известной методике металлокерами те., ческим способом из предварительно Результаты измерений температуры синтезированных слитков соответствую-, сверхпроводящего перехода образцов щих составов (см. табл.), Исходными теллурида свинца с разнымй количесткомпонентами при синтезе служили чис- вамиталлйя приведены в таблице. Состав образца, вес.4 Номеробразца КритическаятемператураТс Щ 99,3 РЬТе+0,43 Т 1+0,2 Те 99,1 РЬТе+0,55 Т 1+0,35 Те 99,0 РЬТе+0,61 Т 1+0,39 Те 98,7 РЬТе+0,79 Т 1+0,51 Те 98,5...

Номер патента: 986253

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Дорошенко, Пехотный

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...в условиях криогенного 45 объема, поэтому он размещается в капсуле, укрепленной на штанге. Капсула опускается в криостат,Существенным недостатком таких устройств является низкая помехоустой чивость к внешним электромагнитным помехам, связанная с тем, что провод со стабилкзируемым током образует петлю-контур, чувствительную к внешним магнитным полям. Контур с прово дящими мостиками слабо экранирован от внешних магнитных полей. За счет большой протяженности сигнальных проводов наводки на них соизмеримы с величинами полезных сигналов.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости сверхпроводящего датчика постоянного тока.Для достижения этой цели в сверхпроводящем датчике постоянного тока, содержащем сверхпроводящий токоввод, на...

Номер патента: 1088617

Опубликовано: 15.06.1986

Авторы: Дорошенко, Павлов, Сосницкий

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...тем, что в сверхпроводящем датчике постоянного тока, содержащем токовод в виде двух коаксиальных трубок, соединенных с одного конца сверхпроводящим диском, изоли рующую втулку, надетую на внутреннюю трубку, сверхпроводящий контур квантованияфс двумя слабыми связями и две пары сигнальных проводов, на поверхности втулки сформирован охваты. вающий ее пленочный сверхпроводящий приемный контур, плоскость которого расположена относительно оси внутренней трубки под угломВагс 1 д - ( о с2 где В - наружный диаметр втулки;1 - длина втулки;причем ось втулки смещена относительно оси внутренней трубки по диаметру втулки, лежащему в плоскости приемного контура на расстояние где Й - диаметр внутренней трубкиа сверхпроводящий пленочный...

Номер патента: 1292578

Опубликовано: 30.10.1987

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...г,ужгород, ул,Проектная,1129257Изобретение относится к ускорительной технике.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости сверхпрово 5 дящего датчика постоянного тока.На фиг.1 изображен предложенный сверхпроводящий датчик постоянного тока на фиг,2 - его электрическаясхема.10Датчик содержит передающую токовую обмотку 1, проложенную последовательно через отверстия 2 приемной обмотки 3 сверхпроводящего трансформатора потока, выполненного из двух стаканов - наружного 4 и внутреннего 5, края которых связанысверхпроводниковыми перемычками 6 между прорезями 7, преобразующую обмотку 8, магнитно связанную со СКВИДом 9.Датчик работает следующим образом,Стабилизируемый ток 1 , проходит по передающей обмотке 1. Магнитное поле,...

Номер патента: 1326145

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Камарчук, Хоткевич, Янсон

МПК: H01L 39/22

Метки: взаимодействия, металлах, спектра, электрон-фононного

...помещают в криостат. Контакт между сверх- проводниками или сверхпроводником и нормальным металлом создают, например, методом сдвига электродов относительно друг друга. В соответствии с критериями качества проводят предварительный отбор контактов, которые ЗО ,удовлетворяют соотношению 1/й10 (1 - средняя длина свободного пробега электрона в области контакта, Й - диаметр контакта). Контакты, прошедшие такой отбор, имеют микроконтактные спектры, позволяющие с высокой степенью точности восстановить функцию ЭФВ. На основе экспериментальных данных показано, что зависимости Ч (Ч) сверхпроводящих контактов, для 40 которых справедливо неравенство 1/Й 1, не содержат спектральных особенностей ЭФВ. Если диаметр контакта сравним с длиной...

