H01L 21/263 — с высокой энергией

Номер патента: 599662

Опубликовано: 25.10.1978

Авторы: Веревкина, Кулешов, Суровцев, Сыноров

МПК: H01L 21/263

Метки: глубины, нарушенного, пластины, полупроводниковой, слоя

...в высокоЧастотном поле допоявления скин эффекта и выдерживаютв течение 2-5 с, после чего по среднеймаксимальной протяженности следов ориентированных каналов проплавления и ихформе определяют глубину нарушенногослоя и ориентацию монокристаллнческойпластины.На чертеже приведена зависимостьсредней максимальной плошади следовориентироваееееых каналов проплавленияна поверхности кремния ориентации(100) фот глубины нарушенного слояПри индукционном нагреве полупроводниковой пластины (с одновременной инициацией собственной проводимости в полупроводнике) на периферии последнего возникает скин-эффект Обнаруживаемый по появлению ярко светящегося ободка на пластине, Прн выдерживанпи пластины в указанных услоьиях в течение 2-5 с...

Номер патента: 712873

Опубликовано: 30.01.1980

Авторы: Герасименко, Кибалина, Мордкович, Ободников, Стась

МПК: H01L 21/263

Метки: фотомишени

...счет большей степени компенсации.Диапазон спектральной чувствительностирасширяется за счет более мелкого энергетического уровня дефекта по сравнению суровнем золота в прототипе.Диапазон спектральной чувствительностипрототипа: уровень золота Ес - 0,54 эВ,т, е. граница чувствительности = 2,3 мкм.Диапазон спектральной чувствительностизаявляемого способа: уровень дефектаЕс - 0,37 эВ, т. е. граница чувствительности = 3 4 мкм.По сравнению с существующими способами, где вытравливают образец до малыхтолщин имеет место увеличение механической прочности,Лсходный кремний можно использоватьс концентрацией кислорода 10" см- -108 см -(см. пример 1). Что касается времени отжига, то оно лежит в пределах 10 -30 мин, В течение этого времени...

Номер патента: 728183

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Бродская, Вдовин, Мильвидский, Моргулис, Освенский, Шифрин

МПК: H01L 21/263

Метки: кристалла, маркирования, микродефекту, объемному, поверхности, полупроводникового, соответствующего, участка

...участка из всех отмаркированных участков того же типа.Цель изобретения - обеспечение универсальности способа и защиты микродефекта от воздействия на него при маркировке,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу экспонируют электронным пучком участок поверхности кристалла над обнаруженным микродефектом, а затем проводят травление. Экспонирование электронным пучком участка поверхности кристалла проводят при токе электронного пучка 10 6 - 10А, вакууме 5 10- 5 10торр и продолжительности 1 - 1000 с. Травление кристаллов после экспонирования проводят в известном для каждого материала полирующем травителе.При экспонировании электронным пучком поверхности кристалла в точке пересечения ее с электронным пучком осаждается...

Номер патента: 736219

Опубликовано: 25.05.1980

Авторы: Курицын, Мокрицкий, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, слоев, эпитаксиальных

...точечных. дефектов. При энергии электронов менее 4 МэВколичество и стабильность названных дефектовнедостаточны для образования явно выраженногоградиента концентрации носителей заряда, Кро.ме того, при таком значении энергии частиц,набор необходимой дозы облучения происхо 119 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 диз гд время 1 е.41 нпее пр к 1 ичееки 1 еие.1 е сообрд 1 ным ие 1 дх 11 кндние дко 1 н способа. Принергил чдси 11 бо 11 ее 5 МВ количество дефек 1 ов и их евойс 1 вд дков 11, 1 го обрд 1 уюзся необратимы и 1 менения с 1 рук 1 урпых свойств исходно 1 о м;периен 1 д, ухудшающие основные пдрдме 1 ры приборов, создаваемых на его основе, В связи с эим оптимальным следует считать диапазон значений быстрых электронов от 3 до 5 МэВ.П р и м е...

Номер патента: 679025

Опубликовано: 07.08.1981

Авторы: Жуков, Лошкарев, Мусатов, Улимов

МПК: H01L 21/263

Метки: термочувствительныхполупроводниковых, элементов

...приведены зависимости прямого падения напряжения, Оз транзистора МП 103 от потока облученияпри температурах 30 оС (кривая 1) и1400 С (кривая 2). Из результатовэксперимента следует, что для полупроводниковых приборов критическийпоток составляет 10 см , При по-токах, меньших критического 10 смстабилизация температурночувствительных параметров отсутствует; припотоках, больших критического, температурно-чувствительные параметрыОстаются без изменения,Облучение потоком, большим106 смпредставляется нецелесообразным вследствие увеличения стоимости облучения без достижения сущест венного улучшения характеристиктермозлемента.Как следует из приведенных результатов, кремниевые транзисторы и германиевые резисторы сохраняют силь ную температурную...

