Волле

Номер патента: 1809701

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Аринушкин, Берман, Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Козлов, Ломасов, Ременюк, Ткаченко, Толстобров

МПК: H01L 21/263

Метки: диодов, кремниевых, силовых

Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условияEпов= a+bxj+ Eк, кэВ,где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области,a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм,

Номер патента: 1533569

Опубликовано: 10.06.1999

Авторы: Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Гусинский, Козлов, Найденов

МПК: H01L 21/26

Метки: структур, тиристорных

Способ изготовления тиристорных структур, включающий формирование в полупроводнике p+-n-p-n+ слоев, изготовление и пассивацию краевого контура, облучение структуры протонами со стороны управляющего электрода сквозь n+ эмиттерный слой, отличающийся тем, что, с целью уменьшения потерь мощности в проводящем состоянии при заданном уровне времени выключения, облучение проводят после формирования p+-n-p-n+ слоев, облучение ведут при интенсивности потока протонов не более 1010 прот см-2 ...

Номер патента: 1830229

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Козлов

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий гидрофилизацию кремниевых пластин, сушку пластин на воздухе, соединение пластин лицевыми сторонами друг с другом, термообработку при температуре не менее 1000oC, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур при одновременном увеличении производительности, после гидрофилизации пластины помещают в раствор, содержащий не менее 1 об. плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины промывают в деионизованной отфильтрованной воде, соединяют пластины попарно и извлекают их из воды в соединенном состоянии, сушку пластин проводят перед термообработкой при 100 130oC в течение времени не менее 4 ч при одновременном...

Номер патента: 730227

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Левинштейн, Сергеев, Чашников, Яссиевич

МПК: H01L 31/16

Метки: переключения, полупроводникового, прибора

...способу,оснещенив описанных выше структур произ водят со стороны слаболегированцого базового слоя, что позноляе. устранить потери света, связанные с нефотоактин. цым поглощением ца примесях н сильнолегиронацном слое и усиленным поглощением н области сильного поля у рИ -перехода (эффект Франца-Келдыша) . В слаболегиронанном слое ицтенсинность света падает по закону 1(х) -енр Г Ы(Л) х 3,О а концентрация гецерируеьд.:х светом носителей - по законуН(х) - КЕКрГ-Ы(Л) х 3 где с( Л) - коэффициент поглощения н материале освещаемого слоя, занисящий от длины волны;- интсц: ивность освещения на поо верхности; й - поверхностная концентрация геб нерируемых светом носителей, Длину волны света выбирают из условия р(Л) Н1-2, где И - толщина...