Номер патента: 1362371

Опубликовано: 30.06.1988

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...прорезями 7; преобразующую обмотку 8, индуктивцо связанную со скнидом 9; управляющие обмотки 1 О. Датчик работает следующим образом.Стабилизируемый ток 1, проходит по передающей обмотке 1. Магнитное поле, создаваемое током 1 , замыкается через отверстия 2 сверхпреводниконых стаканов 4 и 5, Стенки стаканов 4 и 5 и сверхпронодниковые перемычки 6 создают четное число М витков приемной обмотки 3, соединенных параллельно, Площадь контура каждого витка соответствует площади отверстия 2. Прорези 7 у двух соседних отверстйй находятся с разных сторон, т.е. каждые дна соседних витка включены градиентометрически, Передающая обмотк состоит цэ нцтков провода,продетых через отверстия 2 в стаканах 4 и 5 так, что в нечетных отверстиях провод входит...

Номер патента: 1362372

Опубликовано: 30.06.1988

Авторы: Дорошенко, Тункин

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...через отверстия 3приемной обмотки 4 сверхпроводящеготрансформатора потока, выполненногоиз наружного. 5 и внутреннего 6 стаканов, края которых связаны сверхпроводниковыми перемычками 7 между прорезями 8; преобразующую обмотку 9,индуктивно связанную со сквидом 10.Датчик работает следующим образом.Сравниваемые токи пропускаются попередающей обмотке 1 и по обмоткесравнения 2, Создаваемые ими магнитные поля замыкаются через отверстия 3сверхпроводниковых стаканов 5 и 6Стенки стаканов и сверхпроводниковыеперемычки 7 создаютчетное числовитков приемной обмотки 4, соединенных параллельно. Площадь контура каж.дого витка соответствует площади отверстия 3. Прорези 8 у двух соседних отверстий находятся с разных сторон,т,е. каждые два соседних витка...

Номер патента: 1413685

Опубликовано: 30.07.1988

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводниковый

...витки также включены градиентометрически, т,е, по отношению к полям имеющим криволинейную геометрию, лежащим в плоскости, перпендикулярной оси цилиндров (например, от проводника с током, проходящего параллельно оси цилиндров), такие витки будут включены градиентометрическими и наведенные этими полями токи в витках будут взаимно компенсироваться. Передающая обмотка состоит из двух одинаковых секций, образованных проводом, продетым через все витки датчика у одного торца и также через все нитки у другого торца, Обмотка входит и выходит через соседние витки и, следовательно, наводит в них суммирующиеся токи. Переход обмотки от одной секции к другой также осуществляется через соседние по образующей цилиндра витки, включенные...

Номер патента: 1562959

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Шеба, Экснер

МПК: H01L 29/161, H01L 39/22

Метки: квантово-интерференционный, транзистор

...управляющи ми электродами - порядка 1 мкм, То ковводы 3 имеют поперечное сечение соразмерное с поперечным размером контура 2,Транзистор работает следующим образом.При прохождении контакта токовв да с контуром волновая функция эле рона расщепляется на две части. Од на соответствует верхней части кон ра, другая - нижней. Изменение фаз приобретаемое при прохождении элек ронами нижней и верхней частей кон ра, зависит как от Формы ветвей, и от интенсивности полей, создавае мых управляющими электродами. При этом электроны в сверхтонкой квант1562959 2 юМсгп 1 Фиг,Г Составитель В, КремлевЗайцева Техред Л, Сердюкова Корректор М,Паро Редакт Заказ 1067 . Тираж 446 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытия113035, Москва,...