Номер патента: 414925

Опубликовано: 30.08.1982

Автор: Винецкий

МПК: H01L 21/263

Метки: полупроводниковых, структур

...оси Х образца. Кристалл облучается высокоэнсргстцчсскими квантами (Х, у-сучи), либо электронами высоких энергий; возможно также облучение протонами, нейтронами и другими видами ядерного излучения с энергией, достаточной для образования в образце радиационных дефектов.Вид и энергию радиации и условия облучения (температуру) выбирают таким образом, чтобы образующиеся в результате облучения радиационпые дефекты представляли собой электрически активпыс центры, противоположные по сравнению с легирующей примесью, - доноры в образцах р-типа или акцепторы в и-типе. Доза облучения должна быть такой, чтобы концентрация введенных радиацией доноров в р-(акцепторов в п-) образце оказалась между минимумом и максимумом концентрации легирующей...

Номер патента: 849928

Опубликовано: 07.10.1982

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремния, повышения, стабильности, характеристик

...содержание углерода ( МЪ34 10 см) определяет эффективностьперестроек кислороца в % и выэьвает дополнительные реакции в кристалле матрицы, Учитывая, что концентрации примесей 0 и С, а также легируюших примесей (бор, фосфор и др.) в кристаллах кремния превышает предел растворимостив условиях производстм и эксплуатации полупроводниковьк приборов, следует .ожидать неконтролируемых измененийих состояний в кристалле, а следовательно, и неконтролируемых изменений параметров материала и приборов. В частности, изменение концентраций кислородаи углерода приведет к нестабильностипараметров ряда полупроводниковыхприборов на основе кремния. Так, например, будет меняться чувствительностьпримесных инфракрасных фотоприемниковв области 9 и 16,5...

Номер патента: 972973

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Егиазарян, Исаев, Каракушан, Карапатницкий, Мухамедшина, Стафеев

МПК: H01L 21/263

Метки: магнитодиодов

...Поставленная цель достигается тем,.что согласно способу изготовлениямагнитодиодов, включающему операциисоздания инжектирующего и невыпрямляющего контактов на пластине полу 5 изолирующего кремния, измерения электрических параметров, технологичес-кой доводки магниточувствительностидо максимального значения, разделения пластины на отдельные структуры,сборки и герметизации приборов, расстояние между контактами уменьшаютв 2-3 раза, а йзмерение электрических параметров и доводку структуРпроизводят после герметизации при 35боров, причем доводку осуществляютпутем введения в кремний радиационных дефектов нейтронным облучением,а также тем, что облучение проводятдозой (0,9-2,6) 102 нсм 2.Возникающие под действием облу"40 чения структурные дефекты...

Номер патента: 921378

Опубликовано: 30.05.1983

Авторы: Борковская, Дмитрук, Конакова, Литовченко, Шаховцов

МПК: H01L 21/263

Метки: основе, поверхностно-барьерных, соединений, структур

...не вызывающих нагрева струй- туры при исходной .концентрации примеси 10 "ф - 5106 см,э.Улучшение рекомбинационных параметров эпитаксиального слон происходит вследствие радиационно-стимулированного геттерирования глубоких рекомбинационных центров (определяющих время жизни неосновных носителей тока )дефектами эпитаксиальной структуры, соаредоточенныки у границы раздела эпитаксиальный слой - металлиэирования; поверхность и выступающими в роли активных стоков и центров аннигиляции объемных дефек" тов.( Дефекты границы раздела эпитаксиальный слой - подложка также могут выступать в качестве центров геттерирования. Их роль более существенна в случае, тонких эпитаксиальных слоев ). Центрами аннигкляции могут быть либо дислокации, либо атомы...

