Патенты с меткой «иттрий-бариевого»

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника

Номер патента: 1752153

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Кожемякин, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературного, иттрий-бариевого, сверхпроводника

Способ изготовления изделий из иттрий-бариевого высокотемпературного сверхпроводника, включающий формование изделия, нагрев его до 950oC, термообработку при данной температуре и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения критических параметров сверхпроводника и сокращения длительности процесса, термообработку проводят в течение 50-60 мин, в процессе охлаждения изделия проводят дополнительную термообработку при 400-450oC в течение 50-60 мин, при этом нагревание изделия, термообработку и дополнительную термообработку осуществляют путем электронного облучения, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R -...

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата yba2cu3o

Номер патента: 1820797

Опубликовано: 27.01.2002

Авторы: Веневцев, Калева, Косяченко, Кудинова, Политова

МПК: C04B 35/00, H01L 39/12, H01L 39/24 ...

Метки: yba2cu3o, иттрий-бариевого, купрата, оксидного, основе, сверхпроводящего

Способ получения сверхпроводящего оксидного материала на основе иттрий-бариевого купрата (YBa2Cu3O7- ), включающий приготовление шихты путем смешения оксидов иттрия и меди, карбоната бария и оксидной титансодержащей добавки, измельчение смеси, термообработку на воздухе, помол, формование, спекание на воздухе и охлаждение с изотермической выдержкой при 400oC в течение 20 ч, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности критического тока и уменьшения ширины перехода материала в сверхпроводящее состояние при упрощении технологического процесса, в качестве оксидной титансодержащей...