Номер патента: 1124819

Опубликовано: 07.08.1991

Автор: Француз

МПК: H01L 39/22

Метки: абсолютной, градуировки, магнитного, меры, многозначной, потока, сверхпроводящей

...фазы колебаний ВЧ-поля за время действия прямоугольного импульса напряжения.Известно, что вольт-амперная характеристика перехода Джозефсона, помещенного во внешнее электромагннтное ВЧ-поле, приобретает ступенчатый характер с участками нулевого511дифференциального сопротивления (сту=пенями) при напряжениях71=пЕ,где п=0,1,2, - целое число;Е - частота колебаний ВЧ-поля.Такая ступенчатая вольт-ампернаяхарактеристика перехода Джозефсона используется для градуировки меры.Если электрический ток через переход Джозефсона близок к нулю, рабочая точка на вольт-амперной характеристике находится на ступени с п=О, Путем подачи на переход соответствующих скачков тока можно скачком смещать рабочую точку на вольт-амперной характеристике со ступени с...

Номер патента: 1609403

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Горчаков, Курочкин, Француз

МПК: H01L 39/22

Метки: индуктивности, катушки, сверхпроводящей

...1 ПОТОК Б СВ(-т)ХПРОВОДЯЩРЙ КЯТУШКЕ "К СПОУ ЕНИЛЛЬНО (Е 1 ШЛ ЕТСЯ С ПОСТОнУНОИ ВРРМЕНИ Ь:-1(/1(, ВЭЫБЯЯ КО,ПЕбанил ця Выход Р (. Б ерхп 1. ОВОдяще ГО кван тового ицтерферометрического, преобразователя, частота которых также экспоценцилльцо умецьшается. Частотомер ттзмерит среднее значение периода 1. этих колебаний, Значение индуктивнлсти сверхпроводящей катушки рассчитывает.я по значениям 2, Т и чис- ЛЯМ (1 И и СЛЕД ЛЭЦГ( ОбраЗОМ. В МОМЕНТ Бэ(-.маци :) когда чястотоме 1) зафиксирует и периодов колебаний на выходе сверхпрводящего квлнтового итер(1)ерометрического преобразователя (т.е, =Ттп), ток . В сатушке будет равен.(;1( КЯК т.=(-1=-.11 /т тО МОЖНО:Зацнат1 с и Ф - )" ПЧо1-Р )= -1Отсидя (, -1./Е=ТП/1 П 1(/(1(-1)и 1= Тпс/.ттл 11 с/(1...

Номер патента: 1414251

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дубицкий, Нарожный, Семенова, Степанов, Яковлев

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

...1200-1900 С выбирают н связи с тем, что ниже 10 кБар и Т сс 1200 С не получают образцы материала достаточной прочности, давление ньнпе 85 кБар и Т ) 1900 С использовать нецелесообразно, так как не наблюдаетсл значительного улучшения свойств образцов, а материальные затраты на аппараты высокого давления возрастаютСпособ осущестгшяют в течение 1-3 мин, Могут быть использованы известные камеры высокого давления, на которых создают требуемые давления и температуры, например типа цилиндр- поршень, тороид.Калибровку камер по давлению производят известным методом, используя реперные металлы. Вг 1-11 - 25 нБарф Ва - .55 кБар, Вг Ч-ЧИ. - 77 кБар; Бп - 100 кБар, Градуиронку камер по температуре проводят по известной методике с использованием...

Номер патента: 1785056

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Губанков, Дивин, Котелянский, Кравченко

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящее, электронное

...в СКВИД.вания мостиков с разрешением менее 0,1 Койтакты 9, подсоединенные к электродаммкм;-" " 3, 4, служат для задания тока через СКВИД,Цель изобретения - понижение уровня 50 а контакты 10- для измерения напряженияшумов и повышение стабильности работы на СКВИД.сверхпроводящего электронного устройст- Также в качестве материалов мостиковва, а также повышение воспроизводимости и электродов могут быть использованы друих характеристик.- гие сверхпроводящие материалы с высокимпературУказанная цель достигается тем, что в 55 ми значениями критических темпераустройстве, содержащем сверхпроводящие (15-100 К) и малыми значениями длины коэлектроды и мостики из сверхпроводящего герентности е10-100 А. Среди них, наполикристаллического материала,...