Номер патента: 649270

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ботвин, Горелкинский, Невинный, Сигле, Чеканов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, проводимости, слоев, создания, типа

...кэВ. Глубина залеганияслоя определяется пробегом протоковв кремнии. Гсли однако, необходимосоздать слой на глубине меньше,чем пробег используемых протонов, то это достигается путем изменения угла падения пучка протонов и плоскости подложки в соответствии с формулой3 л 1 п 0,где О 3Испытание радиационной стойкости проводят на кремнии с проводимостью 5:40 Ом см, который получают путем внедрения "- 10 смпротонов с максимальной энергией 6 МэВ с последующим отжигом при 250 С в течение 20 мин. Исходным материалом служит кремний Г -типа с проводимостью 60-10 Ом см, после отжига при+450 С он инвертируется в И -тип,глубина залегания слоя;пробег протонов в кремнии;угол между направлениемпучка протонов и плоскостьюподложки,Тот факт, что скорость...

Номер патента: 1313254

Опубликовано: 15.03.1988

Авторы: Ахметов, Болотов, Гаврошевски, Рихтер, Смирнов, Шмальц, Эмексузян

МПК: H01L 21/263

Метки: атомов, геттерирования, дефектов, металлов, полупроводниках, тяжелых

...мкм, Облучение при 350 К в течение 300 с электронами с энергиейЕ = 3,5 МэВ, дозой Ф = 10 смБ - 2.поверхность окисляют травлением вСРс последуюцей выдержкой на воздухе в течение 70 ч.в -эБдц =7 10 см прий=2 2 мкм,Термообработка 570 К в течение1 ,8 -эБ= 7 10 см при Ь = 2,2 мкм.Облучение при 300 К электронами5 Яс энергией 3,5 МэВ дозой 510 эл/смс последующим отжигом при 570 К в течение 1 ч.БА 1,410 см при Й =- 2,2 мкм,Аналогичный результат получен ипри температуре облучения 280 К.П р и м е р 3. Материал и условия 40приготовления поверхности как и впредыдущих примерах.Б ц = (1,4-15) 1 О см при= 3,4 мкм,Термообработка 770 К в течение д1 ч,941 О см при й =: 394 мкмОблучение при 300 К электронамис энергией 3,5 МэВ дозой 5 10 смс последуюцим...

Номер патента: 1102416

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Асеев, Герасименко, Калинин, Федина

МПК: H01L 21/263

Метки: интегральных, планарных, полупроводниковых, приборов, схем

...т междоузельные атомы), Эа счет разной подвижности при комнатной температуре междоузельные атомы выходят на повеохность(если на нейнет окисной пленки и других загрязнений), и в объеме образуется избыточная концентрация вакансий, которыевзаимодействуют со стержнеподобнымидефектами и растворяют их,Энергия электронов должна бытьбольше или равна 220 кэВ, так как при меньших энергиях в объеме не будут создаваться радиационные дефекты. Испольэовать электроны с энергией бо"лее 1 мэВ невыгодно, так как сильно возрастают вес и стоимость ускорителя электронов. Интенсивность пучка электронов должна быть больше или равна 51 О"ф смс-, так как при меньших интенсивностях облучения образующиеся точечные дефекты уходят на другие стоки в объеме...

Номер патента: 1100959

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Беда, Вайнберг, Воробкало, Зарубин

МПК: C30B 31/20, H01L 21/263

Метки: германия, легированного, ядерно

...долю тепловых нейт ,ронов пучка, поглощенную материалом экрана, по формулею- ехр(-Яс), (3) где Я - коэффициент поглощения тепловых нейтронов материалом чехла, д - 25 толщина стенки. Жесткость спектра нейтронов, прошедших через стенку чехла, равна ф Г ф Йф 4 -а. к .ай л т - - --- т Фф фг (Я ) ехр (-1 Й) где ; - .жесткость спектра при облучении без чехла,фр гт ( )ф цПри облучении германия естественного изотопного состава в пучке нейтронов с жесткостью спектра, равной 1",. получается полупроводник р-типа со степенью компенсации, равной 407 лЪ 1 ЙФ+Е )+2 Ра(Ь Фх+Е 31мРр (6 Д+ Е-Рр ) (5)Подставляя в (5) Рр = фт и учитывая, что 45 На фиг. 1 показана зависимость степени компенсации К от жесткости спект" ра нейтронов 3" (кривая 1); на...

Номер патента: 1019965

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Кухта, Ормонт

МПК: H01L 21/263

Метки: адгезии, металлических, пленок, подложкам, тонких, увеличения

...золота толщиной 40 нм напыляют на кремний (материал наиболее широко применяеьвй втвердотельной электронике) маркиКЭФ 0,3, а затем различные ее участ-ки размером 200 х 200 мкмжд облучаотсяпучком электронов с энергией .25 кэВдо различных доз в диапазоне от10 до ОК/см . Диаметр элект 20 ронного пучка равен 2 мкм. Облучениеучастков размером 200 х 200 мкм ведется в режиме строчного сканирования, Ток пучка равен 210 А. Разогрев кремниевой подложки в месте25 падения пучка по расчету не превышает 1 К. Изменение адгезии, связанноес электронным облучением, измеряется широко известным методом царапания иглой. В измерениях применяетсяЗО стальная игла с радиусом острия30 мкм.Результаты измерений показывают,что резкое повышение адгезиив- 800 раз...

Номер патента: 1800501

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...типа (А,Е-центры, комплексы. С 5-Сь дивакансии), в процессе пассивации происходит электрическое взаимодействие между отрицательно заряженными РД и положительно заряженными атомами водорода, В результате процесса комплексообразования отрицательно заряженные центры теряют рекомбинационную активность, Атомы водорода пассивируют также разорванные радиацией связи в решетке на границе 51-302, уменьшая плотность поверхностных состояний. Следствием этого является уменьшение механических напряжений на границе Я-З 02 и улучшение электрических параметров транзисторов, При эксплуатации приборов в полях ионозирующих излучений атомы водорода в решетке Йснижают вероятность устойчивых радиационных дефектов за счет взаимодействия с первичными...

Номер патента: 1811637

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Викулин, Глауберман, Козел, Чалая, Шахов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремниевых, магниточувствительных, транзисторов

...дефектов и наличие ионизации, Таким образом, облучение электронами позволяет повысить магниточувствительность, Кроме того, облучение электронами не требует дорогостоящего оборудования, непродолжительно по времени и технологически несложно,Образцы магниточувствительных транзисторов изготавливались из кремния и-типа с исходным удельным сопротивлением 1 Ом м по стандартной планарной технологии, Глубина залегания эмиттера и коллектора 2,5 мкм, Концентрация основной примеси в эмиттере 10 см, После сборки кристаллов магниточувствительных транзисторов в корпуса измерялась зависимость тока коллектора от прилагаемого магнитного поля и определялась магниточувствительность, Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе "Электроника". После...

Номер патента: 1544108

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Гутько, Латышев, Ломко, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...Ь га обратный ток переходаколлектор - база 1,ь (при разомкнутом выводе эмиттера), напряжение пробоя ц, коллекторного и-р-пе"рехода.Обозначения в таблице следующие:ИН"аа " 1исходные значения параметров после присоединения выводов,ф, (квант/смэ) - флюенс у-квантовпри радиационной обработке транзисторов перед нанесением полиимида,Т (С) и 1;г (мин) - температура ивремл проведения операции имидиэацииполиимида, Тз (С) лл С (мин) - температура и время отжига радиационныхдефектов введенных при облученииФлюенсом Ф; Ь , 1, в , значенияпараметров после проведения всех технологических операций,Прй испытаниях радиационной стой"кости определялись максимальная скорость деградации К коэффициента усцленил при облучении11 га(ф ) - Ь г а(фг)ЕС ю...

Номер патента: 1253380

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Веригин, Красик, Крючков, Лопатин, Погребняк

МПК: H01L 21/263

Метки: дефектов, кремнии, отжига

СПОСОБ ОТЖИГА ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ , включающий облучение импульсами заpяженных частиц наносекундной длительности, отличающийся тем, что, с целью улучшения кpисталлической стpуктуpы, облучение пpоводят сильноточным пучком ионов с плотностью энеpгии в импульсе 0,5 - 0,9 Дж/см2.

Номер патента: 1632278

Опубликовано: 15.10.1994

Авторы: Веренчикова, Водаков, Гирка, Мокрушин, Мохов, Роенков, Свирида, Шишкин

МПК: H01L 21/263

Метки: светодиодных, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДНЫХ СТРУКТУР путем эпитаксиального наращивания на подложку SiC слоя SiC n-типа проводимости, на слой SiC n-типа проводимости слоя SiC p-типа проводимости, облучения и отжига, отличающийся тем, что, с целью обеспечения воспроизводимости параметров, облучение проводят электронами с энергией 2 - 5 МэВ дозой 1018 - 5 1018 см-2 при температуре 30 - 500oС, а отжиг проводят при температуре 1700 - 1800oС.

Номер патента: 1499614

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.