Номер патента: 1819358

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баранов, Достанко, Погребняков, Укадер

МПК: H01L 39/22

Метки: высокотемпературных, микромостиков, сверхпроводников, формирования

...ВТСП-пленка, 3 - фоторезист, 4 - ионы Н, 5 - область слабой связи.Предлагаемый способ формирования пленочного микромостика иэ высокотемпературного сверхпроводника реализован следующим образом.Пленки УВаСиО наносились ионно-лучевым распылением композитной керамической мишени стехиометрического состава на установке вакуумного напыления УВН на подложки из М 90, ЯгТ 10 з, УБЕ и имели характеристики с Тс = 90-92 К, Тс = 1-2 К, После формирования с помощью фотолитографии дорожки шириной 10 - 50 мкм с контактами для проведения измерений четырехэондовым методом на поверхность структуры наносился слой фоторезиста и вскрывались окна под контактные площадки, Ширинка дорожки определялась, исходя из условия стабильности пленки и ее свойств при...

Номер патента: 2005309

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Берг, Голиков

МПК: G01R 33/035, H01L 39/22

Метки: датчик, магнитного, поля, пороговый

...достижение положительного эффекта, а именно упрощение конструкции, не были выявлены, и потому они обеспечивают заявляемому техническому решению соответствие критерию "существенные отличия",Пример реализации предложенного порогового датчика магнитного поля схематично изображен на чертеже.Пороговый датчик магнитного поля состоит из подложки 1, на которую последовательно нанесены, например, напылением, первый слой 2 сверхпроводника, разделительный слой 3 изолятора и второй слой 4 сверхпроводника, Толщина разделительного слоя 3 периодически изменяется вдоль координаты Х в плоскости этого слоя 3, что достигается, например, применением соответствующей штриховой маски при напылении изолятора. Слои 2, 3, 4 образуют контакт Джозефсона,...

Номер патента: 1575858

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Белоусов, Гусельников, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 39/22

Метки: диод, сверхпроводниковый, туннельный

СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД, содержащий два электрода, эмиттер и коллектор из сверхпроводника, разделенных полупроводниковой прослойкой, отличающийся тем, что, с целью повышения максимальной рабочей частоты и мощности, полупроводниковая прослойка выполнена в виде многослойной квантовой гетероструктуры, состоящей по крайней мере из двух полупроводниковых материалов, различающихся шириной запрещенной зоны, причем слой узкозонного материала расположен между слоями широкозонных материалов и образует потенциальную яму для основных носителей заряда, содержащую по крайней мере один квантовый уровень.

Номер патента: 1715152

Опубликовано: 27.02.1996

Авторы: Кукуев, Попов, Харламов

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: пленок, сверхпроводящих

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК, заключающийся в плазменном напылении в инертной газовой среде порошкового материала YBa2Cu3O7 на разогретую подложку с последующей ее термообработкой в кислорде и охлаждением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок путем уменьшения количества пор, величину гранул порошкового материала выбирают в пределах 80 - 150 мкм, напыление производят до толщины пленки 10 - 1000 мкм, при этом в зону образования пленки подают кислород, после чего в течение 2 ч производят нагревание пленки до 945 - 955oС с постоянной скоростью, выдерживают при этой температуре в течение 2,5 - 3,0 ч, а затем постепенно охлаждают в течение 4 ч.

Номер патента: 1508886

Опубликовано: 20.05.1996

Автор: Дудников

МПК: H01L 39/12, H01L 39/22

Метки: высокотемпературного, сверхпроводника

Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводника на основе соединений редкоземельных, щелочноземельных металлов и меди, включающий их измельчение, прессование и спекание в кислородсодержащей среде, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и ускорение процесса изготовления, в качестве соединений щелочноземельных металлов используют их перекись.