Номер патента: 1384106

Опубликовано: 10.11.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Остроухов

МПК: H01L 21/263

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий, а также повышения надежности и улучшения стабильности их работы путем снятия нестабильной части радиационно стимулированного в подзатворном диэлектрике заряда, после облучения структуры проводят дополнительный термический отжиг последней при температуре от 400 до 450oС в течение от 30 до 60 мин, а дозу облучения выбирают из отношениягде =6 10-6P

Номер патента: 1829760

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Баранов, Достанко, Казачонок, Попов

МПК: H01L 21/263

Метки: планаризованных, пленок, тонких, формирования

...частоты модуляции Гмг35 имеет значение порядка 4 МГц, Ограничение частоты модуляции определяется ограничением подвижности ионов вэлектрическом поле, которые за один период модуляции Тг=1 Рмг не успевают пере 40 сечь область катодного падения потенциалав плазме тлеющего ВЧ-разряда.Способ поясняется схемой, представленной на чертеже, где 1 - рабочая камера,2 - магнетронный источник распыления, 3 -45 блок питания магнетронэ, 4 - мишень, 5 -подложка с рельефной поверхностью, 6 -подложкодержатель, 7 - керамические элементы, 8 - ВЧ-генератор, 9 - согласующееустройство, 10 - генератор импульсов,50 Для реализации способа формированияпланариэованных тонких пленок была модернизована промышленная установка типа 01 НИ-006, предназначенная...

Номер патента: 1468318

Опубликовано: 27.03.1996

Авторы: Гресков, Романов

МПК: H01L 21/263

Метки: арсенидгаллиевых, полевых, радиационной, свч, транзисторов

СПОСОБ РАДИАЦИОННОЙ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДГАЛЛИЕВЫХ СВЧ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий облучение готовых приборов электронами с энергией 3 - 5 МэВ и дозой 1013 - 1014 см-2 при комнатной температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет уменьшения коэффициента шума и увеличения коэффициента усиления по мощности, облучение электронами проводят при плотности тока 0,2 - 2,0 мкА/см2 при заземленных внешних выводах транзисторов.

Номер патента: 1031367

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вершинина, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: кремний-двуокись, кремния, структур

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 эл см-2.

Номер патента: 1809701

Опубликовано: 20.12.1999

Авторы: Аринушкин, Берман, Волле, Воронков, Гейфман, Грехов, Козлов, Ломасов, Ременюк, Ткаченко, Толстобров

МПК: H01L 21/263

Метки: диодов, кремниевых, силовых

Способ изготовления силовых кремниевых диодов, включающий формирование p-n-перехода, омических контактов к p и n областям и облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет уменьшения падения напряжения при прямом токе и сохранения времени выключения, облучение электронами проводят со стороны сильнолегированной области, при этом энергию электронов Eпов выбираю из условияEпов= a+bxj+ Eк, кэВ,где Eпов - энергия электронов на поверхности сильнолегированной области,a = 250 - 500, кэВ, b = 0,4, кэВ/мкм,

Номер патента: 1819053

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Мамонтов, Чернов

МПК: H01L 21/263

Метки: n-n-ni-слоях, арсенида, галлия, интегральных, полупроводниковых, приборов, схем

Способ изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на n-n--ni-слоях арсенида галлия, включающий создание омических контактов и/или контактов с барьером Шоттки, формирование активных областей структуры, покрытие защитной маской активных областей, удаление незащищенных участков n-слоя травлением, ионное легирование на глубину n--слоя ускоренными заряженными частицами, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров и повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и интегральных схем путем повышения термической стабильности межэлементной изоляции, в качестве активных заряженных частиц используют дейтроны, при этом...

Номер патента: 1151148

Опубликовано: 10.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 21/263

Метки: быстродействующих, мощных, тиристоров

Способ изготовления быстродействующих мощных тиристоров, включающий облучение тиристорных структур, выполненных из бестигельного кремния, электронами с последующим термоотжигом, отличающийся тем, что, с целью оптимизации параметров тиристоров, облучение проводят дозой (4 - 10) 1014 см-2 и термоотжиг проводят при температуре 425 - 440oC в течение 2 - 3 ч.

Номер патента: 847839

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ахметов, Болотов, Смирнов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/324

Метки: кремния, повышения, радиационной, стойкости

Способ повышения радиационной стойкости кремния, включающий термическую обработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств кремния, термическую обработку проводят в интервале температур 500 - 600oC в течение 100 - 800 ч в неактивной среде.