Номер патента: 1362370

Опубликовано: 27.10.1998

Авторы: Горин, Есипенко, Степанова

МПК: H01L 39/22

Метки: измерительное, свч-накачкой, сквиде

Измерительное устройство на СКВИДе с СВЧ-накачкой, состоящее из первого генератора накачки, СКВИДа с СВЧ-накачкой и последовательно соединенных усилителя и детектора, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности и упрощения изготовления и настройки, в него введены второй генератор накачки и промежуточный LC-контур, имеющий резонансную частоту, равную разности частот генераторов накачки, причем выход второго генератора соединен с СВЧ-входом СКВИда, а промежуточный LC-контур подключен непосредственно к СКВИДу в двух точках на расстоянии, равном половине длины волны генератора накачки.

Номер патента: 1199165

Опубликовано: 27.12.1999

Авторы: Касумов, Копецкий

МПК: H01L 39/22

Метки: микромостик, переменной, толщины

Микромостик переменной толщины, выполненный в виде двух электродов, соединенных перешейком, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения с одновременным увеличением срока службы за счет увеличения максимальной силы тока, протекающего по микромостику, микромостик выполнен из металлического монокристалла с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах 0,1 - 10 мм, причем длина перешейка составляет 0,02 - 1 от длины свободного пробега электронов.

Номер патента: 1485970

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вдовин, Касумов

МПК: H01L 39/22

Метки: металлических, микромостиков

Способ получения металлических микромостиков, включающий электрохимическое травление металлического кристалла до образования узкого перешейка, соединяющего два массивных электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологических свойств микропроводников и уменьшения их размеров, перешеек расплавляют проходящим через него в режиме заданного напряжения током и выдерживают в расплавленном состоянии до уменьшения его размеров до заданной величины.

Номер патента: 639366

Опубликовано: 27.06.2000

Авторы: Кудрявцев, Куликов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, типа, точечного

Контакт Джозефсона точечного типа, содержащий сверхпроводящий электрод с острием, соосно с ним расположенный сверхпроводящий электрод с плоской контактной поверхностью и привод их взаимного перемещения в виде соединяющей электроды втулки из материала с пьезоэлектрическими свойствами, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности и увеличения срока эксплуатации, посредством создания возможности автоматического размыкания сверхпроводящих электродов в неохлажденном состоянии, они размещены в соосно с ними расположенной заполненной газообразным гелием герметичной камере, выполненной в виде тонкостенного цилиндра с поперечно гофрированной боковой поверхностью и жестко скреплены с...

Номер патента: 1482485

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Горохов, Троцко, Федоров

МПК: H01L 39/22

Метки: высокочастотный, гибридный, сквид

Гибридный высокочастотный сквид, содержащий параллельно соединенные контуры квантования в виде полостей, образованных двумя цилиндрами и стенками в массивном корпусе из сверхпроводника, подложку с пленочными электродами и контактом Джозефсона между ними и заглушку, прижимающую электроды к элементам сквида, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности сквида к входному току, цилиндры установлены вдоль одной оси и разделены перегородкой с отверстием, внутри которого размещен с зазором стержень, соединяющий цилиндры, причем в перегородке снаружи корпуса выполнен паз, соединенный с отверстием, а внутри паза установлены подложка и заглушка, прижимающая один электрод контакта...

Номер патента: 1436798

Опубликовано: 10.07.2000

Авторы: Байков, Кондаков, Лузе

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсона, контакт, точечный

Точечный контакт Джозефсона, содержащий корпус с двумя отверстиями и два соприкасающиеся торцами сверхпроводящих электрода в виде стержней, установленных в отверстия, отличающийся тем, что, с целью уменьшения брака при изготовлении, отверстия в корпусе выполнены конусными, а стержни - с прямоугольным поперечным сечением.